集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及晶体管技术领域，特别提供了一种集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统，具体包括以下步骤：获取集成电路物理版图信息，版图信息只包含平面二维数据；获取FinFET的工艺参数，包括栅极沟道的具体深度参数、源漏极Fin结构的具体参数；根据得到的具体参数生成描述FinFET结构的描述文件，描述文件主要包括栅极沟道结构和源漏极Fin结构；结合三维描述语言得到完整的版图三维结构。本发明专利技术在保证结构精准的前提下更简洁，更高效的生成复杂结构，省略了复杂的层生成过程，更贴合芯片的生产过程。更贴合芯片的生产过程。更贴合芯片的生产过程。

【技术实现步骤摘要】
集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统


[0001]本专利技术涉及晶体管
，特别是涉及一种集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造工艺的发展，其特征尺寸逐渐减小、集成度逐渐增高。在目前已普遍采用的纳米级制造工艺(特征尺寸在65纳米以下)中，单个芯片集成的晶体管已经达到十亿个。但随着晶体管尺寸进一步缩小到20纳米以下时会出现各种问题，比如当栅长小于 20nm 的情况下，源极和漏极过于接近且氧化物也愈薄，这很有可能会导致漏电现象。FinFET正是解决的办法，如图1所示，FinFET被称为鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金属氧化物半导体晶体管。FinFET可以应用于20纳米以下的各种工艺中，比如16纳米、14纳米、7纳米以及5纳米。但由于FinFET的三维结构相较于MOSFET结构复杂，需要一套完整的三维描述语言来描述这种复杂的结构，只有更好的描述这种复杂的结构才能得到更精准的电学参数，才能更好的保证芯片良率、缩短设计周期。比如在寄生参数抽取中（场求解器或模式匹配法）本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤1，获取集成电路物理版图信息，版图信息只包含平面二维数据；步骤2，获取FinFET的工艺参数，包括栅极沟道的具体深度参数、源漏极Fin结构的具体参数；步骤3，根据步骤2得到的具体参数生成描述FinFET结构的描述文件，描述文件包括栅极沟道结构和源漏极Fin结构；步骤4，结合三维描述语言得到完整的版图三维结构。2.根据权利要求1所述的集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法，其特征在于，步骤3中栅极沟道结构的描述文件如下：获取每个栅极导体沟道的初始二维数据，记录该栅极沟道在每个深度位置对应的x和y方向的变化量和变化后导体周围的电介质的介电参数。3.根据权利要求1所述的集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法，其特征在于，步骤3中源漏极Fin结构的描述文件如下：获取每个源漏极Fin结构的初始二维数据，记录该源漏极Fin结构在每个深度位置对应的x和y方向的变化量和变化后导体周围的电介质的介电参数。4.根据权利要求2或3所述的集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法，其特征在于，介电参数包括介电常数、上表面往上电介质的厚度、下表面往下电介质的厚度、侧表面电介质的厚度。5.根据权利要求1所述的集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法，其特征在于，步骤4中三维描述语言为ITF三维描述语言，描述互连...

【专利技术属性】
技术研发人员：马胜军，孙玕，袁鹏飞，孙延辉，
申请(专利权)人：青岛展诚科技有限公司，
类型：发明
国别省市：