一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法。本发明专利技术通过在衬底表面设置零维金属氧化物二极管型异质结结构或一维金属氧化物二极管型异质结结构可以大大提高所述异质结在进行气体检测时，所述异质结与被检测气体的接触面积，并有助于被检测气体在异质结处的扩散和吸附，进而提高其对被检测气体的检测灵敏度和响应恢复速率；且本发明专利技术还提供了所述二极管型异质结气体传感器芯片的制备方法，所述制备方法有助于二极管型异质结气体传感器的可控制备和大规模生产。备和大规模生产。备和大规模生产。

【技术实现步骤摘要】
一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及气体传感器
，尤其涉及一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]气体传感器在环境保护、工业生产和健康医疗等领域均有重要的应用。由于成本低、灵敏度高和制备工艺简单等特点，金属氧化物半导体气体传感器被广泛应用。为进一步提高金属氧化物气体传感器的检测灵敏度以实现超低浓度气体检测，也为了改善该类型传感器选择性方面的不足，现有技术采用多种手段对所述传感器进行改进。其中，构建异质结已经成为该类型传感器改进的主要手段。二极管型异质结气体传感器是异质结传感器的一种，其在改善灵敏度、选择性、响应恢复速率和稳定性等性能方面均有效果。
[0003]但是上述二极管型异质结结构的传感器在灵敏度以及响应恢复等性能上仍需进一步提高和改善。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供了一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法，所述二极管型异质结气体传感器芯片具有较高的检测灵敏度以及较快的响应恢复速率和较好稳定性，所述制备方法有助于二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二极管型异质结气体传感器芯片，其特征在于，包括衬底和金属氧化物二极管型异质结结构；所述衬底包括基底、第一电极和第二电极；所述第一电极和第二电极位于所述基底表面；所述金属氧化物二极管型异质结结构包括零维金属氧化物二极管型异质结结构或一维金属氧化物二极管型异质结结构；所述零维金属氧化物二极管型异质结结构为由第一金属氧化物纤维和第二金属氧化物纤维交叉形成的异质结纳米点；所述第一金属氧化物纤维搭在所述第一电极表面，所述第二金属氧化物纤维搭在第二电极表面；所述一维金属氧化物二极管型异质结结构为由第三金属氧化物纤维和金属氧化物薄膜进行线面接触得到的异质结纳米线；所述第三金属氧化物纤维桥搭于所述第一电极以及所述金属氧化物薄膜的表面；所述金属氧化物薄膜位于所述第二电极表面。2.如权利要求1所述的二极管型异质结气体传感器芯片，其特征在于，所述第一电极包括第一指电极和第一焊盘电极；所述第二电极包括第二指电极和第二焊盘电极；所述第一金属氧化物纤维搭在所述第一指电极表面，且所述第一金属氧化物纤维的长度方向垂直于所述第一指电极的长度方向；所述第二金属氧化物纤维搭在所述第二指电极表面，且所述第二金属氧化物纤维的长度方向垂直于所述第二指电极的长度方向；所述第三金属氧化物纤维搭在所述第一指电极表面，且所述第三金属氧化物纤维的长度方向垂直于所述第一指电极的长度方向。3.如权利要求2所述的二极管型异质结气体传感器芯片，其特征在于，所述第一金属氧化物纤维、第二金属氧化物纤维和所述第三金属氧化物纤维的直径独立为10nm～1μm。4.如权利要求1、2或3所述的二极管型异质结气体传感器芯片，其特征在于，所述零维金属氧化物异质结结构的个数≥1。5.如权利要求1、2或3所述的二极管型异质结气体传感器芯片，其特征在于，所述异质结纳米线的个数≥1。6.如权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：范祥祥，黄淳，陆宇杰，代盼，贺无名，徐亚娟，
申请(专利权)人：湖州师范学院，
类型：发明
国别省市：