一种射频芯片屏蔽装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种射频芯片屏蔽装置及其制作方法，射频芯片屏蔽装置包括衬底晶圆、以及设置在衬底晶圆上的至少两个射频芯片、至少两个屏蔽盒和微同轴传输线；至少两个射频芯片之间通过微同轴传输线互连，至少两个射频芯片与至少两个屏蔽盒一一对应，每个屏蔽盒均罩设在对应的射频芯片和部分微同轴传输线外，且屏蔽盒上设有用于供微同轴传输线穿过的通孔；微同轴传输线包括同轴布置的内导体和外导体，外导体为内部中空的矩形线，内导体为实心的矩形线，内导体设置在外导体中，且内导体与外导体之间绝缘，外导体的形状和尺寸与通孔的形状和尺寸相匹配。采用该射频芯片屏蔽装置可以减少传输线在进出屏蔽盒时所发生的电磁泄漏的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种射频芯片屏蔽装置及其制作方法


[0001]本专利技术涉及射频传输
，尤其涉及一种射频芯片屏蔽装置及其制作方法。

技术介绍

[0002]无线通信技术的飞速发展和高速电路的广泛应用，使得电磁环境越来越复杂。几乎所有的电子设备都不可避免处于周围电磁场的潜在影响之中。因此，电磁干扰的防护问题受到广泛的关注。
[0003]电磁屏蔽是抑制电磁干扰的最基本方法之一。目前通常是通过在射频系统的芯片和器件外增加屏蔽罩，以抑制电磁干扰。射频系统中不同芯片或器件之间通过如微带、共面波导等平面传输线实现互连，因此，屏蔽罩上通常还需要设置开孔供这些平面传输线通过，使其符合半开放场的工作条件。
[0004]然而，为了防止短路，这些平面传输线通过开孔进出屏蔽罩时，与开孔之间会存在间隙，间隙处容易产生电磁泄漏，且当工作波长越来越短时，电磁泄漏会越来越严重，造成芯片性能的显著退化，使得屏蔽罩无法起到较好的电磁屏蔽效果。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种射频芯片屏蔽装置及其制作方法。
[0006]第一方面，提供了一种射频芯片屏蔽装置，所述射频芯片屏蔽装置包括衬底晶圆、以及设置在所述衬底晶圆上的至少两个射频芯片、至少两个屏蔽盒和微同轴传输线；
[0007]所述至少两个射频芯片之间通过所述微同轴传输线互连，所述至少两个射频芯片与所述至少两个屏蔽盒一一对应，每个所述屏蔽盒均罩设在对应的所述射频芯片和部分所述微同轴传输线外，且所述屏蔽盒上设有用于供所述微同轴传输线穿过的通孔；
[0008]所述微同轴传输线包括同轴布置的内导体和外导体，所述外导体为内部中空的矩形线，所述内导体为实心的矩形线，所述内导体设置在所述外导体中，且所述内导体与所述外导体之间绝缘，所述外导体的形状和尺寸与所述通孔的形状和尺寸相匹配。
[0009]可选的，所述内导体的上表面至所述外导体的顶部之间的距离与所述内导体的下表面至所述外导体的底部之间的距离相等。
[0010]可选的，所述内导体的外侧壁至所述外导体的内侧壁之间的距离大于30um。
[0011]可选的，所述内导体和所述外导体均为铜导体。
[0012]可选的，所述微同轴传输线还包括用于支撑所述内导体的支撑件，所述支撑件位于所述外导体内。
[0013]可选的，所述支撑件包括多个支撑条，所述多个支撑条沿所述外导体的轴向间隔布置，且每个所述支撑条的两端均嵌设在所述外导体的两个相对的内壁上，所述内导体设置在所述多个支撑条上。
[0014]可选的，所述支撑件包括多个支撑块，所述多个支撑块沿所述外导体的轴向间隔
布置，每个所述支撑块均位于所述外导体的底层上且与所述外导体的侧壁间隔布置，所述内导体设置在所述多个支撑块上。
[0015]可选的，所述射频芯片屏蔽装置还包括连接件，所述内导体通过所述连接件与所述射频芯片电连接，所述连接件为锡球、铜柱或含锡合金件。
[0016]可选的，所述屏蔽盒由金属盖板和多个屏蔽侧板组成，所述金属盖板、所述屏蔽侧板与所述衬底晶圆之间形成屏蔽腔，所述射频芯片位于所述屏蔽腔内，且所述射频芯片与所述屏蔽盒间隔设置。
[0017]第二方面，提供了一种射频芯片屏蔽装置的制作方法，用于制作如第一方面所述的射频芯片屏蔽装置，所述制作方法包括：
[0018]在衬底晶圆上设置至少两个射频芯片；
[0019]在所述衬底晶圆上形成微同轴传输线，使所述至少两个射频芯片之间通过所述微同轴传输线互连；
[0020]在所述衬底晶圆上形成至少两个屏蔽盒，所述至少两个射频芯片与所述至少两个屏蔽盒一一对应，每个所述屏蔽盒均罩设在对应的所述射频芯片和部分所述微同轴传输线外，且所述屏蔽盒上设有用于供所述微同轴传输线穿过的通孔；
[0021]其中，所述微同轴传输线包括同轴布置的内导体和外导体，所述外导体为内部中空的矩形线，所述内导体为实心的矩形线，所述内导体设置在所述外导体中，且所述内导体与所述外导体之间绝缘，所述外导体的形状和尺寸与所述通孔的形状和尺寸相匹配。
[0022]本专利技术实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0023]本专利技术实施例提供的一种射频芯片屏蔽装置及其制作方法，通过在每个射频芯片外均罩设一个屏蔽盒，为每个射频芯片均提供一个单一的电磁屏蔽环境，实现各射频芯片间、以及射频芯片与其他模块间的电磁屏蔽。同时，采用微同轴传输线实现射频芯片之间的互连。微同轴传输线包括内导体和外导体，内导体与外导体之间绝缘。一方面，外导体具有屏蔽作用，可以对内导体产生的电磁场和外部产生的电磁场进行隔离，防止信号间相互干扰。另一方面，外导体的形状和尺寸与所述通孔的形状和尺寸相匹配，因此，微同轴传输线通过通孔进出屏蔽罩时，与通孔之间可以紧密配合，不会造成短路，同时还可以减少传输线在进出屏蔽盒时所发生的电磁泄漏的问题，最终使得射频芯片间的电磁屏蔽效果更好。
[0024]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。
附图说明
[0025]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0026]图1是本专利技术实施例提供的一种射频芯片屏蔽装置的结构示意图；
[0027]图2是本专利技术实施例提供的一种微同轴传输线的截面示意图；
[0028]图3是本专利技术实施例提供的另一种微同轴传输线的截面示意图；
[0029]图4是本专利技术实施例提供的一种屏蔽盒的结构示意图；
[0030]图5是本专利技术实施例提供的一种射频芯片屏蔽装置的制作方法流程图。
具体实施方式
[0031]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。
[0032]在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
[0033]在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。在本公开的上下文中，相似或者相同的部件可能会用相同或者相似的标号来表示。
[0034]为了更好的理解上述技术方案，下面将结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频芯片屏蔽装置，其特征在于，所述射频芯片屏蔽装置包括衬底晶圆、以及设置在所述衬底晶圆上的至少两个射频芯片、至少两个屏蔽盒和微同轴传输线；所述至少两个射频芯片之间通过所述微同轴传输线互连，所述至少两个射频芯片与所述至少两个屏蔽盒一一对应，每个所述屏蔽盒均罩设在对应的所述射频芯片和部分所述微同轴传输线外，且所述屏蔽盒上设有用于供所述微同轴传输线穿过的通孔；所述微同轴传输线包括同轴布置的内导体和外导体，所述外导体为内部中空的矩形线，所述内导体为实心的矩形线，所述内导体设置在所述外导体中，且所述内导体与所述外导体之间绝缘，所述外导体的形状和尺寸与所述通孔的形状和尺寸相匹配。2.根据权利要求1所述的射频芯片屏蔽装置，其特征在于，所述内导体的上表面至所述外导体的顶部之间的距离与所述内导体的下表面至所述外导体的底部之间的距离相等。3.根据权利要求2所述的射频芯片屏蔽装置，其特征在于，所述内导体的外侧壁至所述外导体的内侧壁之间的距离大于30um。4.根据权利要求1所述的射频芯片屏蔽装置，其特征在于，所述内导体和所述外导体均为铜导体。5.根据权利要求1至4任一项所述的射频芯片屏蔽装置，其特征在于，所述微同轴传输线还包括用于支撑所述内导体的支撑件，所述支撑件位于所述外导体内。6.根据权利要求5所述的射频芯片屏蔽装置，其特征在于，所述支撑件包括多个支撑条，所述多个支撑条沿所述外导体的轴向间隔布置，且每个所述支撑条的两端均嵌设在所述外导体的两个相对的内壁上，所述内导体设置在所述多个支撑条上。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：于新元，裘进，王志良，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：