半导体器件的安装结构、电光装置及电子设备制造方法及图纸

一种半导体器件的安装结构，是包含具有电极的半导体器件、和具备相对上述电极导电连接的配线端子的基板的半导体的安装结构，其特征在于：　　　　在上述电极和上述配线端子中一方的宽度被形成得比另一方的宽度小；　　　　被构成为上述电极和上述配线端子中的上述一方陷入上述另一方的表面的状态。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件的安装方法、半导体器件的安装结构、电光装置以及电子设备，以及电光装置的制造方法，特别涉及在基板上直接安装半导体器件的方法以及在基板上的半导体器件的安装结构。
技术介绍
一般地，有被称为倒装片(フリツプチツプ)安装方式等的，把半导体器件直接安装在基板上的方法。该安装方法，在半导体器件(ベアチツプ，裸芯片)上设置电极的同时，在基板上形成配线(布线)端子，不经由引线(ワイヤ)等使电极和配线端子直接导电接触。在该方法中，在半导体器件上，大多形成具有被称为块形(バンプ)电极的突起形状的电极，使该突起状的电极直接与配线端子接触，或者，经由导电膏(ペ一スト)导电薄膜等接触。作为上述的半导体安装结构的一例，例如，在作为电光装置的一种的液晶显示装置中，在液晶面板上连接柔性配线基板(FPC，挠性印制电路)等的配线基板，在该配线基板上，有安装集成了液晶驱动电路等的半导体器件(ベアチツプ，裸芯片)的情况。图10是展示在这样的液晶显示装置中，在配线基板120上安装有半导体器件130时的半导体器件130、被设置在该半导体器件130上的电极131、135，以及被形成在配线基板(布线基板)120上的配线端子121、125的位置关系的透视图。这种情况下，电极131、135被分别以规定的间距排列，配线端子121、125如与电极131、135的形成间距对应那样地被排列形成。半导体器件130通过以各向异性导电膜(Anisotropic ConductiveFilm)介于中间加热加压，被安装在配线基板120上。图11是放大展示该安装结构的细节的放大剖面图。上述的各向异性导电膜133，是使微细的导电粒子(例如，在金属粒子、绝缘粒子的表面上形成导电层)133a分散在由绝缘树脂构成的基材中。以该各向异性导电膜133介于中间在配线基板120上压接(压着)半导体器件130，通过未图示的加压加热头一边加热一边加压。由此，基板暂时软化，如图11所示电极131、135和配线端子121、125成为夹着导电粒子导电接触的状态，其后，通过基材固化(硬化)固定图示的状态，维持该导电连接状态。但是，近年，伴随着电子电路等的复杂化、半导体器件的集成度的提高，端子数越来越增大和端子间隔越来越窄小。例如，在上述的液晶显示装置中，在显示的高清晰化进展的同时，便携用的小型面板因为一般也可以彩色显示，所以显示像素数增大，随之在配线基板的配线端子以及半导体器件的电极数增大的同时，它们的形成间隔越来越窄小化。在这种状况下，因为难以充分确保配线基板120的配线端子121、125以及半导体器件130的电极131、135的宽度、间隔等，所以配线端子和电极的导电接触不良、相邻的配线端子或者电极间的短路不良等增大，存在半导体安装结构的导电接合部的可靠性降低，产品的成品率恶化的问题。
技术实现思路
因而，本技术就是要解决上述问题，其目的在于提供一种即使配线端子以及电极数增大并且间隔的窄小化进展，也可以提高导电接合部的可靠性的新的半导体器件的安装方法、半导体器件的安装结构、电光装置和电子设备，以及电光装置的制造方法。为了解决上述课题，本技术的半导体器件的安装方法，是将具备电极的半导体器件安装在具备配线端子的基板上的安装方法，其特征在于将上述电极和上述配线端子中一方的宽度形成得比另一方的宽度小；将上述半导体器件和上述基板相互加压，使得上述电极和上述配线端子中的上述一方成为陷入上述另一方的表面的状态。另外，本技术的半导体器件的安装方法，是将具备电极的半导体器件安装在具备配线端子的基板上的安装方法，其特征在于将上述电极和上述配线端子中由硬度高的材料构成的一方的宽度形成得比另一方的宽度小；将上述半导体器件和上述基板相互加压。一般地，如果由于半导体器件集成度的增大电极、配线端子的宽度、间隔等减小则容易发生导通不良、短路不良等，但在本技术中，通过将电极和配线端子中一方的宽度形成得比另一方的宽度还小，成为一方陷入另一方的状态，在可以可靠地得到导电接触状态的同时，因为可以增加导电接合部的接触面积所以减低导通不良，另外，通过减小一方的宽度还可以减低短路不良。优选地，上述一方(例如配线端子)的宽度，是在另一方(例如电极)的宽度的10～60％的范围内。如果低于该范围，则绝对的导电接触面积减少难以得到稳定的导电连接。另外，如果高于上述范围，则上述一方难于陷入上述另一方，同时由于陷入上述另一方的形状容易走样，导电接合部的接合结构的重现性、稳定性等降低。在此，在上述电极以及上述配线端子分别设置有多个的情况下，优选地，与上述另一方(例如电极)导电连接的全部的上述一方(例如配线端子)的宽度实质地被形成得相同。通过与另一方(例如电极)导电连接的全部的一方(例如配线端子)的宽度实质地被形成为相同，因为可以降低在各导电接合部中的陷入抵抗的偏差，所以在加压时的不全面接触状态难以发生，因为在全部的电极和配线端子的接合部分上大致加均等的压力，所以可以降低在导电接合部中的陷入状态或者导通状态的偏差，可以提高导电接合部的可靠性。进而，优选地，在上述另一方(例如电极)上形成具有与上述一方(例如配线端子)的宽度大致对应的宽度的凹部，如该凹部与上述一方对应那样地使其接合。由此，对上述另一方上述一方更容易陷入。另外，本技术的另一半导体器件的安装方法，是把具备电极的半导体器件安装在具备配线端子的基板上的安装方法，其特征在于将上述配线端子的宽度形成得比上述电极的宽度小；将上述半导体器件和上述基板相互加压，使得上述配线端子成为陷入上述电极的表面的状态。另外，本技术的另一半导体器件的安装方法，是把具备电极的半导体器件安装在具备配线端子的基板上的安装方法，其特征在于将由比上述电极硬度高的材料构成的上述配线端子的宽度形成得比上述电极的宽度小；将上述半导体器件和上述基板相互加压。一般地，与把微细加工技术作为常用方法制造的半导体器件相比，因为基板上的配线、配线端子通过比较大的尺寸的光刻(フオトリングラフイ)技术、电镀工艺(メツキプロセス)等形成，所以为了防止短路不良等与半导体器件的电极间隔相比必须确保更大的配线间隔，但在本技术中，特别是因为将其配线端子的宽度形成得比电极的宽度还小，所以与和其相反构成的情况(使电极的宽度比配线端子的宽度还小的情况)相比，作为全体可以减少导通不良、短路不良等。这种情况下，优选地，构成为上述配线端子从上述电极的跟前延伸到越过上述电极的位置。配线端子的前端部因为在配线图案的图案形成时容易产生侧向腐蚀(サイドエツチング)，所以在和正规的断面形状的形状差增大的同时该断面形状的偏差大，进而，该前端部的宽度随着接近前端而减小。因而，如上所述因为通过设置成配线端子从电极的跟前延伸到超越电极的位置，可以降低相对电极的导电连接部位的形状的塌边(ダレ)、尺寸的偏差，所以可以提高导电接合部的可靠性。另外，因为通过如以上那样构成，可以增加在配线端子的延伸方向上看的电极和配线端子之间的位置偏离的容许范围(容限)，所以可以降低导通不良。在此，在配线端子的宽度是10～20μm左右的情况下，优选地，从和配线端子的电极重合的区域超越的长度是5～10μm左右。另外，优选地使微小的导电粒子介于上述电极和上述配线端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的安装结构，是包含具有电极的半导体器件、和具备相对上述电极导电连接的配线端子的基板的半导体的安装结构，其特征在于在上述电极和上述配线端子中一方的宽度被形成得比另一方的宽度小；被构成为上述电极和上述配线端子中的上述一方陷入上述另一方的表面的状态。2.根据权利要求1所述的半导体器件的安装结构，其特征在于上述一方的断面形状，是向着上述另一方宽度缩小的形状。3.根据权利要求1或者根据权利要求2所述的半导体器件的安装结构，其特征在于上述一方由比上述另一方硬度高的材料构成。4.根据权利要求1至根据权利要求3的任意一项所述的半导体器件的安装结构，其特征在于上述电极和上述配线端子分别被设置多个，与上述另一方导电连接的全部上述一方的宽度实质地被形成得相同。5.一种半导体器件的安装结构，是包含具备电极的半导体器件、和具备相对上述电极导电连接的配线端子的基板的半导体的安装结构，其特征在于上述配线...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田一幸，芦田刚士，中泽政彦，汤本正则，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：实用新型
国别省市：