一种自驱动同步整流电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种自驱动同步整流电路，涉及电源电路控制技术领域，本电路包括信号输入模块、输入EMI及整流滤波模块、正激变换模块、正激变换控制模块、输出整流滤波模块以及同步整流控制模块；所述信号输入模块接收输入信号后通过输入EMI及整流滤波模块传输给正激变换模块，所述正激变换模块和输出整流滤波模块连接，所述输出整流滤波模块和同步整流控制模块连接并输出信号，所述正激变换控制模块和正激变换模块连接。本电路成本较低，有较高的转换率，线路简单，可靠。可靠。可靠。

【技术实现步骤摘要】
一种自驱动同步整流电路


[0001]本技术涉及电源电路控制
，尤其是涉及一种自驱动同步整流电路。

技术介绍

[0002]随着工业技术的不断发展，作为基础性能源转换的开关电源作也成了各行各业中广泛使用的重要设备，有着极其庞大的市场容量。
[0003]其中开关电源的转换效率的高低直接影响着对电力的利用水平和消耗，因此开关电源的转换效率也成为了国家社会及用户都十分关注的重要指标。
[0004]以欧盟为例，其最新的能效标准要求对外置电源、适配器、充电器类的能效标准在超过49W以上的应用已经提出了不低于89％的通用标准，美国能源部所提出的DOE VI也从各个指标上提出了详细的要求。因此，提高电源的转换效率已成为了开关电源设计当中一个十分重要的课题。
[0005]现有技术中，为了提高开关电源的转换效率，通常是在将输出整流二极管及续流二极管用MOS管代替，通过控制MOS管的通断来代替二极管的正向导通与反向截止，通过MOS的低导通内阻特性以实现效率的提升。MOS管的通断控制目前主要有自驱动及外部驱动两种办法，其中自驱动因为难以克服轻载时效率反而变低的原因，使用上受到限制，所以更多的选用了外部驱动，但外部驱动成本相对较高。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于为了解决上述问题，提出一种可以在负载减轻至续流电感进入DCM模式时，关断续流MOS管，从而避免了环流造成的能量损耗，进而大大的提高了效率的自驱动同步整流电路，为了实现上述目的，本电路采用以下技术方案：一种自驱动同步整流电路，包括信号输入模块、输入EMI及整流滤波模块、正激变换模块、正激变换控制模块、输出整流滤波模块以及同步整流控制模块、信号输出模块；所述信号输入模块接收输入信号后通过输入EMI及整流滤波模块传输给正激变换模块，所述正激变换模块和输出整流滤波模块连接，所述输出整流滤波模块和同步整流控制模块连接并输出信号，所述正激变换控制模块和正激变换模块连接；
[0007]所述信号输入模块包括输入端子AC
‑
L和输入端子AC
‑
N；
[0008]所述输入EMI及整流滤波模块包括分别和输入端子AC
‑
L和输入端子AC
‑
N连接的输入端，以及包括VDC+端和接地端；
[0009]所述正激变换模块包括第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、二极管D3、二极管D4、变压器T1A绕组、以及变压器T1C绕组；
[0010]所述二极管D3的负极和输入EMI及整流滤波模块的VDC+端、第五MOS管Q5的D极，所述二极管D3的正极和变压器T1A绕组的下端、第6MOS管的D极连接，所述第五MOS管的S极和变压器T1A绕组的上端、二极管D4的负极连接，所述二极管D4的负极接地，所述第六MOS管的S极接地，所述第五MOS管的G极和第六MOS管的G极分别和正激变换控制模块连接。
[0011]进一步地，所述正激变换模块为双管正激变换电路。
[0012]进一步地，所述第五MOS管Q5和第六MOS管Q6均为N沟道MOS管，且均分别包括寄生二极管。
[0013]进一步地，输出整流滤波模块包括：第一MOS管Q1、电容C1、电阻R2、电感L1、电容CE1、第三MOS管Q3、续流二极管D2、电容C2、电阻R5；所述第一MOS管Q1的G极和同步整流控制模块连接，所述第一MOS管Q1的S极和同步整流控制模块连接，所述电容C1的一端和同步整流控制模块连接，所述电容C1的另一端和电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端和第一MOS管Q1的D极、第三MOS管Q3的D极连接、续流二极管D2的负极、电容C2的一端以及电感L1的一端连接，所述电感L1的另一端和电容CE1的正极以及和信号输出模块连接，所述第三MOS管Q3的S极以及G极均和同步整流控制模块连接，所述电容C2的另一端和电阻R5的一端连接，所述续流二极管D2的正极、电阻R5的另一端、电容CE1的负极均接地。
[0014]进一步地，包括：变压器绕组T1B和变压器绕组T1D、电阻R1、二极管D1、三极管Q2、电阻R3、电阻R4、电阻R12、三极管Q4、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、比较器U1；
[0015]所述变压器绕组T1B的上端和电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端和第一MOS管Q1的G极连接，所述变压器绕组T1B的下端和第一MOS管Q1的S极、电容C1的一端、变压器绕组T1C的上端连接，所述变压器绕组T1D的上端和变压器绕组T1C的下端连接以及接地，所述变压器绕组T1D的下端和二极管D1的负极、三极管Q2的发射极、电阻R12的一端连接，所述二极管D1的正极和三极管Q2的集电极、以及电阻R3的一端连接，所述三极管Q2的基极和电阻R12的另一端以及电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端和三极管Q4的集电极连接，三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的基极和电阻R6的一端、电阻R7的一端连接，所述电阻R6的另一端接地，所述电阻R7的另一端和比较器U1的1端连接，所述比较器U1的2端接地，所述比较器U1的3端和电阻R9以及电阻R10的一端连接，比较器U1的5端以及电阻R9的另一端和信号输出模块连接，比较器U1的4端和电阻R8的一端以及信号输出模块连接，所述电阻R8的另一端接地。
[0016]进一步地，所述信号输出模块，包括输出端子V0+、输出端子V0
‑
、电阻R11，所述电阻R11的两端分别和输出端子V0+、输出端子V0
‑
连接。
[0017]进一步地，所述比较器U1的2端接地、5端接输出端子的V0+供电，4端为同相输入端、3端为反相输入端。
[0018]进一步地，所述电容CE1为极性电容。
[0019]本技术至少包括以下有益效果：
[0020](1)可以在负载减轻至续流电感进入DCM模式时，关断续流MOS管，避免环流造成的能量损耗，大大的提高了电源的转换效率。
[0021](2)采用自驱动控制，成本较低，电路简单，电路可靠稳定。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本自驱动同步整流电路的电路原理示意图。
具体实施方式
[0024]下面将结合实施例对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]如图1所示，本技术实施例提供的自驱动同步整流电路。目前所普遍采用的自驱动方案虽然在电源满载时效果本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自驱动同步整流电路，其特征在于，包括信号输入模块、输入EMI及整流滤波模块、正激变换模块、正激变换控制模块、输出整流滤波模块以及同步整流控制模块、信号输出模块；所述信号输入模块接收输入信号后通过输入EMI及整流滤波模块传输给正激变换模块，所述正激变换模块和输出整流滤波模块连接，所述输出整流滤波模块和同步整流控制模块连接并输出信号，所述正激变换控制模块和正激变换模块连接；所述信号输入模块包括输入端子AC
‑
L和输入端子AC
‑
N；所述输入EMI及整流滤波模块包括分别和输入端子AC
‑
L和输入端子AC
‑
N连接的输入端，以及包括VDC+端和接地端；所述正激变换模块包括第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、二极管D3、二极管D4、变压器T1A绕组、以及变压器T1C绕组；所述二极管D3的负极和输入EMI及整流滤波模块的VDC+端、第五MOS管Q5的D极，所述二极管D3的正极和变压器T1A绕组的下端、第6MOS管的D极连接，所述第五MOS管的S极和变压器T1A绕组的上端、二极管D4的负极连接，所述二极管D4的负极接地，所述第六MOS管的S极接地，所述第五MOS管的G极和第六MOS管的G极分别和正激变换控制模块连接。2.根据权利要求1所述的一种自驱动同步整流电路，其特征在于，所述正激变换模块为双管正激变换电路。3.根据权利要求1所述的一种自驱动同步整流电路，其特征在于，所述第五MOS管Q5和第六MOS管Q6均为N沟道MOS管，且分别包括寄生二极管。4.根据权利要求1所述的一种自驱动同步整流电路，其特征在于，输出整流滤波模块包括：第一MOS管Q1、电容C1、电阻R2、电感L1、电容CE1、第三MOS管Q3、续流二极管D2、电容C2、电阻R5；所述第一MOS管Q1的G极和同步整流控制模块连接，所述第一MOS管Q1的S极和同步整流控制模块连接，所述电容C1的一端和同步整流控制模块连接，所述电容C1的另一端和电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端和第一MOS管Q1的D极、第三MOS管Q3的D极连接、续流二极管D2的负极、电容C2的一端以及电感L1的一端连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑昊启，张文雷，
申请(专利权)人：恒率科技宁波有限公司，
类型：新型
国别省市：