双面电路基板、显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种双面电路基板、显示面板及其制备方法。双面电路基板的制备方法包括：提供基底；于基底上形成背面电路；形成第一正面有机材料层，第一正面有机材料层覆盖背面电路；形成侧边电路，侧边电路位于第一正面有机材料层的边缘部分，侧边电路贯穿第一正面有机材料层且与背面电路相连接；于第一正面有机材料层的表面形成正面电路，正面电路通过侧边电路与背面电路相连接；于正面电路表面形成第二正面有机材料层，第二正面有机材料层暴露出部分正面电路。上述双面电路基板的制备方法，实现了正面电路和背面电路之间的稳定连接，且无需在基板中打孔，有效解决了玻璃基板打孔易破碎的问题。碎的问题。碎的问题。

【技术实现步骤摘要】
双面电路基板、显示面板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电路基板制造领域，尤其涉及一种双面电路基板、显示面板及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前，为了导通双面电路基板两侧的电路，传统的方案是在基板外侧制作侧边电路或者在基板内部打孔连接。但是，在基板外制作侧边电路的工艺难度大，且易发生电路损伤和断路。而在基板内部打孔连接正面电路与背面电路的方案中，随着pixel pitch(像素间距)的减小，打孔会越来越多，孔径会越来越小，导致基板极易破碎。
[0003]因此，如何实现双面电路基板中正面电路和背面电路之间的有效且稳定的电连接，是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种双面电路基板及其制备方法，旨在解决双面电路基板中正面电路和背面电路之间的如何稳定连接的问题。
[0005]一种双面电路基板的制备方法，该方法包括：提供基底；于所述基底上形成背面电路；形成第一正面有机材料层，所述第一正面有机材料层覆盖所述背面电路；形成侧边电路，所述侧边电路位于所述第一正面有机材料层的边缘部分，所述侧边电路贯穿所述第一正面有机材料层且与所述背面电路相连接；于所述第一正面有机材料层的表面形成正面电路，所述正面电路通过所述侧边电路与所述背面电路相连接；于所述正面电路表面形成第二正面有机材料层，所述第二正面有机材料层暴露出部分所述正面电路。
[0006]上述双面电路基板的制备方法，通过在正面电路和背面电路之间的有机材料层内制备侧边电路，解决了正面电路和背面电路的连接问题，并且，有机材料层可以实现对侧边电路的有效保护，防止其断裂，实现了正面电路和背面电路之间的稳定连接。上述双面电路基板的制备方法，无需在基板中打孔，有效解决了玻璃基板打孔易破碎的问题。
[0007]可选地，于所述基底上形成背面电路的步骤包括：于所述基底上形成背面金属线路层；于所述背面金属线路层表面形成第一图形化光阻层；基于所述第一图形化光阻层刻蚀所述背面金属线路层，以形成所述背面电路。
[0008]可选地，形成侧边电路的步骤包括：于所述第一正面有机材料层的表面形成第二图形化光阻层；基于所述第二图形化光阻对所述第一正面有机材料层进行刻蚀，以于所述第一正面有机材料层的边缘部分形成若干通孔，所述通孔暴露出部分所述背面电路；去除所述第二图形化光阻层，于所述通孔中填充金属材料，形成所述侧边电路。
[0009]通过采用光刻工艺在有机材料层中制作侧边电路，不但可以避免在基板中打孔，解决基板打孔后易破碎的问题，还可以使得侧边电路的线路宽度更加微小化，解决了基板无法小间距打孔的问题，可以实现侧边电路的大量制作。
[0010]可选地，于所述第一正面有机材料层的表面形成正面电路的步骤包括：于所述第
一正面有机材料层的表面形成正面金属线路层；于所述正面金属线路层表面形成第三图形化光阻层；基于所述第三图形化光阻层刻蚀所述正面金属线路层，以形成所述正面电路。
[0011]基于同样的专利技术构思，本申请还公开了一种显示面板的制备方法，包括：采用上述任一实施例中所述的双面电路基板的制备方法制备双面电路基板；提供芯片载板，所述芯片载板表面设置有若干个间隔排布的芯片；所述芯片包括芯片电极；于所述芯片电极的表面形成键合层；以所述第二正面有机材料层暴露出的部分所述正面电路作为第一键合焊盘，通过所述键合层将所述芯片电极与所述第一键合焊盘进行键合。
[0012]上述显示面板的制备方法，在对芯片进行封装和转移的过程中，黑胶层仅覆盖芯片侧面，而不覆盖芯片的发光面和芯片电极的表面，有效解决了黑胶封装影响穿透率的问题；同时，由于黑胶层可以对多个芯片进行封装，因此可以一次性地转移更多的芯片，提高了芯片转移效率。
[0013]可选地，于所述芯片电极的表面形成键合层，包括：于芯片载板上形成黑胶层，所述黑胶层将所述芯片封装，且所述黑胶层的表面与所述芯片电极的表面相齐平；于所述黑胶层表面设置钢网，所述钢网包括若干孔道，所述孔道暴露出所述芯片电极的表面；于所述孔道中形成所述键合层，所述键合层的顶部与所述钢网的顶部相齐平。
[0014]可选地，所述基底与所述背面电路之间还包括背面有机材料层；所述通过所述键合层将所述芯片电极与所述第一键合焊盘进行键合之后，还包括：去除所述基底；去除部分所述背面有机材料层，以暴露出部分所述背面电路，得到第二键合焊盘，所述第二键合焊盘用于连接外部控制系统。
[0015]上述显示面板的制备方法，通过去除基底，实现了无柔性基底的双面电路柔性封装制作。
[0016]可选地，显示面板的制备方法还包括：去除所述芯片载板，暴露出所述黑胶层的表面和所述芯片远离所述芯片电极的表面；于所述黑胶层的表面和所述芯片远离所述芯片电极的表面形成透明封装层。
[0017]通过在黑胶层和芯片的表面形成透明封装层，可以提高穿透率，同时提高双面电路基板的强度。
[0018]基于同样的专利技术构思，本申请还公开了一种双面电路基板，包括：依次叠置的正面电路、第一正面有机材料层和背面电路，其中，所述第一正面有机材料层的边缘设置有若干侧边电路，所述侧边电路与所述正面电路和所述背面电路相连接；第二正面有机材料层，位于所述正面电路远离所述背面电路的一侧，所述第二正面有机材料层暴露出部分所述正面电路；背面有机材料层，位于所述背面电路远离所述正面电路的一侧，所述背面有机材料层暴露出部分所述背面电路。
[0019]基于同样的专利技术构思，本申请还公开了一种显示面板，包括：上述实施例中的双面电路基板，其中，所述第二正面有机材料层暴露出的部分所述正面电路为第一键合焊盘；若干芯片，所述芯片包括芯片电极，所述芯片电极与所述第一键合焊盘的位置相对应；所述芯片电极的表面设置有键合层，所述芯片电极通过所述键合层键合至所述第一键合焊盘；黑胶层，位于所述第二正面有机材料层表面，所述黑胶层的表面与所述芯片的表面相齐平；透明封装层，覆盖所述黑胶层和所述芯片。
附图说明
[0020]图1为本申请一实施例中双面电路基板的制备方法流程框图。
[0021]图2为本申请一实施例中提供的基底以及于基底上形成背面光阻层和背面有机材料层后得到的半导体结构的截面示意图。
[0022]图3为本申请一实施例中形成背面金属线路层后得到的半导体结构的截面示意图。
[0023]图4至图6为本申请一实施例中形成背面电路的工艺流程示意图。
[0024]图7为本申请一实施例中形成第一正面有机材料层后得到的半导体结构的截面示意图。
[0025]图8至图10为本申请一实施例中形成侧边电路的工艺流程示意图。
[0026]图11为本申请一实施例中形成正面金属线路层后得到的半导体结构的截面示意图。
[0027]图12为本申请一实施例中形成正面电路后得到的半导体结构的截面示意图。
[0028]图13为本申请一实施例中形成第二正面有机材料层后得到的半导体结构的截面示意图。
[0029]图14本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面电路基板的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；于所述基底上形成背面电路；形成第一正面有机材料层，所述第一正面有机材料层覆盖所述背面电路；形成侧边电路，所述侧边电路位于所述第一正面有机材料层的边缘部分，所述侧边电路贯穿所述第一正面有机材料层且与所述背面电路相连接；于所述第一正面有机材料层的表面形成正面电路，所述正面电路通过所述侧边电路与所述背面电路相连接；于所述正面电路的表面形成第二正面有机材料层，所述第二正面有机材料层暴露出部分所述正面电路。2.如权利要求1所述的双面电路基板的制备方法，其特征在于，所述于所述基底上形成背面电路，包括：于所述基底上形成背面金属线路层；于所述背面金属线路层的表面形成第一图形化光阻层；基于所述第一图形化光阻层刻蚀所述背面金属线路层，以形成所述背面电路。3.如权利要求1所述的双面电路基板的制备方法，其特征在于，所述形成侧边电路，包括：于所述第一正面有机材料层的表面形成第二图形化光阻层；基于所述第二图形化光阻对所述第一正面有机材料层进行刻蚀，以于所述第一正面有机材料层的边缘部分形成若干通孔，所述通孔暴露出部分所述背面电路；去除所述第二图形化光阻层，于所述通孔中填充金属材料，形成所述侧边电路。4.如权利要求1所述的双面电路基板的制备方法，其特征在于，所述于所述第一正面有机材料层的表面形成正面电路，包括：于所述第一正面有机材料层的表面形成正面金属线路层；于所述正面金属线路层的表面形成第三图形化光阻层；基于所述第三图形化光阻层刻蚀所述正面金属线路层，以形成所述正面电路。5.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：采用权利要求1
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4任一项所述的双面电路基板的制备方法制备双面电路基板；提供芯片载板，所述芯片载板表面设置有若干个间隔排布的芯片；所述芯片包括芯片电极；于所述芯片电极的表面形成键合层；以所述第二正面有机材料层暴露出的部分所述正面电路作为第一键合焊盘，通过所述键合层将所述芯片电极与所述第一键合焊盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：周杨，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：