【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体探测器的保护装置，特别是一种硅锂、锗锂或高纯锗半导体探测器的防腐蚀保护装置。硅锂、锗锂和高纯锗半导体探测器是现代核物理探测技术的重要传感器，它有一个透过光子用的很薄的铍窗，既怕碰撞或震动引起破损，更怕空气中腐蚀性气体的腐蚀而造成的穿孔，在有水蒸气存在的条件下腐蚀更为严重。铍窗的任何损伤均可导致半导体探测器的永久损坏。现有技术一般采用粘贴薄膜或涂敷涂层的方法将铍窗与空气隔绝开来，达到保护铍窗的目的。现有技术的不足之处在于一部分光子，特别是低能量光子被涂层或薄膜吸收或衰减掉，造成附加的光子损失，降低了探测器的灵敏度。本专利技术的任务在于提供一种硅锂、锗锂或高纯锗半导体探测器的防腐蚀保护装置，能够在无附加光子损失前提下，保护铍窗不受空气中腐蚀性气体的腐蚀，特别是在空气湿度达95%时，仍能有效地保护铍窗不受腐蚀。本专利技术的任务是采用如下方案实现的首先，专利技术人注意到硅锂、锗锂及高纯锗半导体探测器均要在低温条件下工作，所以均要与液氮容器相连。而液氮容器总要与外界发生热传递，总会有一部分氮气不断溢出。而液氮容器中溢出的氮气不可能含有水份。因此，专利技术人采取给探测器加一个半密封状态的保护罩，罩住铍窗及液氮容器的氮气溢出口，使不断溢出的氮气充满罩中，将罩中的空气及水蒸气排除，以氮气将铍窗与空气和水蒸气隔绝开来，保护铍窗不受腐蚀。本专利技术的结构细节由实施例及附图中给出附图1为加罩前探测器的外形图，附图2为加罩后探测器的外形图。在专利技术人所作的实施例中，保护罩〔1〕由有机玻璃制成，并且将探测器的铍窗〔4〕、高压引入端〔5〕、液氮瓶〔2〕的氮气溢...
【技术保护点】
一种半导体探测器的保护装置，特别是一种硅锂，锗锂或高纯锗半导体探测器的防腐蚀保护装置，由保护罩〔１〕组成，其特征在于：ａ、所说的保护罩〔１〕为半密封状态，ｂ、液氮容器〔２〕的氮气溢出口〔３〕和探测器的铍窗〔４〕同位于保护罩〔１〕内， ｃ、保护罩〔１〕内充满了液氮容器〔２〕中不断溢出的氮气。
【技术特征摘要】
1.一种半导体探测器的保护装置，特别是一种硅锂，锗锂或高纯锗半导体探测器的防腐蚀保护装置，由保护罩[1]组成，其特征在于a、所说的保护罩[1]为半密封状态，b、液氮容器[2]的氮气溢出口[...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴万侯，
申请(专利权)人：中国有色金属工业总公司矿产地质研究院，
类型：发明
国别省市：45[中国|广西]
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