光电探测器制造技术

本发明专利技术实施例提供的光电探测器，包括：波导结构、限光结构及吸收结构；其中，所述波导结构延伸至所述限光结构中，且所述波导结构的第一侧壁所在的第一边与所述限光结构的第二侧壁所在的第二边相切；所述波导结构用于将入射光以与所述第一边相切的方向导入所述限光结构中；通过所述限光结构侧壁的全反射将导入的光限制在限光结构内进行环形传输，并通过限光结构将导入的光耦合到吸收结构中；所述吸收结构位于所述限光结构上；通过所述吸收结构侧壁的全反射将耦合的光在水平方向上限制在吸收结构内做进行环形传输，并将耦合的光转化为电子和空穴。子和空穴。子和空穴。

【技术实现步骤摘要】
光电探测器


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种光电探测器。

技术介绍

[0002]借鉴于大规模集成电路的发展路线，国内外正在开展研究将有源器件(例如调制器、光电探测器等)和光波导器件(例如分光器/稠合器等)集成到一个衬底上，以实现具有类似大规模集成电路的优点的光子芯片。光子芯片具有低成本、小尺寸、低功耗、灵活扩展和高可靠性等特点。目前硅基光子芯片被业界认为是最有前景的光子芯片，采用硅基光子芯片可以将微电子和光电子结合起来，充分发挥硅基微电子先进成熟的工艺技术、高度集成化、低成本等优势，具有广泛的市场前景。
[0003]硅基光子芯片具备与标准半导体工艺兼容，成本低，集成度高的优点，逐渐被业界广泛采用。硅基光子芯片通常采用Si1icon On Insulator(SOI)材料形成的光波导，光波导由Si芯层和SiO2包层形成，芯层和包层间较大的折射率差异对光场有很强的限制作用，可实现小到微米量级的波导弯曲半径，从而为硅基光子芯片小型化和高密度集成化提供了实现的基础。
[0004]在光通信领域，硅基光子芯片的接收本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，包括：波导结构、限光结构及吸收结构；其中，所述波导结构延伸至所述限光结构中，且所述波导结构的第一侧壁所在的第一边与所述限光结构的第二侧壁所在的第二边相切；所述波导结构用于将入射光以与所述第一边相切的方向导入所述限光结构中；通过所述限光结构侧壁的全反射将导入的光限制在限光结构内进行环形传输，并通过限光结构将导入的光耦合到吸收结构中；所述吸收结构位于所述限光结构上；通过所述吸收结构侧壁的全反射将耦合的光限制在吸收结构内进行环形传输，并将耦合的光转化为电子和空穴。2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述波导结构在预设平面的投影的形状包括长条状；所述限光结构在所述预设平面的投影的形状包括由至少一段直线和/或至少一段曲线形成的封闭图形，且所述限光结构的第二侧壁所在的第二边和第三侧壁所在的第三边形成的角度为钝角；其中，所述预设平面垂直于所述限光结构厚度的方向；所述第三侧壁为所述入射光进入所述限光结构后第一次发生反射处的侧壁。3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述限光结构在所述预设平面的投影的形状包括以下之一：圆形；多段曲线连接形成的封闭形状；多段直线和多段曲线连接形成的封闭形状；多边形。4.根据权利要求3所述的光电探测器，其特征在于，所述多边形包括正多边形且边数大于等于6。5.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述限光结构在所述预设平面的投影覆盖所述吸收结构在所述预设平面的投影。6.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括平板结构、第一掺杂结构、第一掺杂区、第二掺杂区、第一电极及...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈代高，肖希，王磊，刘敏，周佩奇，胡晓，张宇光，余少华，
申请(专利权)人：武汉邮电科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：