【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有低功耗或数字信号输出性能的新型敏感元件,其结构由N型区、P型区、上电极和下电极四层结构构成,其特征是:N型区(1)由掺磷的N型高阻硅单晶作为衬底,P型区(2)以铝和硼作掺杂源经扩散而形成,并从N面扩散金或铂,且扩透整个P型区(2),上电极(3)和下电极(4)可采用镍、铝,或金用以形成欧姆接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:孙英达,付云鹏,
申请(专利权)人:孙英达,付云鹏,
类型:实用新型
国别省市:93[中国|哈尔滨]
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