一种环礁式静电释放装置制造方法及图纸

本发明专利技术的增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，增加静电荷的释放路径以增强晶粒抗反偏压静电损害能力，于检光器晶粒四周增加释放静电路径为Ｐ型金属层、降低电阻区、Ｐ型半导体区、ｉ型光吸收层、Ｎ型缓冲层、Ｎ型基板、Ｎ型金属层，疏导大部分静电荷于晶粒四周释放，以避免大部分静电荷集中于晶粒中间贯穿而造成晶粒损害，达到增强晶粒抗反偏压静电损害能力。

【技术实现步骤摘要】
增强检光器晶粒 抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置扶术领壤本专利技术有关于一种增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放 装置，于检光器晶粒四周设有P型金属层、降低电阻区、P型半导体区，而将大部 份静电疏导分散于检光器晶粒四周释放，以避免大部份静电集中于晶粒中间贯穿， 而达增强晶粒抗反偏压静电损害效果，又此检光器晶粒并不改变制程的步骤，所以 不会增加制造成本，实为一充分符合产业利用性。 背录扶术按，习用的检光器的晶粒(请参阅阁1及图2)，晶粒主要由P型金属层1、 受光区2、介电层3、 N—型半导体层4、 P型半导体区4 1、 i型光吸收层5、 N型缓冲层6、 N型基板7、 N型金属层8组成其中，于晶粒表面当存在有大量 静电，大量静电贯穿晶粒中间区域会造成晶粒损害，施予反偏压静电来模拟大量静 电贯穿晶粒，将负静电荷施予最上层P型金属层1及接地最下层N型金属层8，此 时为反偏压状态，负静电荷只能集中于晶粒中间区域释放，使大量负静电贯穿晶粒 中间区域，而造成晶粒损害，故抗反俾压静电损害能力不强。有鉴于上述的缺失弊端，本专利技术人认为其有急待改进的必要，乃思及改良创作 的意念，及其一贯秉持具有的优良设计理念，针对既有的缺失加以改良，经多方设 计探讨并多次修正改良，终乃有本专利技术增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环 礁式静电释放方法，系为一充分符合实用性的设计。 专利技术内赛本专利技术提供一种增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放 装置，其目的在于增强检光器晶粒抗反偏压静电损害的能力。所述装置包括P型金属层、受光区、降低电阻区、介电层、N—型半导体层、 P型半导体区、i型光吸收层、N型缓冲层、N型基板、N型金属层，其中，P 型金属层,指反偏压负静电荷连接最上层金属层，位于晶拉表面中间及晶粒四周缘， P型金属层中具有受光区，于受光区周缘为降低电阻区，晶粒四周缘P型金属层下 方为降低电阻区；降低电阻区下层为P型半导体区；介电层，为隔开元件，有绝缘 功能，其上层为P型金属层，下层为N—型半导体层；N—型半导体层，其内有P — 扩散形成的P型半导体区，P型半导体区扩散于受光区下方及晶粒四周P型金属层下方i型光吸收层，指产生光激电子一电洞对的空乏区，于i型光吸收层上层为N一型半导体层及P型半导体区，下层为N型缓冲层；N缓冲层，其上层为i型光 吸收层，下层为N型基板；N型基板，指于基板上形成半导体，其上层为N型缓沖 层，下层为N型金属层N型金属层，指接地连接最下层金属层，于N型金属层上 层为N型基板。上述的增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，其中， 所述P型金属层及介电层可设计成易疏导大部份静电释放的不同形状。上述的增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，其 中，所述降低电阻区可为P型InGaAs半导体构成。本专利技术的增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，于检 光器晶粒四周设有P型金属层、降低电阻区、P型半导体区，而将大部份静电疏导 分散于检光器晶粒四周释放，避免了大部份静电集中于晶粒中间贯穿，因而达到了 增强晶粒抗反偏压静电损害的效果，又此检光器晶粒并不改变制程的步骤，所以不 会增加制造成本，充分符合产业利用性。附闺讲明图l:是习用的检光器的晶粒的俯视图2:是习用的检光器的晶粒的剖面图3:是本专利技术的检光器的晶粒的僻视图4:是本专利技术的检光器的晶粒的剖面图图5:是本专利技术的检光器的晶粒的另一俯视示意图图6:是本专利技术的检光器的晶粒的另一俯视示意图。本专利技术的增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置(请参阅图3及图4),包括P型金属层1、受光区2、降低电阻区2 1、介电层3、 N一 型半导体层4、 P型半导体区4 1、 i型光吸收层5、 N型缓冲层6、 N型基板7、 N型金属层8，于检光器晶粒四周设有P型金属层1、降低电阻区21、 P型半导体 区4 1,配合晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放方法，以避免因静电而 使晶粒造成损害，其中-.P型金属层l，指反偏压负静电荷连接最上层金属层，于晶拉表面中间形成哑 铃形及晶粒四周缘形成，哑铃形为二圆形连接形成，其中一圆形中间为受光区2， 光照射由受光区2接受则光电洞载子汲出，于晶粒四周缘的P型金属层1 ，可将大 部份负静电荷疏导至晶粒四周缘，以避免大部份负静电荷集中于晶粒中间，于受光 区2周缘为降低电阻区2 1 ,晶粒四周缘P型金属层1下方为降低电阻区2 1 ; 降低电阻区2 1，指降低电阻使光电洞载子易于汲出，降低电阻区2 l上层为P型金属层1，降低电阻区2 1下层为P型半导体区4 1;介电层3 ，指隔开元件有絶缘功能，介电层3上层为P型金属层1的哑铃形其 中无受光区的圆形，介电层3下层为N—型半导体层4;N—型半导体层4，指于内有P—扩散形成的P型半导体区4 1， P型半导体区 4 1扩散于受光区2下方及晶粒四周P型金属层1下方；i型光吸收层5 ，指产生光激电子一电洞对的空乏区，于i型光吸收层5上层 为N—型半导体层4及P型半导体区4 1，下层为N型缓冲层6:N缓冲层6 ，指一缓冲层，于N型缓冲层6上层为i型光吸收层5 , N型缓冲 层6下层为N型基板7;N型基板7，指磊晶技术于基板上形成半导体，于N型基板7上层为N型缓冲 层6， N型基板7下层为N型金属层8;N型金属层8 ,指接地连接最下层金属层，于N型金属层8上层为N型基板7 。 使用实施时，本专利技术的增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静 电释放装置(如图3及图4所示)，于晶粒表面当存在有大量静电，而大量静 电贯穿晶粒中间区域常造成晶粒损害，于晶粒四周增加释放静电路径，并于刚 制造完成的晶粒，施予反偏压静电来模拟大量静电贯穿晶粒，首先将施予负静 电荷于最上层P型金属层1及接地最下层N型金属层8 ，此时为反偏压状态， 于检光器晶粒四周增加释放静电路径的P型金属层1会疏导大部份负静电荷， 接着，大部份负静电荷通过晶粒四周降低电阻区2 1可为P型InGaAs半导体、 P型半导体区4 1 ，最后大部份负静电荷贯穿晶粒四周i型光吸收层5、 N型 缓冲层6、 N型基板7、 N型金属层8透过接地释放，以避免大部份静电荷集 中于晶粒中间贯穿而造成晶粒损害，达到增强晶粒抗反偏压静电损害能力，则 代表此晶粒于使用时具有疏导大部份静电于四周释放及抗大量静电损害的能 力，于晶粒四周缘的P型金属层1及介电层3，配合将大部份静电疏导于检光 器晶粒四周释放的方法，可设计成易疏导大部份静电释放的不同形状(如图5、 图6所示)。本专利技术的增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放方法，见诸 同范畴产品未曾思及、作为的新颖性，将大部份静电疏导于检光器晶粒四周释放， 以避免大部份静电集中于晶粒中间贯穿，而达晶粒抗反偏压静电损害效果，系为具 备专利技术专利要件及符合产业利用性。唯以上所述，仅为本专利技术的一较佳实施例而已，当不能以的限定本专利技术的范围。 即大凡依本专利技术申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应仍属本专利技术专利涵盖的 范围内。权利要求1、一种增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，其特征在于，包括P型金属层、受光区、降低电阻区、介电层、N-型半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，其特征在于，包括Ｐ型金属层、受光区、降低电阻区、介电层、Ｎ↑［－］型半导体层、Ｐ型半导体区、ｉ型光吸收层、Ｎ型缓冲层、Ｎ型基板、Ｎ型金属层，其中，Ｐ型金属层，指反偏压负静电荷连接最上层金属层，位于晶粒表面中间及晶粒四周缘，Ｐ型金属层中具有受光区，于受光区周缘为降低电阻区，晶粒四周缘Ｐ型金属层下方为降低电阻区；降低电阻区下层为Ｐ型半导体区；介电层，为隔开元件，有绝缘功能，其上层为Ｐ型金属层，下层为Ｎ↑［－］型半导体层；Ｎ↑［－］型半导体层，其内有Ｐ↑［－］扩散形成的Ｐ型半导体区，Ｐ型半导体区扩散于受光区下方及晶粒四周Ｐ型金属层下方；ｉ型光吸收层，指产生光激电子一电洞对的空乏区，于ｉ型光吸收层上层为Ｎ↑［－］型半导体层及Ｐ型半导体区，下层为Ｎ型缓冲层；Ｎ缓冲层，其上层为ｉ型光吸收层，下层为Ｎ型基板；Ｎ型基板，指于基板上形成半导体，其上层为Ｎ型缓冲层，下层为Ｎ型金属层；Ｎ型金属层，指接地连接最下层金属层，于Ｎ型金属层上层为Ｎ型基板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林蔚，
申请(专利权)人：联亚光电工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]