【技术实现步骤摘要】
一种超声波传感器及其制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体器件制造领域,尤其涉及一种超声波传感器及其制 造方法。
技术介绍
[0002]超声波飞行时间(ToF)传感器通常被认为是适用于汽车、工业以及无 人机和机器人应用的最佳距离传感器。相比于光学传感器或红外传感器, 它具有诸多优势。它可提供最精确的距离测量,不受目标物体的尺寸或颜 色的影响,也不受环境噪音的干扰,并且可以在阳光直射的环境下使用。 这些优点以及坚固耐用、精确和可靠的特点让超声波传感器广泛应用于工 业及汽车应用。
[0003]超声波传感器是将超声波信号转换成其他能量信号(通常是电信号) 的传感器。其基本原理:利用微型超声波换能器(PMUT)发射超声波脉冲, 然后接收传感器视场中目标物体反射的回波,通过计算超声波飞行时间, 传感器可以确定某一物体相对于该器件的位置,同时触发编程行为。超声 波传感器能够提供精确、低延时的距离测量结果,测量速度高达每秒采样 100次,位置噪音小于1mm,还具有功耗低,视角广,目标物探测能力强等 优点。
[0004]超声波传感器的振动部一侧形成有空腔,另一侧用于接收或发射超声 波,在制作的过程中,通常将带有空腔的基板粘合在振动部的外周,空腔 始终是密封的空腔,振动部上下表面的压力不一致,使振动部受压变形或 破裂,影响超声波传感器的品质和成品率。
[0005]因此,如果改善超声波传感器的制造方法,提高超声波传感器的品质 和成品率是目前面临的问题。
技术实现思路
[0006]本专利技术的目 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超声波传感器的制造方法,其特征在于,包括:提供第一衬底,在所述第一衬底上形成超声波元件,所述超声波元件包括振动部,所述振动部包括从下至上依次叠置的第一电极、压电膜和第二电极;形成接合层,所述接合层围成第一空腔,所述第一空腔暴露出所述超声波元件的振动部;在所述接合层上形成第二衬底,遮盖所述第一空腔;去除所述第一衬底;在所述振动部的外部区域、第二衬底相对的一侧形成通气孔,所述通气孔将所述第一空腔与大气相通;在所述振动部与所述第一空腔相对的一侧形成第三衬底,所述第三衬底设有贯穿第三衬底的开口,所述开口在所述第二衬底表面方向上的投影与所述振动部在所述第二衬底表面方向上的投影设有重叠的部分。2.根据权利要求1所述的超声波传感器的制造方法,其特征在于,所述接合层的材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝或可光刻材料,所述可光刻材料包括干膜。3.根据权利要求2所述的超声波传感器的制造方法,其特征在于,所述接合层的材料为可光刻材料,形成所述第一空腔的方法包括:提供掩膜版,通过所述掩膜版对所述接合层进行曝光、显影,以在所述接合层中形成所述第一空腔。4.根据权利要求1所述的超声波传感器的制造方法,其特征在于,形成所述第三衬底的方法包括:形成所述通气孔后,提供所述第三衬底,将所述第三衬底键合在所述第二衬底的相对侧;图形化所述第三衬底,在所述第三衬底中形成所述开口。5.根据权利要求1所述的超声波传感器的制造方法,其特征在于,所述第三衬底通过键合层键合在所述第二衬底的相对侧。6.根据权利要求1所述的超声波传感器的制造方法,其特征在于,所述键合层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、硅酸乙酯或干膜。7.根据权利要求1所述的超声波传感器的制造方法,其特征在于,在垂直于第二衬底所在平面方向的纵向剖面上,在远离所述第二衬底的方向上,所述开口的纵向剖面上宽下窄。8.根据权利要求7所述的超声波传感器的制造方法,其特征在于,所述开口的纵向剖面的形状为喇叭形,所述开口的侧壁为倾斜的平面、弧面或者台阶形。9.根据权利要求1所述的超声波传感器的制造方法,其特征在于,所述第三衬底遮盖所述通气孔,密封所述第一空腔。10.根据权利要求1所述的超声波传感器的制造方法,其特征在于,形成所述超声波元件之前还包括:在所述第一衬底上形成匹配层,所述匹配层的材料包括二氧化硅、氮化硅、多晶硅或硅的一种或多种组合。11.根据权利要求1所述的超声波传感器的制造方法,其特征在于,形成所述通气孔的方法包括:去除所述第一衬底后,在所述第二衬底相对的一侧、所述振动部的外侧,利用刻蚀工艺或打孔工艺在所述第一空腔上方形成所述通气孔。12.根据权利要求1所述的超声波传感器的制造方法,其特征在于,所述超声波元件还
包括:第一电极引出部,连接于所述第一电极,延伸出所述第一空腔;第二电极引出部,连接于所述第二电极,延伸出所述第一空腔;形成所述超声波元件包括:在所述第一衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员:石虎,刘孟彬,向阳辉,
申请(专利权)人:中芯集成电路宁波有限公司,
类型:发明
国别省市:
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