量子点、其制造方法和包括其的电致发光设备与电子设备技术

公开了量子点、其制造方法和包括其的电致发光设备与电子设备，所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳的组成不同于所述第一半导体纳米晶体的组成。所述量子点不包括镉，所述半导体纳米晶体壳包括锌硫属化物，所述锌硫属化物包括硒、碲、硫、或其组合，并且所述量子点进一步碱性碱土金属。并且所述量子点进一步碱性碱土金属。

【技术实现步骤摘要】
量子点、其制造方法和包括其的电致发光设备与电子设备
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年8月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0098730的优先权和权益、以及由其产生的所有权益，将其内容全部通过引用引入本文中。


[0003]公开了量子点和包括所述量子点的电子设备(器件)。

技术介绍

[0004]与块状(本体)材料不同，半导体纳米颗粒的物理特性(例如，带隙能量)可通过改变所述纳米颗粒的尺寸而控制。例如，半导体纳米晶体颗粒(也称作量子点)为纳米尺寸的结晶材料。因为半导体纳米晶体颗粒具有相对小的尺寸，所以所述纳米晶体颗粒具有大的每单体体积的表面积，且由此，所述颗粒呈现出量子限制效应并且将具有与相同化学组成的块体材料不同的性质。量子点可吸收来自激发源例如光或施加的电流的能量，并且在弛豫至基态时，量子点发射与量子点的带隙能量对应的光能。在用于制造量子点的湿化学方法中，有机化合物例如配体/配位溶剂可配位在纳米晶体的表面上，例如结合至纳米晶体的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.量子点，包括包括第一半导体纳米晶体的芯，和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳的组成不同于所述第一半导体纳米晶体的组成，其中所述量子点不包括镉，其中所述半导体纳米晶体壳包括锌硫属化物，其中所述锌硫属化物包括硒、碲、硫、或其组合，和其中所述量子点进一步包括碱土金属。2.如权利要求1所述的量子点，其中所述第一半导体纳米晶体不包括磷化铟。3.如权利要求1所述的量子点，其中所述第一半导体纳米晶体包括锌、碲、和硒。4.如权利要求3所述的量子点，其中在所述量子点中，碲相对于硒的摩尔比大于0:1且小于或等于0.1:1。5.如权利要求1所述的量子点，其中所述碱土金属包括钡、锶、钙、镁、或其组合。6.如权利要求5所述的量子点，其中所述碱土金属存在于所述半导体纳米晶体壳中。7.如权利要求1所述的量子点，其中在所述量子点中，按照一摩尔的锌，所述碱土金属的量大于或等于0.001摩尔且小于或等于1摩尔。8.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点包括硫化钡、硫化钙、硫化镁、硒化钙、硒化钡、钡锌硒化物、钙锌硒化物、镁锌硒化物、或其组合。9.如权利要求1所述的量子点，其中所述半导体纳米晶体壳包括设置在所述芯上的第一壳层，和设置在所述第一壳层上的第二壳层，所述第一壳层包括第二半导体纳米晶体，并且所述第二壳层包括不同于所述第二半导体纳米晶体的第三半导体纳米晶体。10.如权利要求9所述的量子点，其中所述第二半导体纳米晶体包括锌和硒、以及任选地硫，和所述第三半导体纳米晶体包括硫，和所述第二半导体纳米晶体、所述第三半导体纳米晶体、或其组合包括所述碱土金属。11.如权利要求9所述的量子点，其中所述第二壳层为最外面的层，和所述第三半导体纳米晶体包括硫化锌、碱土金属硫化物、或其组合。12.如权利要求9所述的量子点，其中所述第二半导体纳米晶体包括硒化锌。13.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点的光致发...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵智玄，张银珠，元裕镐，章效淑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：