【技术实现步骤摘要】
发热芯片的制备方法和发热芯片
[0001]本专利技术涉及发热芯片
,尤其涉及一种发热芯片的制备方法及发热芯片。
技术介绍
[0002]目前的发热芯片通常采用碳素发热膜,即采用导电石墨作为发热材料,但导电石墨必须使用有机成膜剂才能固定成型,不但存在环境污染的问题,成膜剂还会因温度频繁变化而加速老化,影响使用寿命。
[0003]现有的以半导体作为发热材料的发热芯片采用镀膜工艺制备,无须使用成膜剂,克服了碳素发热芯片的缺陷,但镀膜材料与基材的结合力因基材材质的原因而存在差别,当选用有机材料作为基材时,基材在成膜热压的过程中存在软化问题,进而导致半导体材料的结合力下降甚至出现断裂的情况,影响最终良品率。因此需要开发一种能够克服上述缺陷的发热芯片。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供一种发热芯片的制备方法及发热芯片,以解决上述中的一个或者多个技术问题。
[0005]第一方面,本专利技术实施例提供了一种发热芯片的制备方法,所述方法包括:
[0006]选取一基材,并在基材表面涂布预 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发热芯片的制备方法,其特征在于,所述方法包括:选取一基材,并在基材表面涂布预涂层,并将预涂层进行第一次固化;在预涂层上涂布硬化材料,以形成硬化层,并将硬化层进行第二次固化;在硬化层表面真空溅射制热材料,以形成电热转换层;将基材和电热转换层封装,形成发热芯片。2.如权利要求1所述的发热芯片的制备方法,其特征在于,所述预涂层包括聚氨酯和/或聚酯;所述预涂层的厚度范围包括20nm~50μm,且所述预涂层表面的算术平均粗糙度为0.1μm~1μm。3.如权利要求2所述的发热芯片的制备方法,其特征在于,所述硬化层包括丙烯酸系树脂、环氧系树脂、聚酯系树脂以及聚氨酯系树脂中的一种或多种;所述硬化层的厚度范围包括20nm~50μm。4.如权利要求3所述的发热芯片的制备方法,其特征在于,所述第一次固化和所述第二次固化包括光固化工艺和/或热固化工艺。5.如权利要求1所述的发热芯片的制备方法,其特征在于,所述制热材料包括金属氧化物半导体;或者,所述制热材料包括锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锡酸镉、锡掺杂氧化铟、氧化镉、铝掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、氟掺杂氧化锌、硫掺杂氧化锌、碳化硅、氧化亚镍、氧化亚铜、一氧化锡中的一种或多种;其中,所述电热转换层的厚度范围包括10nm~1000nm。6.如权利要求5所述的发热芯片的制备方法,其特征在于,所述将基材...
【专利技术属性】
技术研发人员:李永武,杨敏,
申请(专利权)人:光之科技北京有限公司,
类型:发明
国别省市:
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