质谱分析方法技术

本发明专利技术涉及质谱分析方法。本发明专利技术的课题在于，提供精度良好地能定量的质谱分析方法。本发明专利技术的质谱分析方法向配置在测定试样表面的质谱分析用基质点照射激光束，进行质谱分析，其包括照射所述激光束的激光束照射工序，在向所述质谱分析用基质点照射所述激光束时，在所述测定试样出现的激光点(A)全部收纳在所述质谱分析用基质点，或者(B)将所述质谱分析用基质点全部收纳。质点全部收纳。

【技术实现步骤摘要】
质谱分析方法


[0001]本专利技术涉及质谱分析方法。

技术介绍

[0002]质谱分析(mass spectrometry)是一种分析方法，其使含有对象分子的试样离子化，由质荷比(质量
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电荷比)(m/z)分离检测对象分子由来的离子，能够获取对象分子中的关于特定化学结构的信息。
[0003]在质谱分析中，试样的离子化是影响分析质量的因素，一直以来已开发出多种方法。例如，可以列举MALDI(Matrix Assisted LaserDesorption/Ionization，基质辅助激光解吸/电离)和ESI(Electro SprayIonization，电喷雾离子化)等。这些方法即使在试样量为微量也容易离子化，因此，用于生物和医疗等

[0004]在MALDI质谱分析方法中，基质(matrix)作为用于辅助试样离子化的物质，通过向将基质赋予试样的地方处照射脉冲激光，与基质一起使试样离子化。
[0005]在MALDI质谱分析方法中，关于将基质赋予试样的方法，提出过各种方法。例如，以下质谱分析用试样制备方法：将基质蒸镀形成微结晶，接着，将基质溶液喷雾，在微结晶上使得基质结晶生长(例如，参照专利文献1)。但是，在MALDI质谱分析方法中，根据制备试样作业者技术不同，有时所得结果发生很大变化，存在难以精度良好地定量分析的问题。
[0006]【专利文献】
[0007]【专利文献1】日本特开2014－206389号公报

技术实现思路

[0008]本专利技术就是鉴于上述以往技术所存在的问题而提出来的，其目的在于, 提供精度良好地能定量的质谱分析方法。
[0009]作为用于解决上述课题的手段，本专利技术的质谱分析方法向配置在测定试样表面的质谱分析用基质点照射激光束，进行质谱分析，其包括照射所述激光束的激光束照射工序，在向所述质谱分析用基质点照射所述激光束时，在所述测定试样出现的激光点
[0010](A)全部收纳在所述质谱分析用基质点，或者
[0011](B)将所述质谱分析用基质点全部收纳。
[0012]下面说明本专利技术效果：
[0013]根据本专利技术，可以提供精度良好地能定量的质谱分析方法。
附图说明
[0014]图1A是表示粉体形成装置的整体一例的概略图。
[0015]图1B是表示图1A的液滴形成单元中的液滴形成头的概略图。
[0016]图1C是图1A的液滴形成单元的A
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A'线截面图。
[0017]图1D是表示通过静电涂布法将基质涂布在基材上的一例的模式图。
[0018]图2是表示能在质谱分析用测定试样制备方法中使用的激光束照射手段一例的概略图。
[0019]图3A是表示一般激光束的波面(等位相面)一例的概略图。
[0020]图3B是表示一般激光束的光强度分布一例的图。
[0021]图3C是表示一般激光束的位相分布一例的图。
[0022]图4A是表示光涡旋激光束的波面(等位相面)一例的概略图。
[0023]图4B是表示光涡旋激光束的光强度分布一例的图。
[0024]图4C是表示光涡旋激光束的位相分布一例的图。
[0025]图5A是表示光涡旋激光束的干扰检测结果一例的说明图。
[0026]图5B是表示中心具有光强度0的点的激光束的干扰检测结果一例的说明图。
[0027]图6A是由等高线表示高斯激光束的温度(能量)分布的模拟图像一例的图。
[0028]图6B是表示均热照射激光束的温度(能量)分布的图像一例的图。
[0029]图7是表示高斯激光束(虚线)及均热照射激光束(实线)的激光束的截面强度分布的一例的图。
[0030]图8A是表示均热照射激光束的截面强度分布一例的模式图。
[0031]图8B是表示均热照射激光束的截面强度分布另一例的模式图。
[0032]图9A是表示使用以往的高斯激光束的LIFT法的一例的模式图。
[0033]图9B是表示使用以往的高斯激光束的LIFT法的另一例的模式图。
[0034]图9C是表示使用以往的高斯激光束的LIFT法的另一例的模式图。
[0035]图9D是表示使用本专利技术的均热照射激光束的LIFT法的一例的模式图。
[0036]图9E是表示使用本专利技术的均热照射激光束的LIFT法的另一例的模式图。
[0037]图9F是表示使用本专利技术的均热照射激光束的LIFT法的另一例的模式图。
[0038]图10A是表示通过使用非球面透镜的几何学手法调整均热照射激光束的一例的模式图。
[0039]图10B是表示通过使用DOE的波动光学手法调整均热照射激光束的一例的模式图。
[0040]图10C是表示通过组合反射型液晶位相转换元件和棱镜调整均热照射激光束的一例的模式图。
[0041]图11A是表示质谱分析用测定试样的制备方法一例的概略图。
[0042]图11B是表示质谱分析用测定试样的制备方法另一例的概略图。
[0043]图11C是表示质谱分析用测定试样的制备方法另一例的概略图。
[0044]图11D是表示质谱分析用测定试样的制备方法另一例的概略图。
[0045]图12A是表示本专利技术的质谱分析方法一例的概略图。
[0046]图12B是表示本专利技术的质谱分析方法另一例的概略图。
[0047]图13是表示实施例的基质板一例的图。
[0048]图14是实施例中的测定试样一例的照片。
[0049]图15A是表示实施质谱分析用测定试样制备方法的飞行体发生装置一例的模式图。
[0050]图15B是表示实施质谱分析用测定试样制备方法的飞行体发生装置另一例的模式图。
[0051]具体实施形态
[0052](质谱分析方法)
[0053]本专利技术的质谱分析方法向配置在测定试样表面的质谱分析用基质点照射激光束，进行质谱分析，其包括照射所述激光束的激光束照射工序，在向所述质谱分析用基质点照射所述激光束时，在所述测定试样出现的激光点
[0054](A)全部收纳在所述质谱分析用基质点，或者
[0055](B)将所述质谱分析用基质点全部收纳。
[0056]本专利技术的质谱分析方法是将质谱分析用基质点状配置在测定试样表面、通过对配置基质的区域照射激光使得测定试样离子化的质谱分析方法中的手法之一。
[0057]作为向测定试样照射激光使得测定试样离子化的质谱分析方法之一，可以列举MALDI质谱分析方法。
[0058]所谓MALDI是“Matrix Assisted Laser Desorption/Ionization(基质辅助激光解吸/电离)”的缩略，是称为基质支援激光脱离离子化法的质谱分析的一种方法。
[0059]在使用该MALDI的质谱分析(以下称为“MALDI质谱分析”)中，基质作为用于辅助离子化的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种质谱分析方法，向配置在测定试样表面的质谱分析用基质点照射激光束，进行质谱分析，其特征在于:包括照射所述激光束的激光束照射工序，在向所述质谱分析用基质点照射所述激光束时，在所述测定试样出现的激光点(A)全部收纳在所述质谱分析用基质点，或者(B)将所述质谱分析用基质点全部收纳。2.如权利要求1所述的质谱分析方法，其特征在于:当将所述质谱分析用基质点的直径设为Md、将所述激光点的直径设为Ld、将所述质谱分析用基质点的中心点Mc和所述激光点的中心点Lc的距离设为ML时，通过满足条件(A1):Md＞Ld、以及条件(A2):ML＜1/2(Md
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Ld)，使得所述激光点(A)全部收纳在所述质谱分析用基质点，照射所述激光束。3.如权利要求1所述的质谱分析方法，其特征在于:当将所述质谱分析用基质点的直径设为Md、将所述激光点的直径设为Ld、将所述质谱分析用基质点的中心点Mc和所述激光点的中心点Lc的距离设为ML、将相邻的所述质谱分析用基质点的中心点间的距...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木一己，植松克之，须原浩之，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：发明
国别省市：