【技术实现步骤摘要】
二极管材料高压测试机构及包含该机构的一体式入料站
[0001]本技术涉及二极管材料检测
,具体涉及一种二极管材料高压测试机构及包含该机构的一体式入料站。
技术介绍
[0002]二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能,即给二极管阳极和阴极加上正向电压时,二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止。二极管是最早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛。高压二极管是一种只有在高压下才导通的硅晶体二极管。
[0003]目前二极管材料在进行高压测试时,检测效率较低,同时在设备安装时会存在设备空间不足,但又需要高压测试的情况。
技术实现思路
[0004]针对现有技术的不足,本技术提供了二极管材料高压测试机构及包含该机构的一体式入料站,达到了在设备空间不足,又需要高压测试的情况下,将高压测试与入料站相结合,节省空间方便操作的目的,并同时采用双料并测,提升了机台检测速度,进而提高了检测效率。
[0005]本技术通过以下技术方案予以实现:
[0006]二极管材 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.二极管材料高压测试机构,其特征在于,包括:支撑架(1)、固定板(2)、分料组件(3)、测试组件(4)和出料组件(5);所述支撑架(1)的顶部倾斜设有所述固定板(2),所述固定板(2)上由左至右依次设有所述分料组件(3)和所述测试组件(4),所述出料组件(5)位于所述测试组件(4)的右侧;所述测试组件(4)包括:测试轨道(401)、测试盖板(402)、挡料气缸(403)、挡杆(404)、压料气缸(405)、测试压块(406)、连接板(407)、固定座(408)、测试片(409)、夹测气缸(410)和限位块(411);所述测试轨道(401)设置于所述固定板(2)的顶部右侧,所述测试轨道(401)的顶部设有所述测试盖板(402),所述固定板(2)的底部安装有所述挡料气缸(403),所述挡料气缸(403)的驱动端设有所述挡杆(404),通过所述挡料气缸(403)动作,驱动所述挡杆(404)穿过所述测试轨道(401)上的通槽,挡住滑入至所述测试轨道(401)上的材料;所述测试盖板(402)上安装有所述压料气缸(405),所述压料气缸(405)的驱动端设有所述测试压块(406),通过所述压料气缸(405)动作,驱动所述测试压块(406)穿过所述测试盖饭上的通槽,对经所述挡杆(404)挡住的材料进行下压;所述固定板(2)的前侧壁设有所述连接板(407),所述连接板(407)的顶部左侧安装有所述夹测气缸(410),所述夹测气缸(410)的上下爪端对称设有所述限位块(411);所述连接板(407)的顶部右侧设有所述固定座(408),所述固定座(408)上安装有上下对称的所述测试片(409),通过所述夹测气缸(410)动作,驱动所述限位块(411)靠近,对所述测试片(409)的后侧端进行加紧,通过上下两侧所述测试片(409)与材料之间进行加紧抵接,达到对材料进行高压测试。2.根据权利要求1所述的二极管材料高压测试机构,其特性在于,所述分料组件(3)包括:分料轨道(301)、分料盖板(302)、分料气缸(303)和分料挡块(304);所述分料轨道(301)设置于所述固定板(2)的顶部左侧,所述分料轨道(301)的顶部设有所述分料盖板(302),所述分料盖板(302)上由左至右安装有两组所述分料气缸(303),所述分料气缸(303)的驱动端设有所述分料挡块(304),通过所述分料气缸(303)动作,驱动所述分料挡块(304)穿过所述分料盖板(302)上的通槽,挡住滑入至所述分料轨道(301)上的材料。3.根据权利要求2所述的二极管材料高压测试机构,其特性在于,所述出料组件(5)包...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈能强,
申请(专利权)人:无锡昌鼎电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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