带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带有正面钝化Ｎ型扩散层的Ｎ型硅太阳能电池，以Ｎ型直拉单晶硅片（ＣＺ）为基体，其特征是：Ｎ型直拉单晶硅片的正面带有正面钝化Ｎ型扩散层，扩散层上设有随机正金字塔绒面结构层，随机正金字塔绒面结构层上附设丝网印刷的金属电极；Ｎ型直拉单晶硅片的的背面设有硼扩散制备的Ｐ型发射结层，在Ｐ型发射结层上附设丝网印刷的金属电极。本实用新型专利技术太阳能电池，结构合理，制作工艺简单。由于带有正面Ｎ型钝化扩散层，可以极小的附加成本达到更高的光电转化效率。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种太阳能电池，具体说是一种带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池。
技术介绍
目前国际上通行的是在P型硅片上以丝网印刷方法制造的硅太阳能电池。这种电池得到认可的最高光电转换率在16％左右。在此基础上进一步提高性价比的空间非常有限。并且，近年来人们发现常规太阳能电池用的P型硅切克劳斯直拉单晶(CZ)材料的少数载流子寿命会在光照下衰退。因而尝试着寻找其他性能更好的材料，如超磁直拉单晶(MCZ)、掺镓直拉单晶等等，但这样会提高太阳能电池的成本。目前现有的N型硅太阳能电池是美国SunPower公司生产的N型背面点接触太阳能电池。其结构是电极、接触金属全部在电池背面，为实现金属与背面10微米的细小扩散区点阵的互联，又要防止背面金属之间短路，因此要做多次光刻、氧化和扩散，结构相当复杂，制作难度大，成本高。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于弥补现有技术存在的缺陷，提供一种提供一种结构合理，制作工艺简单，成本较低，光电转化率高的带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池。本技术带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池，以N型直拉单晶硅片(CZ)为基体，其特征是N型直拉单晶硅片的正面带有正面钝化N型扩散层，扩散层上设有随机正金字塔绒面结构层，随机正金字塔绒面结构层上附设丝网印刷的金属电极；N型直拉单晶硅片的的背面设有硼扩散制备的P型发射结层，在P型发射结层上附设丝网印刷的金属电极。本技术带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池，结构合理，制作工艺简单。由于带有正面N型钝化扩散层，可以极小的附加成本达到更高的光电转化效率。附图说明图1为本技术带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池结构(放大)局部示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例，对本技术作进一步详细说明。实施例如图1所示，本技术带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池，以N型直拉单晶硅片(CZ)为基体1，N型直拉单晶硅片的正面带有正面钝化N型扩散层2，扩散层上设有随机正金字塔绒面结构层3，随机正金字塔绒面结构层上附设丝网印刷的金属电极4；N型直拉单晶硅片的的背面设有硼扩散制备的P型发射结层5，在P型发射结层上附设丝网印刷的金属电极4。本技术带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池是按下述方法制备的将N型硅片进行前道化学预处理，正面N型钝化扩散处理，腐蚀随机正金字塔绒面结构层；在N型硅片背面硼扩散制备背面的P型发射结，生长氧化层；N型硅片正面PECVD淀积氧化层，丝网印刷正面、背面金属电极；烧结金属即电极金属化。从而得到本技术带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有正面钝化Ｎ型扩散层的Ｎ型硅太阳能电池，以Ｎ型直拉单晶硅片（ＣＺ）为基体（１），其特征是：Ｎ型直拉单晶硅片的正面带有正面钝化Ｎ型扩散层（２），扩散层上设有随机正金字塔绒面结构层（３），随机正金字塔绒面结构层上附设丝网印刷的金属电极（４）；Ｎ型直拉单晶硅片的的背面设有硼扩散制备的Ｐ型发射结层（５），在Ｐ型发射结层上附设丝网印刷的金属电极（４）。

【技术特征摘要】
1.一种有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池，以N型直拉单晶硅片(CZ)为基体(1)，其特征是N型直拉单晶硅片的正面带有正面钝化N型扩散层(2)，扩散层上设有随机正金字塔绒...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵建华，王爱华，张凤鸣，
申请(专利权)人：中电电气南京光伏有限公司，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]