一种DCDC上用于防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种DCDC上用于防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路，包括并联电路和有源钳位电路，并联电路用于限制MOS管关断时刻的过电压，有源钳位电路通过主电路MOS管触发信号控制，有源钳位电路与并联电路连接，用于控制并联电路。本实用新型专利技术有益效果：本方案防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路通过微机控制，利用钳位电路有效实现了主电路MOS管并联电路的切换，而且通过微机生成的PWM波同步，提高了传统的保护电路的可靠性。提高了传统的保护电路的可靠性。提高了传统的保护电路的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种DCDC上用于防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路


[0001]本技术属于电路设计领域，尤其是涉及一种DCDC上用于防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路。

技术介绍

[0002]在目前使用的很多的DCDC开关管缓冲电路中，通过像DSP这种能够输出PWM波来控制缓冲电路的设计很少，所以通过DSP输出PWM脉冲来控制主电路MOS管的缓冲电路是很有必要的，可以大大提高稳定性和同步性。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术旨在提出一种DCDC上用于防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路，通过钳位电路防止MOS管两端出现尖峰电压击穿管子，而且由于耗能电阻的接入和断开，也有了节能的效果，设计简单实用。
[0004]为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的：
[0005]一种DCDC上用于防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路，包括并联电路和有源钳位电路，并联电路用于限制MOS管关断时刻的过电压，有源钳位电路通过主电路MOS管触发信号控制，有源钳位电路与并联电路连接，用于控制并联电路。
[0006]进一步的，有源钳位电路包括电阻R1至R10、电容C1和C2、NPN型的MOS1、PNP型的MOS2、NPN型三极管、PNP型三极管；
[0007]电阻R1、电阻R2、电容C1的第一端连接电源正极，电源负极接地，电容C1第二端接地，电阻R1、电阻R2的第二端连接MOS1的D极；
[0008]MOS1的G极连接电阻R6和电阻R7的第一端，电阻R6的第二端连接PWM；
[0009]NPN型的MOS1的D极还连接NPN型三极管、PNP型三极管的B极，NPN型三极管的C极连接电源正极；
[0010]NPN型三极管的E极、PNP型三极管的E极连接电阻R5的第一端，电阻R5的第二段连接电容C2的第一端；
[0011]电阻R3的第一端连接电源正极，电阻R3的第二端以及电容C2的第二端连接PNP型的MOS2的G极；
[0012]PNP型的MOS2的D极连接电阻R8、电阻R9、电阻R10的第一端，电阻R8、电阻R9、电阻R10的第二端连接并联电路；
[0013]电阻R7的第二端、MOS1的S极、PNP型三极管的C极、PNP型的MOS2S极接地。
[0014]进一步的，并联电路包括电容C3、电容C4、二极管D1，电容C3的第一端、电容C4的第一端、二极管D1的阳极与有源钳位电路连接，电容C4的第二端、二极管D1的阴极接地。
[0015]相对于现有技术，本技术所述的一种DCDC上用于防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路具有以下有益效果：
[0016]本技术所述的一种DCDC上用于防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路防止
MOSFET管过压击穿的有源钳位电路通过微机控制，利用钳位电路有效实现了主电路MOS管并联电路的切换，而且通过微机生成的PWM波同步，提高了传统的保护电路的可靠性。
附图说明
[0017]构成本技术的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0018]图1为本技术实施例所述的用于连接主电路MOS管并联电路的有源钳位电路图；
[0019]图2为本技术实施例所述的主电路MOS管过电压保护的并联缓冲电路图；
[0020]图3为本技术实施例所述的主电路MOS管过电压保护的并联缓冲处理流程电路图。
具体实施方式
[0021]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0022]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
[0023]一种DCDC上用于防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路，包括由主电路MOS管触发信号控制的有源钳位电路和主电路MOS管并联电路。其特征在于，在DCDC电路中的MOS管并联电路，用于限制MOS管关断时刻的过电压；还包括控制MOS管并联电路的有源钳位电路。
[0024]所述电路为电容和二极管的串联电路，通过有源电路，利用MOS管的触发脉冲控制受控点的电位；当主电路MOS管的触发脉冲从高电平变为低电平时，MOS1管关断，使NPN三极管导通，则PNP型MOS管的栅源极电压为0而关断，使“PWM_钳位”点悬空，所以主电路MOS管的两端只并联一个电容；当主电路MOS管的触发脉冲由低电平变为高电平时，MOS1管导通，使PNP三极管导通，电容C2放电，则PNP型MOS管的栅极电压为负而开通，使主电路MOS管的两端并联一个电容变为并联了RC吸收回路，能够使主电路MOS管正常开通。
[0025]在使用过程中，本方案包括有源电源、钳位电路以及MOS管并联电路。
[0026]通过微机控制使主电路MOS管并联电路切换。
[0027]所述钳位电路中当主电路MOS管的触发脉冲从高电平变为低电平时，MOS1管关断，使NPN三极管导通，则PNP型MOS管的栅源极电压为0而关断，使“PWM_钳位”点悬空，所以主电路MOS管的两端只并联一个电容。
[0028]当主电路MOS管的触发脉冲由低电平变为高电平时，MOS1管导通，使PNP三极管导通，电容C2放电，则PNP型MOS管的栅极电压为负而开通，使主电路MOS管的两端并联一个电容变为并联了RC吸收回路，能够使主电路MOS管正常开通。
[0029]如图1所示，当PWM波为低电平时，MOS1管关断，所以NPN型三极管处于放大区域，因此电路中的电流总流向为电源
‑
NPN三极管
‑
R5
‑
C2
‑
二极管－GND。这个过程中有源电源给C2开始充电且MOS2管子栅源端由于并联二极管的作用使电压为0，所以MOS 2管不导通，因此PWM钳位点呈现出来的使悬空状态。再看图2，因为PWM钳位点电位悬空，所以并联电路为电容C3和二极管串联，在关断瞬间能够起到稳压的作用。
[0030]当PWM波为高电平时，MOS 1开通，所以PNP型三极管处于放大状态，NPN型三极管处于截止状态，这时充完电的电容C2开始通过PNP型三极管、R5和R4构成回路开始放电。由于MOS2管并联的二极管承受反压，因此二极管截止，则R4的两端的电位差使MOS2管子的栅源两端电压为负，所以能够触发PNP型MOS2管子的导通，所以PWM钳位点串联电阻接地。再看图2，并联电容组成了RC吸收回路。
[0031]电路设计的目的就是通过微机生成的PWM触发信号来选择主电路MOS管的并联电路，当MOS管从开通变为关断时，并联电路为电容，通过电容的稳压作用，减小主电路MOS管两端的尖峰电压。当主电路MOS管从关断变为开通时，由于管子两端电容电压需要释放，所以通过钳位电路时其并联电路变为RC吸收回路，使主电路MOS管能够导通。
[0032]最后应说明的是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DCDC上用于防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路，其特征在于：包括并联电路和有源钳位电路，并联电路用于限制MOS管关断时刻的过电压，有源钳位电路通过主电路MOS管触发信号控制，有源钳位电路与并联电路连接，用于控制并联电路。2.根据权利要求1所述的一种DCDC上用于防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路，其特征在于：有源钳位电路包括电阻R1至R10、电容C1和C2、NPN型的MOS1、PNP型的MOS2、NPN型三极管、PNP型三极管；电阻R1、电阻R2、电容C1的第一端连接电源正极，电源负极接地，电容C1第二端接地，电阻R1、电阻R2的第二端连接MOS1的D极；MOS1的G极连接电阻R6和电阻R7的第一端，电阻R6的第二端连接PWM；NPN型的MOS1的D极还连接NPN型三极管、PNP型三...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘登基，康洪强，张立伟，
申请(专利权)人：天津中科华盈科技有限公司，
类型：新型
国别省市：