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一种半导体器件，由生长在含有６０－６５％锗的，（１００）取向的ＳｉＧｅ衬底上的，硅和锗交替的单层短周期超晶格组成。硅单层是Ｍ单层厚，而锗层是Ｎ单层厚，其中Ｍ＝２（２ｍ＋１），取ｍ＝０、１或２（优选为０），而Ｎ＝２（２ｎ＋１），ｎ＝１、２、３...
该专利属于英国电讯公司所有，仅供学习研究参考，未经过英国电讯公司授权不得商用。

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