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本发明涉及晶体管技术领域，特别提供了一种集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统，具体包括以下步骤：获取集成电路物理版图信息，版图信息只包含平面二维数据；获取FinFET的工艺参数，包括栅极沟道的具体深度参数、源漏极Fin结...
该专利属于青岛展诚科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛展诚科技有限公司授权不得商用。

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