【技术实现步骤摘要】
一种基于晶相改进的CdSnO3纳米半导体敏感材料的丙酮气体传感器及其制备方法
[0001]本专利技术属于气体传感器
,具体涉及一种基于晶相改进的CdSnO3纳米半导体敏感材料的丙酮气体传感器及其制备方法。
技术介绍
[0002]当今时代,科技飞速发展,对工业水平的要求也越来越高。在工业生产中所需要的一些如甲醇、苯等VOC气体有泄露风险,不但会污染环境,还可能会对人体造成危害。同时,家庭装修产生的有害气体也存在着危害人们生命财产安全的风险。丙酮是工业生产中所需的重要原料,它易燃易挥发,泄露容易造成事故,且会对人体造成健康危害。所以实用高效的丙酮气体传感器是当今的研究热点。目前监测丙酮气体的主要方法有气相色谱法、比色法和半导体传感器法等。其中,气相色谱法具有很高的响应值,且对丙酮气体的选择性也很好,但检测仪器操作复杂且体积较大。比色法操作相对简单,但无法实现连续检测。相比之下,半导体传感器可以实现连续检测,且其体积相对较小,操作简便。但是目前尚存的不足之处是传感器的响应值、响应时间、恢复时间及检测下限这几个重要指标较难兼具 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于晶相改进的CdSnO3纳米半导体敏感材料的丙酮气体传感器,其由外表面带有两条平行、环状且彼此分立的金电极的陶瓷管衬底,涂覆在陶瓷管外表面和金电极上的敏感材料和置于陶瓷管内的镍铬加热线圈组成;其特征在于:敏感材料为晶相改进的CdSnO3纳米半导体敏感材料,其制备步骤如下:(1)首先将0.1925g CdCl2、0.3506g SnCl4·
5H2O溶解在10~20mL水和乙醇的混合溶剂中,水和乙醇的体积比为2:1;然后在磁力搅拌的条件下,依次加入0.21g C6H8O7·
H2O和0.408g氢氧化钠,再加入20~30mL水,搅拌20~40min;(2)将步骤(1)得到的溶液装入水热釜中,在170~200℃下水热反应11~16h;(3)待步骤(2)的反应结束后,将得到的产物用水和乙醇交替地进行离心洗涤2~3次,随后在60~80℃下干燥10~20h,再在700~800℃下煅烧4~8h,得到CdSnO3纳米半导体敏感材料。2.如权利要求1所述的一种基于晶相改进的CdSnO3纳米半导体敏感材料的丙酮气体传感器,其特征在于:Al2O3陶瓷管的内径为0.6~0.8mm,外径为1.0~1.5...
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