半导体异质结构制造技术

一种半导体器件，由生长在含有６０－６５％锗的，（１００）取向的ＳｉＧｅ衬底上的，硅和锗交替的单层短周期超晶格组成。硅单层是Ｍ单层厚，而锗层是Ｎ单层厚，其中Ｍ＝２（２ｍ＋１），取ｍ＝０、１或２（优选为０），而Ｎ＝２（２ｎ＋１），ｎ＝１、２、３、４、５、６等。本发明专利技术公开了“非均匀的超晶格”，其中连续的Ｇｅ层具有厚度Ｎ－［１］、Ｎ－［２］、Ｎ－［３］等（选自上述Ｎ值）。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体异质结构，其中包含交替的多组硅层与锗层(或硅锗合金)，至少有一组层足够地薄，而处于弹性形变状态，致使限定一个相关的短周期超晶格。本专利技术特别地，但不是专门地，涉及这类适用作光发射器件的准直接带隙异质结构器件。超晶格结构，也就是，异质结构器件是由有不同带隙的共用一个共同的晶格结构的交替的多层材料组成，这些已为众所周知，并用之于工艺中。由交替多层组成的材料，实际上具有不同的晶格参数，不可避免地会出现两种情况中的一种，或者在各层的界面产生位错，或者(当，仅当一组层足够薄时)多层中的一组或二组可以存在永久的弹性形变状态。在铝镓砷系统中，交替各层间的失配实质上不存在，然而这并非使用硅和锗时的情况，在此场合，失配大约是4%。在通常的(长周期)超晶格情况下，这会导致出现很多位错，而且因为位错做为(进一步产生)复合中心，这样的超晶格对于很多的应用是无益的，因此，人们对超薄硅/锗超晶格应用的可能性怀有浓厚的兴趣，并且在理论上探讨这些已经十多年了。由于必须制作出能保持弹性形变的各层，然而仅仅在最近，制造技术才许可淀积如此精细的薄层(一般由1到30个单原子层构成)。此外，迄今为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包含由不同组分的第一和第二种材料的交替层的短周期超晶格，其中Ｓｉ／Ｇｅ系统外延生长在（１００）取向的衬底上，硅层是Ｍ单层厚，锗层是Ｎ单层厚，且Ｍ小于Ｎ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 1987-12-23 8729953;GB 1988-3-28 8807350.7;GB 191.一种半导体器件，包含由不同组分的第一和第二种材料的交替层的短周期超晶格，其中Si/Ge系统外延生长在(100)取向的衬底上，硅层是M单层厚，锗层是N单层厚，且M小于N。2.按权利要求1所述的半导体器件，其中第一种材料是硅，而第二种材料是锗。3.按权利要求1或2所述的器件，其中M＝2(2m+1)+X，而N＝2(2n+1)-X，这里X＝0或1，m＝0、1或2，并且n是一整数。4.按权利要求3所述的半导体器件，其中m＝2。5.按权利要求3或4所述的器件，其中N＝6。6.按权利要求3或4所述的半导体器件，其中，0＜n＜6。7.按权利要求6所述的半导体器件，其中，0＜n＜5。8.按权利要求3或4所述的半导体器件，其中N处于6到10的范围内。9.按权利要求3所述的器件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔安东尼盖尔，
申请(专利权)人：英国电讯公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]