一种发光器件制作方法及发光器件技术

本发明专利技术公开了一种发光器件制作方法及发光器件，制作方法包括以下步骤：S1、将LED芯片固定在支架上表面；S2、在所述LED芯片上表面铺设一层第一硅胶层，在所述第一硅胶层上铺设一层光转换层；S3、在所述光转换层四周填充一层光反射层；S4、在所述光转换层上表面和所述光反射层上表面铺设一层第二硅胶层。在LED芯片上铺设第一硅胶层，在光转换层四周填充光反射层，能够提高出光效率和发光效率，且避免金属层表面被氧化或硫化，从而提高产品的良品率。从而提高产品的良品率。从而提高产品的良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光器件制作方法及发光器件


[0001]本专利技术属于发光二极管
，具体涉及一种发光器件制作方法及发光器件。

技术介绍

[0002]现有的发光器件一般包括支架、LED芯片、光转换层及导线。LED芯片固定在支架上，通过导线与支架相连形成通路，光转换层填充于支架内并覆盖LED芯片。这种制作方法存在着以下不足：
[0003]1、光转换层一般由荧光粉加上硅胶混合后覆盖在芯片表面，这种荧光粉与硅胶混合制成的发光器件的色点的一致性较差；
[0004]2、为了增加LED的发光光强，往往需要将金属层表面镀银以增强光线反射，而银层易被空气氧化和硫化，因此使得发光器件存在导电性能差、发光效率低的问题；
[0005]3、发光器件的荧光层面积大，导致光强密度低。

技术实现思路

[0006]为了克服上述技术缺陷，本专利技术提供了一种发光器件制作方法及发光器件，能够提高发光效率且避免金属件被氧化或者硫化。
[0007]为了解决上述问题，本专利技术按以下技术方案予以实现的：
[0008]一种发光器件制作方法，包括以下步骤：
[0009]S1、将LED芯片固定在支架上表面；
[0010]S2、在所述LED芯片上表面铺设一层第一硅胶层，在所述第一硅胶层上铺设一层光转换层；
[0011]S3、在所述光转换层四周填充一层光反射层；
[0012]S4、在所述光转换层上表面和所述光反射层上表面铺设一层第二硅胶层。
[0013]进一步的，在步骤S1中：r/>[0014]第一硅胶层通过非接触式点胶或者喷射方式涂覆在所述LED芯片上表面。
[0015]进一步的，在步骤S2中：
[0016]所述第一硅胶层在所述光转换层的挤压下，形成粘附层和斜坡件，所述粘附层位于所述LED芯片与所述光转换层之间，所述斜坡件围绕在所述光转换层的至少两个相对的侧面。
[0017]此外，本专利技术还公开了一种发光器件，采用上述制作方法制作而得，包括支架、LED芯片、第一硅胶层、光转换层、光反射层与第二硅胶层；
[0018]所述LED芯片固定在所述支架上；
[0019]所述第一硅胶层铺设在所述LED芯片的上表面，所述光转换层铺设在所述第一硅胶层上；
[0020]所述光反射层铺设在所述光转换层四周；
[0021]所述第二硅胶层铺设于所述光转换层上表面与所述光反射层上表面。
[0022]进一步的，所述第一硅胶层包括：粘附层和斜坡件，所述粘附层填充于所述LED芯片和所述光转换层之间，所述斜坡件设在所述光转换层的至少两个相对的侧面。
[0023]进一步的，所述斜坡件为类三角形，其最高点低于所述光转换层的上表面。
[0024]进一步的，所述LED芯片上设有电极，所述光转换层覆盖除所述电极所在区域外的所述LED芯片的部分上表面，或所述光转换层覆盖除所述电极所在区域外的所述LED芯片的整个上表面。
[0025]进一步的，所述光转换层设有一对向内凹陷的内槽，所述内槽位于导线与所述LED芯片连接处。
[0026]进一步的，所述光反射层铺设在所述光转换层四周，铺设于所述支架上、所述斜坡件及所述LED芯片上未被所述光转换层覆盖的部分。
[0027]进一步的，所述光转换层为荧光膜或荧光片。
[0028]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0029]在LED芯片上铺设第一硅胶层，在光转换层四周填充光反射层，能够提高出光效率和发光效率，且避免金属层表面被氧化或硫化，从而提高产品的良品率。
附图说明
[0030]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明，其中：
[0031]图1为实施例1所述的发光器件制作方法步骤S2的示意图；
[0032]图2为实施例2所述的发光器件的剖面结构图一；
[0033]图3为实施例2所述的发光器件的剖面结构图二；
[0034]图4为实施例2所述的发光器件的内槽与外部连通的示意图；
[0035]图5为实施例2所述的发光器件的内槽封闭的示意图。
[0036]标记说明：1、支架；2、LED芯片；3、第一硅胶层；31、粘附层；32、斜坡件；4、光转换层；41、内槽；5、光反射层；6、第二硅胶层；7、导线。
具体实施方式
[0037]以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0038]实施例1
[0039]本实施例公开了一种发光器件制作方法，包括以下步骤：
[0040]S1、将LED芯片2固定在支架1上表面，LED芯片2通过导线7与支架2实现电连接；
[0041]S2、如图1，在LED芯片2上表面铺设一层第一硅胶层3，在第一硅胶层3上铺设荧光膜或荧光片，形成一层光转换层4；
[0042]S3、在光转换层4四周填充一层光反射层5；
[0043]S4、在光转换层4上表面和光反射层5上表面铺设一层第二硅胶层6。
[0044]具体的，在步骤S1中：
[0045]第一硅胶层3通过非接触式点胶或者喷射方式涂覆在LED芯片2上表面。
[0046]具体的，在步骤S2中：
[0047]第一硅胶层3在光转换层4的挤压下，形成粘附层31和斜坡件32，粘附层31位于LED
芯片2与光转换层4之间，斜坡件32位于LED芯片2的上表面和光转换层4的至少两个相对的侧面。
[0048]具体的，在步骤S3中：
[0049]光反射层5铺设在光转换层4的四周，覆盖支架1上表面和LED芯片2未被光转换层4覆盖的上表面部分。
[0050]实施例2
[0051]如图2，本实施例公开了一种发光器件，采用实施例1所述的发光器件制作方法制作而得，包括支架1、LED芯片2、第一硅胶层3、光转换层4、光反射层5与第二硅胶层6、导线7。
[0052]LED芯片2固定在支架1上；第一硅胶层3铺设在LED芯片2的上表面，光转换层4铺设在第一硅胶层3上；光反射层5铺设在光转换层4四周；第二硅胶层6铺设于光转换层4上表面与光反射层5上表面。
[0053]LED芯片的个数根据需求可设置一个或以上，光转换层根据需要可铺设一层或以上。
[0054]如图3，具体的，第一硅胶层3包括粘附层31和斜坡件32，粘附层31填充于LED芯片2和光转换层4之间，斜坡件32位于LED芯片2的上表面和光转换层4的至少两个相对的侧面，斜坡件32可以使得LED芯片2发出的光更多地进入光转换层4，使得LED芯片出光更多，提高出光效率，提升发光器件亮度。
[0055]具体的，斜坡件32为类三角形，其最高点低于光转换层4的上表面。
[0056]具体的，光反射层5铺设在光转换层4四周，铺设于支架1上表面、斜坡件32及LED芯片2上未被光转换层覆盖的部分，提高光发射率，提升器件发光效率，同时相当本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将LED芯片固定在支架上表面；S2、在所述LED芯片上表面铺设一层第一硅胶层，在所述第一硅胶层上铺设一层光转换层；S3、在所述光转换层四周填充一层光反射层；S4、在所述光转换层上表面和所述光反射层上表面铺设一层第二硅胶层。2.根据权利要求1所述的发光器件制作方法，其特征在于，在步骤S1中：第一硅胶层通过非接触式点胶或者喷射方式涂覆在所述LED芯片上表面。3.根据权利要求1所述的发光器件制作方法，其特征在于，在步骤S2中：所述第一硅胶层在所述光转换层的挤压下，形成粘附层和斜坡件，所述粘附层位于所述LED芯片与所述光转换层之间，所述斜坡件围绕在所述光转换层的至少两个相对的侧面。4.一种发光器件，其特征在于，采用如权利要求1
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3任一项所述的制作方法制作而得，包括支架、LED芯片、第一硅胶层、光转换层、光反射层与第二硅胶层；所述LED芯片固定在所述支架上；所述第一硅胶层铺设在所述LED芯片的上表面，所述光转换层铺设在所述第一硅胶层上；所述光反射层铺...

【专利技术属性】
技术研发人员：万垂铭，徐波，朱文敏，林仕强，温绍飞，曾照明，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：