一种光探测器及其制备方法技术

本申请公开一种光探测器及其制备方法，该光探测器包括：第一传输波导、第二传输波导、第一耦合器、第二耦合器、波长转换器和光探测结构；第一耦合器设置于第一传输波导和波长转换器之间，第一耦合器能够使第一传输波导与波长转换器进行光导通；波长转换器用于对第一耦合器输出的光信号进行波长转换；第二耦合器设置于第二传输波导和波长转换器之间，第二耦合器能够使第二传输波导与波长转换器进行光导通；光探测结构用于探测第二耦合器输出的光信号，本申请通过制备的光探测器将对于硅材料来说为透明波段的光转化为不透明波段的光，进而对光进行探测，提高了探测的精度，避免集成其他材料制备探测器，也减小了制备工艺的难度，降低了生产成本。低了生产成本。低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种光探测器及其制备方法


[0001]本申请涉及光探测器的制备及应用
，特别涉及一种光探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着时代的进步，集成光学其在光互联、光计算等方面的巨大应用潜力受到了广泛关注，以SOI为基础材料的硅光技术在器件设计、器件制备等方面已十分的成熟，并且依靠CMOS工艺技术可进行大规模制备。
[0003]然而硅也存在其自身材料所带来的限制:1、硅材料是中心对称晶体材料，因此缺乏二阶非线性光学效应和线性电光效应，因此在制备二阶非线性器件及电光调制器上面临着天然的劣势。2、硅材料的本征吸收边在1100nm左右，集成光学常用波段1310nm和1550nm波段对硅来说是透明的，因此需在硅上集成其他材料，如Ge来进行光的探测，这大大提升了技术的难度。
[0004]因此，急需一种光探测器的技术方案，以解决传统的探测器存在制备技术难度大、探测时间较长和需要集成多种材料来制备增加了集成难度等问题。

技术实现思路

[0005]为了解决现有技术的问题，本申请实施例提供了一种光探测器及其制备方法的技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光探测器，其特征在于，包括：第一传输波导(101)、第二传输波导(102)、第一耦合器(1)、第二耦合器(3)、波长转换器(2)和光探测结构(4)；所述第一耦合器(1)设置于所述第一传输波导(101)和所述波长转换器(2)之间，所述第一耦合器(1)用于将所述第一传输波导(101)与所述波长转换器(2)进行光导通；所述波长转换器(2)用于对所述第一耦合器(1)输出的光信号进行波长转换；所述第二耦合器(3)设置于所述第二传输波导(102)和所述波长转换器(2)之间，所述第二耦合器(3)能够使所述第二传输波导(102)与所述波长转换器(2)进行光导通；所述光探测结构(4)用于探测所述第二耦合器(3)输出的光信号。2.根据权利要求1所述的一种光探测器，其特征在于，所述第一传输波导(101)与所述第二传输波导(102)间隔设置，所述波长转换器(2)设置于所述第一传输波导(101)与所述第二传输波导(102)之间的间隔内。3.根据权利要求1所述的一种光探测器，其特征在于，所述光探测器还包括衬底(7)和设置与所述衬底上的光隔离层(8)；所述光隔离层(8)的远离所述衬底(7)的一侧设有光转化层(9)，所述波长转换器(2)设置于所述光转化层(9)内；所述第一传输波导(101)和所述第二传输波导(102)设置于所述光转化层(9)的远离所述光隔离层(8)的一侧。4.根据权利要求3所述的一种光探测器，其特征在于，所述光探测器还包括导电结构(11)，所述导电结构(11)设置于所述第二传输波导(102)远离所述光转化层(9)的一侧，所述导电结构(11)用于传输所述光探测结构(4)输出的所述第二耦合器(3)输出的光信号对应的电信号。5.根据权利要求1所述的一种光探测器，其特征在于，所述第一传输波导(101)和/或所述第二传输波导(102)为脊型波导结构或条形波导结构。6.根据权利要求1所述的一种光探测器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧欣，陈阳，黄凯，
申请(专利权)人：上海新硅聚合半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：