半导体电感结构制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体电感结构，包括：互感线圈，包括顶层线圈和底层线圈，顶层线圈与底层线圈位于不同的平面，且两者之间形成互感；中间结构，中间结构位于顶层线圈与底层线圈之间，包括，层间导电层和连通结构，连通结构用于电连接层间导电层与顶层线圈、层间导电层与底层线圈。中间结构连接顶层线圈和底层线圈，中间结构包括层间导电层和连通结构，层间导电层与连通结构均为导电结构，两者的磁导率大于空气，因此磁路的磁阻大大减小，使得顶层线圈和底层线圈之间的磁通量增大，则底层线圈和顶层线圈的感抗变大了，当底层线圈和底层线圈所组成的互感线圈感抗变大后，寄生电感对互感线圈的影响变小，因此采集信号受到的干扰也变小。变小。变小。

【技术实现步骤摘要】
半导体电感结构


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及半导体电感结构。

技术介绍

[0002]随着技术的发展，芯片的尺寸也越来越小，由于芯片本身线圈的磁通量比较小，采集信号受环境影响较大，同时，芯片自身也会产生寄生电感，若这些寄生电感与我们采集信号的互感线圈电感相当，则采集信号受到的干扰会非常大。然而在现有技术中，通常增加线圈磁通量的方式就是增加线圈的圈数，而增加圈数的必然会导致芯片面积的增加，一方面与芯片小型化的趋势相悖，另一方面会导致成本的增加。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种半导体电感结构，其具有减少信号采集干扰的效果。
[0004]一种半导体电感结构，包括：
[0005]互感线圈，包括顶层线圈和底层线圈，所述顶层线圈与所述底层线圈位于不同的平面，且两者之间形成互感；
[0006]中间结构，所述中间结构位于所述顶层线圈与所述底层线圈之间，包括，层间导电层和连通结构，所述连通结构用于电连接所述层间导电层与所述顶层线圈、所述层间导电层与所述底层线圈。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电感结构，其特征在于，包括：互感线圈，包括顶层线圈和底层线圈，所述顶层线圈与所述底层线圈位于不同的平面，且两者之间形成互感；中间结构，所述中间结构位于所述顶层线圈与所述底层线圈之间，包括，层间导电层和连通结构，所述连通结构用于电连接所述层间导电层与所述顶层线圈、所述层间导电层与所述底层线圈。2.根据权利要求1所述的半导体电感结构，其特征在于，所述中间结构包括两个以上的层间导电层，所述连通结构用于电连接所述层间导电层与所述顶层线圈、所述层间导电层与相邻所述层间导电层、所述层间导电层与所述底层线圈。3.根据权利要求1所述的半导体电感结构，其特征在于，所述顶层线圈和/或所述底层线圈为器件晶圆上的后段金属层。4.根据权利要求1所述的半导体电感结构，其特征在于，所述底层线圈和/或所述顶层线圈为封装金属线圈...

【专利技术属性】
技术研发人员：何乃龙，张森，赵景川，许杰，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：