一种LED芯片的电极制作方法技术

本发明专利技术的一种LED芯片的电极制作方法，制作LED芯片的掩膜层，掩膜层厚度比待制作电极厚度高3μm；对掩膜层进行光刻，基于光刻后的掩膜层以预设蒸镀角度蒸镀待制作电极。因此，通过增加掩膜层厚度，在电极厚度不变的情况下蒸镀电极，能够减小电极的包覆角度；并且在现有技术中为了保证后续的撕金去胶以及在电极上制作线框工艺时有较高的分辨率，通常设置掩膜层厚度比待制作电极的厚度高1

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片的电极制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体电子
，特别涉及一种LED芯片的电极制作方法。

技术介绍

[0002]氮化镓基发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有功能损耗低、寿命长、可靠性好等优点而被广泛应用于信号灯、背光源显示、汽车照明及室内照明等领域。随着大功率高光效LED的普及和应用，LED芯片的驱动电流越来越大，甚至达到1安培以上，驱动电流的加大必然会增加芯片的可靠性要求。
[0003]现有技术中为了提高芯片可靠性，通常会改变电极角度：一种是通过改变掩膜层倒角，来实现电极角度调整，这种方法可在一定范围内调控电极角度，但是掩膜层倒角小于蒸镀入射角时，此方法将失去调控效果；另一种是通过改变蒸发机台蒸发入射角，来实现电极角度调整，这种方法依赖于机台改造，费用昂贵，调控角度有限。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种LED芯片的电极制作方法，能够在提高芯片可靠性的同时，降低成本并提高可控性。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：
[0006]一种LED芯片的电极制作方法，包括步骤：
[0007]制作LED芯片的掩膜层，所述掩膜层的厚度比待制作电极的厚度高3μm；
[0008]对所述掩膜层进行光刻，基于光刻后的掩膜层以预设蒸镀角度蒸镀所述待制作电极。
[0009]本专利技术的有益效果在于：制作LED芯片的掩膜层，掩膜层的厚度比待制作电极的厚度高3μm；对掩膜层进行光刻，基于光刻后的掩膜层以预设蒸镀角度蒸镀待制作电极。因此，通过增加掩膜层厚度，在电极厚度不变的情况下蒸镀电极，能够减小电极的包覆角度；并且在现有技术中为了保证后续的撕金去胶，以及在电极上制作线框工艺时有较高的分辨率，通常设置的掩膜层厚度只比待制作电极的厚度高1
‑
2μm，且不对掩膜层厚度进行调整，相较于现有技术，本专利技术的掩膜层厚度比待制作电极的厚度高3μm，能够在不需要高分辨率、高精度线框工艺的情况下减小电极的包覆角度，从而在提高芯片可靠性的同时，降低电极制作成本并提高电极制作的可控性。
附图说明
[0010]图1为本专利技术实施例的一种LED芯片的电极制作方法的流程图；
[0011]图2为本专利技术实施例的一种LED芯片的电极制作方法的电极蒸镀切面图；
[0012]图3为本专利技术实施例的一种LED芯片的电极制作方法的掩膜层厚度为3.9μm时制得的电极示意图；
[0013]图4为本专利技术实施例的一种LED芯片的电极制作方法的掩膜层厚度为5μm时制得的
电极示意图。
具体实施方式
[0014]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0015]请参照图1，本专利技术实施例提供了一种LED芯片的电极制作方法，包括步骤：
[0016]制作LED芯片的掩膜层，所述掩膜层的厚度比待制作电极的厚度高3μm；
[0017]对所述掩膜层进行光刻，基于光刻后的掩膜层以预设蒸镀角度蒸镀所述待制作电极。
[0018]从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：制作LED芯片的掩膜层，掩膜层的厚度比待制作电极的厚度高3μm；对掩膜层进行光刻，基于光刻后的掩膜层以预设蒸镀角度蒸镀待制作电极。因此，通过增加掩膜层厚度，在电极厚度不变的情况下蒸镀电极，能够减小电极的包覆角度；并且在现有技术中为了保证后续的撕金去胶，以及在电极上制作线框工艺时有较高的分辨率，通常设置的掩膜层厚度只比待制作电极的厚度高1
‑
2μm，且不对掩膜层厚度进行调整，相较于现有技术，本专利技术的掩膜层厚度比待制作电极的厚度高3μm，能够在不需要高分辨率、高精度线框工艺的情况下减小电极的包覆角度，从而在提高芯片可靠性的同时，降低电极制作成本并提高电极制作的可控性。
[0019]进一步地，所述制作LED芯片的掩膜层包括：
[0020]根据光刻胶黏度以及待制作电极的厚度确定旋转光刻胶所需的匀胶转速，所述匀胶转速随着待制作掩膜层的厚度的增加而减少；
[0021]根据所述匀胶转速旋转光刻胶，得到LED芯片的掩膜层。
[0022]由上述描述可知，根据光刻胶黏度以及待制作电极的厚度计算光刻胶旋转的匀胶转速，由于降低匀胶转速能够增加掩膜层的厚度，便于后续使用增厚的掩膜层进行电极制作。
[0023]进一步地，对所述掩膜层进行光刻包括：
[0024]使用预设的曝光能量和预设的后烘温度，对所述掩膜层进行光刻，使得所述掩膜层的两个倒角相等且小于预设蒸镀角度。
[0025]由上述描述可知，使用预设的曝光能量和预设的后烘温度对掩膜层进行光刻，并使得掩膜层的两个倒角相等且掩膜层的两个倒角小于预设蒸镀角度，便于后续进行电极的蒸镀。
[0026]进一步地，所述预设的曝光能量为230～300mj。
[0027]进一步地，所述预设的后烘温度为106～110℃。
[0028]进一步地，所述基于光刻后的掩膜层以预设蒸镀角度蒸镀所述待制作电极包括：
[0029]基于光刻后的掩膜层以预设蒸镀角度进行蒸镀，得到所述待制作电极；
[0030]根据所述预设蒸镀角度θ1、所述待制作电极的厚度h1和所述掩膜层的厚度h2确定所述待制作电极的角度θ2：
[0031]tanθ2＝h1*tanθ1/h2。
[0032]由上述描述可知，设置掩膜层厚度之后，能够结合固定的蒸镀角度、待制作电极的厚度计算出待制作电极的角度，因此能够通过调整掩膜层厚度得到不同电极角度的电极，
使得电极的制作简单、投入成本低且可控性强。
[0033]进一步地，所述基于光刻后的掩膜层以预设蒸镀角度蒸镀所述待制作电极之后包括：
[0034]撕去所述掩膜层上的金属，并去除掩膜层光刻胶。
[0035]由上述描述可知，在完成电极的制作之后，进行撕金去胶，以便于进行后续的LED芯片制作。
[0036]本专利技术的一种LED芯片的电极制作方法，适用于多层电极结构中的电极制作，能够改善电极的包覆角度，上层金属有效包覆下层活泼铝金属，防止铝迁移，从而提高芯片可靠性，以下通过具体的实施方式进行说明：
[0037]实施例一
[0038]请参照图1、图3和图4，一种LED芯片的电极制作方法，包括步骤：
[0039]S1、制作LED芯片的掩膜层，所述掩膜层的厚度至少比待制作电极的厚度高3μm。
[0040]其中，步骤S1具体包括：
[0041]根据光刻胶黏度以及待制作电极的厚度确定旋转光刻胶所需的匀胶转速，所述匀胶转速随着待制作掩膜层的厚度的增加而减少，根据所述匀胶转速旋转光刻胶，得到LED芯片的掩膜层。
[0042]具体的，在本实施例中，使用黏度为85cp的光刻胶制作掩膜层；
[0043]当待制作电极的厚度为2μm时，现有技术中通常设置匀胶转速为4200rpm，得到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的电极制作方法，其特征在于，包括步骤：制作LED芯片的掩膜层，所述掩膜层的厚度比待制作电极的厚度高3μm；对所述掩膜层进行光刻，基于光刻后的掩膜层以预设蒸镀角度蒸镀所述待制作电极。2.根据权利要求1所述的一种LED芯片的电极制作方法，其特征在于，所述制作LED芯片的掩膜层包括：根据光刻胶黏度以及待制作电极的厚度确定旋转光刻胶所需的匀胶转速，所述匀胶转速随着待制作掩膜层的厚度的增加而减少；根据所述匀胶转速旋转光刻胶，得到LED芯片的掩膜层。3.根据权利要求1所述的一种LED芯片的电极制作方法，其特征在于，对所述掩膜层进行光刻包括：使用预设的曝光能量和预设的后烘温度，对所述掩膜层进行光刻，使得所述掩膜层的两个倒角相等且小于预设蒸镀角度。4.根据权利要求3所述的一种LE...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟伟华，李刚，林武，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：