【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及制造半导体集成电路各种芯片的领域,以及更准确地说,涉及互补金属氧化物半导体各种芯片的制造方法。在现有技术中已知的一种类型的半导体集成电路就是通常所说的互补金属氧化物半导体或CMOS。各种CMOS集成电路显示出较快的开关时间和较低的电力消耗。因此,各种CMOS集成电路十分适合于多种多样的包括计算机的应用。一种典型的CMOS制造工艺一开始时在一块低电阻率的衬底上形成一层高电阻率外延层。其次用传统的光刻工艺生产出一片所要求的电子元件或集成电路。为了使该制成的器件正常地工作,需要有一个连到低电阻率衬底上的电气的连接。倘若采用的是一种针脚式引线接合工艺,是在器件上每个接点焊接区之间连接细导线而且在器件封装内连接它们各自的引入线,则该连接可以在衬底的暴露底面进行。然而,倘若该器件是采用一种带式自动键合(TAB)工艺封装的话,则与衬底的该种连接必须置于暴露的衬底的对面即在该器件的上表面上,亦即在通常包含各有源元件的那个表面上。根据一种已知的建立上侧衬底连接的方法,首先完成建立有源元件所需的全部工艺过程。接着,通过该器件的上表面引入一个侧向地围绕该器件周围伸展的杂质区。于是该器件须经传统的加热过程以将该杂质区向下扩进该外延层。因为该已完成的各有源元件不能长时间被暴露于过高温度而不损坏,该杂质扩散仅仅部分地通过该外延层而实际上没有到达该低电阻率的衬底。这一方法的一个主要缺点是,由该扩散的杂质建立的连接由于高电阻率外延层的不充分渗透,势必会具有一个较大的电阻。该大电阻的连接增大了使器件可能经受一种被称为“闭锁”状态的可能性,在该状态下,该器件变得完全不 ...
【技术保护点】
制造一种半导体器件的一种方法,所述器件包括一个组合物,该组合物包括一块具有一个上表面和下表面的衬底以及一层在其所述上表面上形成的在其中可以形成各种有源元件的薄层,其特征在于,所述方法包括下列各个工序:在所述薄层上面形成一层绝缘的薄层;在 所述绝缘薄层上刻制图案以形成一个贯通该薄层的孔径;通过所述孔径注入各种杂质,以致一个有各种杂质的区域被淀积在所述孔径下面的薄层中;以及把所述有各种杂技的区域向下扩散通过所述薄层到所述衬底,由此在所述衬底和所述孔径之间形成一条导电的通 道。
【技术特征摘要】
US 1987-5-1 045,6101.制造一种半导体器件的一种方法,所述器件包括一个组合物,该组合物包括一块具有一个上表面和下表面的衬底以及一层在其所述上表面上形成的在其中可以形成各种有源元件的薄层,其特征在于,所述方法包括下列各个工序在所述薄层上面形成一层绝缘的薄层;在所述绝缘薄层上刻制图案以形成一个贯通该薄层的孔径;通过所述孔径注入各种杂质,以致一个有各种杂质的区域被淀积在所述孔径下面的薄层中;以及把所述有各种杂技的区域向下扩散通过所述薄层到所述衬底,由此在所述衬底和所述孔径之间形成一条导电的通道。2.根据权利要求1的方法,其特征在于所述各种杂质是通过一种离子注入工艺注入的。3.一种半导体器件,该器件包括一个组合物,该组合物包括一块具有一个上表面的和一个下表面的衬底以及一层在其所述上表面上形成的在其中可以形成各种有源元件的薄层,所述器件的特征包括;一层绝缘的薄层,所述绝缘薄层是被处置在所述薄层上的,所述绝缘薄层具有一个贯通该薄层而配置的孔径;以及一个有各种杂质的区,所述区被配置在所述薄层中...
【专利技术属性】
技术研发人员:格雷戈里J格鲁拉,安德烈I纳泽,
申请(专利权)人:数字设备公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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