含钛活性钎料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了含钛活性钎料及其制备方法和应用，解决了含钛活性钎料易氧化、难加工难题。本发明专利技术以氢化钛作为钛源，采用真空加压烧结将其他金属和氢化钛混合粉烧结成块体，再将块体轧制成箔带、拉拔成丝材或冲压成不同形状片材。本发明专利技术技术新颖，可制备高质量含钛活性钎料，满足半导体封装需求。用该钎料封装的半导体器件在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域有广阔应用前景。汽车与新能源装备等领域有广阔应用前景。汽车与新能源装备等领域有广阔应用前景。

【技术实现步骤摘要】
含钛活性钎料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及含钛活性钎料及其制备方法和应用，属于半导体封装用活性钎料领域。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的快速发展，功率器件朝着高频率、高功率、高效率、高可靠以及小型化的方向发展。散热成为功率器件高性能、小型化的关键核心问题。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是最重要功率器件之一。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT采用陶瓷覆铜基板散热，散热能力直接影响IGBT器件的性能。
[0003]高热导率陶瓷与金属（无氧铜）通过活性金属钎焊技术（Active Metal Brazing, AMB）连接。在银基钎料中添加活性元素Ti，Ti与陶瓷侧氧、氮等元素反应，实现陶瓷与金属连接。通过活性金属钎焊技术连接的陶瓷覆铜基板因结合强度高、散热性能好等优点备受关注，应用前景极为广阔。
[0004]Ti化学性质非常活泼，极易氧化，且易于与银、铜反应生成脆性金属间化合物，导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.含钛活性钎料制备方法，其特征在于：以氢化钛作为钛源，采用真空加压烧结将其他金属和氢化钛的混合粉体烧结成块体，再将块体轧制成箔带、拉拔成丝材或冲压成不同形状片材；所述其他金属选自金、锂、铝、铜、银、锡、铟、锌、镍、铬、镓、锆、钯、镧、铈中的一种或两种或多种。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：氢化钛粉体平均粒径为0.1
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘绍宏，刘海瑞，
申请(专利权)人：东北大学，
类型：发明
国别省市：