带有区分标记的再利用次品半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可再利用的带有区分标记的次品半导体器件。该标记由蚀刻工艺刻写在每块再利用次品器件顶面至少一个端部上的字组成。每个字的深度达相关次品器件上半部厚度的约二分之一，宽度达所述次品器件长度的约十五分之一，而高度达所述次品器件宽度的约三分之一。该标记使再利用次品部件能明显地有别于正品部件，从而防止任何非法地用这种次品部件冒充正品部件。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
一般地说，本技术涉及带有区分标记的再利用次品半导体器件，其可以在一定范围内有效地把某些指定模块或者简单电子装置的再利用次品半导体器件与市场上优质正品器件加以区分，更具体地说，就是通过蚀刻工艺在这种再利用次品上刻上区分标记，以便所述次品能够显著地与正品区分开，从而防止非法地以这种可再利用的次品器件冒充正品器件。 本
的技术人员都清楚，在一定范围内可以把次品半导体器件用于某些模块或者电子玩具之类的简单电子装置中，尽管这些次品器件不具有正品器件所具有的功能。因而，这种次品半导体器件可称作再利用次品器件。然而，如果半导体器件生产厂家把这些再利用次品推向市场，让用户在一定范围内将所述器件适当地用于某些指定模块或者简单的电子装置，这时一些想非法地在某些需要使用优质正品器件的电器中使用再利用器件的用户就可能非法地用次品器件代替正品器件。这会为这些电器的消费者带来损失。所以，大多数半导体器件生产厂家惧怕因为如此非法使用再利用次品器件而损害其品牌形象，不把这种再利用次品器件推向市场，但是，这使器件的总产量下降，承受巨大的经济损失。这就需要能使半导体器件生产厂家能够合法地将再利用次品半导体器件推向市场而无非法用这类次品器件冒充正品之虞。如果实现了这个要求，半导体器件的生产厂家就可以有效地降低器件的生产成本同时保护了所述器件的自然资源。因而，鉴于在先技术中出现的上述问题产生了本技术，本技术的目的之一是提供带有区分标记的可再利用的次品半导体器件，所述区分标记用蚀刻工艺刻在这些再利用器件上，从而使次品器件明显地区别于正品器件，防止用次品器件冒充正品器件。为达到以上目的，本技术提供一种可再利用的次品半导体器件，它具有顶面，其特征在于，通过蚀刻工艺在每块所述再利用次品器件顶面至少一个端部上刻写一个字，作为使用户区分再利用次品器件与优质正品器件的区分标记，每个所述字深度达相关次品器件上半部厚度的约二分之一，宽度达所述次品部件长度的约十五分之一，而高度达所述次品部件宽度的约三分之一。当然，如果半导体器件生产厂家不接受再利用，这种处理利用次品器件就会不可行。因此需要生产厂家接受合法再利用次品器件。半导体器件生产厂家生产的次品器件先要按照这些次品器件的指定用途分为若干类型，然后在再利用次品器件上蚀刻区分标记并把所述器件推向市场。例如，把这种再利用次品器件中在一定条件下能有效地用于个人计算机的归类为B型和C型器件，有效地用于电子玩具的归类为T型器件，而有效地用于应答单元的归类于A型器件，这样就可以把多个区分标记或者说英文字母“A”“B”“C”“T”一个个地通过蚀刻工艺刻写在相应次品器件也就是每个A-、B-、C-或T型器件的顶面。因为再利用器件在结构和外观上无显著差别而且带有这种区分标记前要经过同样的加工，在以下对本技术优选实施方案的描述将限于B型次品元件的顶面上刻写区分标记，也就是以字母“B”为例。根据本技术，因为有了区分字标记，能够合法地在市场上流通廉价次品器件，而无非法用次品器件冒充正品器件之虞，从而能够有效地降低那些可首选这种次品器件生产的电子装置的生产成本。合法使用这种具有根据本技术的蚀刻标志的次品半导体器件对这些器件的买卖双方都会带来经济利益。简而言之，本技术提供刻写上区分标记的次品半导体器件，所述区分标记使所述器件能够明显地有别于市场上的正品器件。本技术使半导体器件的生产厂家能够在市场上合法流通这种再利用次品器件而不必担心非法使用所述次品器件冒充正品而损害其品牌形象。如此合法流通次品还可以使用户能够在一定范围内合法使用这种低成本的次品器件，并使半导体器件生产厂家能在市场上合法流通其再利用次品器件，从而节省开支。以下结合附图进行详细说明，以更清楚地了解本技术的上述目的和其它目的、特点以及其它优点，附图中附图说明图1为根据本技术的优选实施方案在器件顶面上提供有蚀刻的字母“B”的一个再利用半导体器件的透视图；图2为沿图1中A-A直线所作的上述器件的一个剖视图；图3a到图3c为再利用次品半导体器件的平面示意图，分别根据本技术的不同实施方案在其顶面上带有一个或者两个蚀刻的字；图4为切去一个常规半导体器件的部分后的平面图。如图所示，在将所述器件10推向市场前，通过蚀刻工艺在每一个再利用次品器件10顶面的至少一个端部刻写上字标记20。因而当次品器件10在市场上合法流通时，蚀刻的标记20使用户能够轻易地把再利用次品器件10对优质正品器件加以区分。这种区分标记20的深度“D”达到次品器件10上半部分的厚度“T”的约二分之一，宽度“W”达到所述次品器件10的总长度的约十五分之一，高度“H”达该次品器件10的宽度的约三分之一。尺寸设计成这样，即使深度“D”达次品器件10上半部的厚度“T”的约二分之一，宽度“W”达器件10长度的约十五分之一，高度“H”达次品器件10的宽度的约三分之一，是为了使标记20不会给次品器件10的质量带来任何负面影响。图中，标号101和102分别表示器件10的外引线和引线框架。另外标号200和201表示在器件10顶面两个端部为字标记20提供的两个区域。如上所述，因为蚀刻的标记20的深度“D”达器件10上半部的厚度“T”的约二分之一，在打算用器件10非法冒充正品的努力中，几乎不可能在器件10上除去标记20。因为有这样的蚀刻标记20，当然用户或者工程师能容易地把这种次品器件10对正品器件加以区分。这样次品器件就不能够非法地用在需要正品器件的电器中，只能用在指定的模块或者电子玩具之类的简单电子装置中。根据本技术，因为有了蚀刻的标记20，半导体器件厂家可以合法地把再利用次品器件推向市场而且不必担心非法地用这种次品器件冒充正品器件。这种再利用次品器件可以以约为正品器件价格的40-70％的低价在市场上出售。因此，有可能降低那些可以优选这种次品器件生产的电子装置的生产成本。按照所述次品器件10的分类用途，次品器件10的蚀刻标志20可为不同的字，这样次品器件10就可以在一定范围内恰当地用于指定的模块或者电子玩具之类的简单电子装置中。在本技术中，可以通过蚀刻工艺在每一块再利用次品器件10的顶面至少一个端部上做出字标志20。这就是，可以如图3a所示，此种标志20形成于每块次品器件10的顶面的每个端部上。或者，标志20也可以形成在每块次品器件10的顶面两端之一上，如图3b、3c所示。如上所述，需要把此种字标记20的尺寸限定为其深度“D”达器件10上半部厚度“T”的约二分之一，宽度“W”达器件10长度的约十五分之一，而高度“H”达次品器件10宽度的约三分之一。如果字标志20超过上述深度，或者超过上述宽度和高度，水湿就可能引入到器件10的核心部分，也就是引线框架和芯片部分，从而造成所述器件10损坏。另一方面，如果字标志20不足于上述深度，或者小于上述宽度和高度，标志20就可能不足以使人轻易地把次品器件对正品器件区分开。因此，字标志20最好限定在上述尺寸。当然，在次品器件10上形成的蚀刻标志的尺寸可以依据器件类型稍作改变。这种区分标志通过蚀刻工艺以恰当的深度、宽度和高度形成在次品器件上，这些尺寸可以通过多次试验设法准确确定。因此标志不会对次品器件造成任何损害，所以在某些指本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可再利用的次品半导体器件，它具有顶面，其特征在于，通过蚀刻工艺在每块所述再利用次品器件顶面至少一个端部上刻写一个字，作为使用户区分再利用次品器件与优质正品器件的区分标记，每个所述字深度达相关次品器件上半部厚度的约二分之一，宽度达所述次品部件长度的约十五分之一，而高度达所述次品部件宽度的约三分之一。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种可再利用的次品半导体器件，它具有顶面，其特征在于，通过蚀刻工艺在每块所述再利用次品器件顶面至少一个端部上刻写一个字，作为使用户区分再利用次品器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐鸿哲，
申请(专利权)人：徐鸿哲，
类型：实用新型
国别省市：KR[韩国]