太阳能电池及光伏组件制造技术

本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，该太阳能电池包括硅衬底，硅衬底包括相对设置的正面和背面；位于硅衬底背面并呈交替排列的P型导电区域和N型导电区域；位于硅衬底正面并呈间隔排列的正面场区域，正面场区域与P型导电区域或N型导电区域一一对应；位于硅衬底正面的正面钝化层；以及位于P型导电区域和N型导电区域表面的背面钝化层，正面场区域在硅衬底正面呈间隔排列，既降低了正面场区域自身的复合，又降低了正面场区域对正面钝化层的化学钝化效果的影响，配合正面钝化层可以提高硅衬底正面的钝化效果，提高了太阳能电池的转换效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及光伏组件


[0001]本专利技术涉及太阳能光伏组件
，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]IBC(Interdigitated back contact)电池，指状交叉背接触电池，也即背接触型太阳能电池，其发射极和金属接触部都位于电池背面，从结构上打破传统晶体硅电池的结构限制，具有更高的短路电路Jsc，不仅为电池转换效率提供较大空间，而且看上去美观、更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。
[0003]由于发射极和金属接触部都位于电池背面，光生载流子的产生主要在电池正面(即受光面)产生，载流子需要穿过整个硅片的厚度达到电池背面才能被收集。现有的IBC电池一般在电池正面通过沉积形成钝化层，以提高电池正面的钝化效果。但是，钝化层用于提高电池正面的钝化效果的作用有限，仍存在大量载流子在达到电池背面之前就被复合，电池正面的钝化效果不佳，降低了电池的转换效率。

技术实现思路

[0004]本申请为了克服上述缺陷，提供了一种太阳能电池及光伏组件，有利于提高电池正本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅衬底，所述硅衬底包括相对设置的正面和背面；位于所述硅衬底背面并呈交替排列的P型导电区域和N型导电区域；位于所述硅衬底正面并呈间隔排列的正面场区域，所述正面场区域与所述P型导电区域或所述N型导电区域一一对应；位于所述硅衬底正面的正面钝化层；以及位于所述P型导电区域和N型导电区域表面的背面钝化层。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅衬底为N型衬底，所述正面场区域与所述N型导电区域一一对应，且所述N型导电区域沿垂直于所述硅衬底正面上的投影处于所述正面场区域沿垂直于所述硅衬底正面上的投影面。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述P型导电区域的至少部分沿垂直于所述硅衬底正面上的投影处于所述正面场区域沿垂直于所述硅衬底正面上的投影面。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅衬底为P型衬底，所述正面场区域与所述P型导电区域一一对应，且所述P型导电区域沿垂直于所述硅衬底正面上的投影处于所述正面场区域沿垂直于所述硅衬底正面上的投影面。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐孟雷，杨洁，张昕宇，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：