一种基于螺旋耦合差分电感的W波段单刀双掷开关制造技术

本发明专利技术公开了一种基于螺旋耦合差分电感的W波段单刀双掷开关，包括顺次连接的第一开关电路、第一螺旋耦合结构、第二螺旋耦合结构以及第二开关电路，所述第一开关电路与第二开关电路结构相同，第一螺旋耦合结构与第二螺旋耦合结构的结构相同，第一螺旋耦合结构为两个电感叠加耦合成的具有两个端口的八边形结构，所述第一螺旋耦合结构与第二螺旋耦合结构之间的连线上设置差分信号输入端口，所述第一开关电路的输出端为第一差分信号输出端口，所述第二开关电路的输出端为第二差分信号输出端口；本发明专利技术的优点在于：具有共模抑制能力，保证后级电路的稳定。后级电路的稳定。后级电路的稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种基于螺旋耦合差分电感的W波段单刀双掷开关


[0001]本专利技术涉及单刀双掷开关
，更具体涉及一种基于螺旋耦合差分电感的W波段单刀双掷开关。

技术介绍

[0002]随着毫米波频段(30～300GHz)在高分辨率雷达成像、高数据率通信、汽车防撞雷达、医疗、安全保护、遥感成像等领域的广泛应用，毫米波电路逐渐成为业界的研究热点。
[0003]单刀双掷(SPDT)开关是现代通信收发系统中的关键部分，被广泛用于有源移相器﹑相控阵等无线通信系统中。单刀双掷开关用于转换系统的工作状态，通过开关的关断与开启来控制信号的转换，实现接收模式与发射模式的转换。单刀双掷开关的插入损耗、隔离度对系统性能有着重要的影响。在毫米波开关中，晶体管的寄生电容、导通电阻、损耗﹑隔离度等会影响电路性能。在传输差分信号的收发系统中，单刀双掷开关需具有共模抑制能力。
[0004]中国专利公开号CN113162647A，公开了一种相控阵系统中的宽带多功能收发组件。该专利申请的宽带多功能收发组件采用发射模块与接收模块共用移相器与低噪声放大器的共腿结构，在频段内实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于螺旋耦合差分电感的W波段单刀双掷开关，其特征在于，包括顺次连接的第一开关电路、第一螺旋耦合结构、第二螺旋耦合结构以及第二开关电路，所述第一开关电路与第二开关电路结构相同，第一螺旋耦合结构与第二螺旋耦合结构的结构相同，第一螺旋耦合结构为两个电感叠加耦合成的具有两个端口的八边形结构，所述第一螺旋耦合结构与第二螺旋耦合结构之间的连线上设置差分信号输入端口，所述第一开关电路的输出端为第一差分信号输出端口，所述第二开关电路的输出端为第二差分信号输出端口。2.根据权利要求1所述的一种基于螺旋耦合差分电感的W波段单刀双掷开关，其特征在于，所述第一开关电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R6、电阻R5、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M5、MOS管M6、电感L3及电感L5，所述电感L3的一端及MOS管M1的漏极与第一螺旋耦合结构的一个端口的一端连接，电感L3的另一端与MOS管M2的漏极连接，电阻R2的一端与MOS管M2的栅极连接，电阻R2的另一端通过电阻R1与MOS管M1的栅极连接；电感L5的一端及MOS管M5的漏极与第一螺旋耦合结构的一个端口的另一端连接，电感L5的另一端与MOS管M6的漏极连接，电阻R6的一端与MOS管M6的栅极连接，电阻R6的另一端通过电阻R5与MOS管M5的栅极连接；MOS管M2的源极与MOS管M6的源极连接并接地，MOS管M1的源极与MOS管M5的源极连接并接地，电阻R2的另一端与电阻R6的另一端之间接电源电阻L3的另一端与电阻L5的另一端作为第一差分信号输出端口。3.根据权利要求2所述的一种基于螺旋耦合差分电感的W波段单刀双掷开关，其特征在于，所述电阻R1、电阻R2、MOS管M1、MOS管M2、电感L3组成一个开关，所述电阻R6、电阻R5、MOS管M5、MOS管M6、及电感L5组成一个开关，两个开关的工作方式相同，通过控制MOS管的栅极电压控制开关的通断，当MOS管M1或者MOS管M2的栅压为高电平时，MOS管M1或者MOS管M2导通，信号通过MOS管M1或者MOS管M2流入地，开关关断，当MOS管M1且或者MOS管M2的栅压为低电平时，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐余龙，张炎，曹锐，姜力晖，李庄，彭国良，陶小辉，荣大伟，徐晓荣，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：发明
国别省市：