一种输入使能迟滞保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供了输入使能迟滞保护电路，电路包括第一电路和第二电路，第一电路包括MOS管VT

【技术实现步骤摘要】
一种输入使能迟滞保护电路


[0001]本技术属于电路领域，具体来说是一种输入使能迟滞保护电路。

技术介绍

[0002]在给通信设备供电时，为了保证供电稳定可靠，通常使用冗余电源供电系统，其中一路采用电池供电备用系统，往往铅酸电池作为备份电源相对较多，这样就需要对电源输入电路增加使能(欠压和开机)保护电路，防止输入电压过低，输入电流过大，损坏电源；又要防止电池空载和拉载电压差异引起主板电源反复的开关机，因此就需要增加一个迟滞电路功能的使能(欠压和开机)保护来控制电源。通常会采用普通的迟滞运算放大器电路，驱动MOSFET进行开关控制。但这个方案存在着芯片供电范围相对较窄，需要单独的稳压供电电路，另外国外技术封锁时还存在芯片断供的风险。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术中所存在的不足，本技术提供了一种输入使能迟滞保护电路，仅使用普通通用电子器件，即可实现需要的功能，成本低廉，功能可根据需求灵活设置。
[0004]本技术提供的输入使能迟滞保护电路，所述电路包括第一电路和第二电路，
[0005]所述第一电路包括MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种输入使能迟滞保护电路，其特征在于，所述电路包括第一电路和第二电路，所述第一电路包括MOS管VT
22
，所述第二电路包括驱动芯片U
15
；所述MOS管VT
22
的源极连接有驱动芯片U
15
且与所述驱动芯片U
15
‑
EN
‑
RC
引脚接通；所述MOS管VT
22
的栅极先后连接电阻R
181
和电容C
164
后接地；所述电容C
164
的两端并联有电阻R
183
，所述电容C
164
远离接地端的另一端依次连接有稳压管VD
38
、VD
37
、电阻R
182
后再接VCC1；所述MOS管VT
22
的漏极和源极之间连接有电阻R
178
，所述MOS管VT
22
的漏极连接有电阻一，所述MOS管VT
22
经由所述电阻一连接至所述驱动芯片U
15
‑
VIN
引脚；所述MOS管VT
22
的漏极连接有稳压管VD
36
，所述稳压管VD
36
的负极与所述MOS管VT
22
的漏极连接后，所述稳压管VD
36
的正极接地；所述MOS管VT
22
的源极连接有电阻二，所述MOS管VT
22
经由所述电阻二后接地；所述第二电路还包括第三电路，所述第三电路连接至所述驱动芯片U
15
的U
15
‑
EN
引脚；所述驱动芯片U
15
的U
15
‑
VCC
引脚和U
15
‑
GND
引脚之间并联有电容一。2.根据权利要求1所述的输入使能迟滞保护电路，其特征在于，所述电阻R
181
的阻值为10K。3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，
申请(专利权)人：上海剑桥科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：