一种空腔型铂薄膜温度传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种空腔型铂薄膜温度传感器，具体涉及微机电系统温度传感技术领域，所述的空腔铂薄膜温度传感器采用下至上依次设置的衬底、绝缘层、悬膜层、粘附层和铂薄膜层，所述绝缘层和悬膜层之间设置有空腔，所述悬膜层设置为桥式结构，且悬膜层两端部均与绝缘层相连接，所述悬膜层贯穿开设有若干个释放孔。本实用新型专利技术通过设计悬膜结构，实现传感器优异的热绝缘性能，同时采用干法聚酰亚胺牺牲层释放的方式，避免释放过程中发生的粘附现象。象。象。

【技术实现步骤摘要】
一种空腔型铂薄膜温度传感器


[0001]本技术涉及微机电系统温度传感
，更具体地说，本技术涉及一种空腔型铂薄膜温度传感器。

技术介绍

[0002]随着智慧城市，智能家居和物联网的发展，对温度传感领域提出了更高的要求。MEMS温度传感器与传统温度传感器相比，具有小型化，灵敏度高，精度高，功耗低等优势，且具备批量生产的能力，成本低。MEMS温度传感器的优异性能，一方面源于其温度敏感材料铂薄膜具有热响应快、电阻温度系数高、线性度好等优点，另一方面要求温度敏感铂薄膜单元和衬底之间具有良好的热绝缘性。
[0003]在MEMS中，研究人员常常通过采用多孔硅、石英或高分子薄膜等低热导率材料实现热绝缘。也有研究人员将温度敏感铂薄膜单元制做在悬膜和悬臂梁上实现热绝缘，这种结构由于采用单一的低热导率材料，制作悬膜或悬臂梁结构时，释放牺牲层会发生悬膜结构与衬底粘附现象而降低了良率。
[0004]技术新型内容
[0005]为了克服现有技术的上述缺陷，本技术的实施例提供一种空腔型铂薄膜温度传感器，通过制作悬膜结构实现传感器优异的热绝缘性能，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种空腔型铂薄膜温度传感器，其特征在于：所述的空腔型铂薄膜温度传感器采用下至上依次设置的衬底(1)、绝缘层(2)、悬膜层(4)、粘附层(5)和薄膜层(6)，所述绝缘层(2)和悬膜层(4)之间设置有空腔(3)，所述悬膜层(4)设置为桥状结构，且悬膜层(4)两端部均与绝缘层(2)相连接，所述悬膜层(4)、粘附层(5)和薄膜层(6)贯穿开设有若干个释放孔(7)。2.根据权利要求1所述的一种空腔型铂薄膜温度传感器，其特征在于：所述衬底(1)为一种单晶硅材质的构件，所述绝缘层(2)为热氧化二氧化硅材质的构件，所述绝缘层(2)的厚度设置为100nm—500nm。3.根据权利要求1所述的一种空腔型铂薄膜温度传感器，其特征在于：所述衬底(1)为一种玻璃材质的构件，所述绝缘层(2)为氮化硅的构件，所述绝缘层(2)的厚度设置为100nm—500nm。4.根据权利要求1所述的一种空腔型铂薄膜温度传感器，其特征在于：所述衬底(1)为一种石英材质的构件，所述绝缘层(2)为低应...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：苏州锐光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：