高隔离射频开关制造技术

技术编号:31978260 阅读:15 留言:0更新日期:2022-01-20 01:31
本公开涉及高隔离射频开关。实施例提供了一种射频(RF)开关电路。所述开关包括被配置且布置成在控制信号处于第一逻辑值时将耦合在输入节点处的RF信号传送到输出节点的分支。所述分支中的第一晶体管包括耦合在所述输入节点处的第一电流电极和耦合到中间节点的第二电流电极。所述第一晶体管形成于耦合到偏置电压电源端的第一隔离阱中。所述分支中的第二晶体管包括耦合到所述第一晶体管的在所述中间节点处的所述第二电流电极的第一电流电极,以及耦合在所述输出节点处的第二电流电极。所述第二晶体管形成于耦合到所述偏置电压电源端的第二隔离阱中。第三晶体管包括耦合在第一中间节点处的第一电流电极和耦合在第一电源端处的第二电流电极。处的第二电流电极。处的第二电流电极。

【技术实现步骤摘要】
高隔离射频开关


[0001]本公开大体上涉及电子电路,且更具体地涉及一种高隔离射频开关电路。

技术介绍

[0002]当今,例如汽车雷达装置等许多高性能RF和微波通信装置并入有被配置且布置成处理和操控RF和微波信号的电路。然而,此类电路系统可能会遇到信号泄漏电流和过量阻抗,从而引起高插入损耗和不良隔离。因此,需要提供容纳RF和微波信号同时使泄漏电流和阻抗最小化的电路系统。

技术实现思路

[0003]通常,提供一种电路,包括:第一分支,所述第一分支耦合在第一输入节点与第一输出节点之间,所述第一分支被配置且布置成在第一控制信号处于第一逻辑值时将耦合在所述第一输入节点处的射频(RF)信号传送到所述第一输出节点;所述第一分支中的第一晶体管,所述第一晶体管具有耦合在所述第一输入节点处的第一电流电极和耦合到第一中间节点的第二电流电极,所述第一晶体管形成于耦合到偏置电压电源端的第一隔离阱中;所述第一分支中的第二晶体管,所述第二晶体管具有在所述第一中间节点处耦合到所述第一晶体管的所述第二电流电极的第一电流电极和耦合在所述第一输出节点处的第二电流电极,所述第二晶体管形成于耦合到所述偏置电压电源端的第二隔离阱中;以及第三晶体管,所述第三晶体管具有耦合在所述第一中间节点处的第一电流电极和耦合在第一电源端处的第二电流电极。所述电路可以另外包括:第一电阻器,所述第一电阻器具有耦合以接收所述第一控制信号的第一端和耦合到所述第一晶体管的控制电极的第二端;以及第二电阻器,所述第二电阻器具有耦合以接收所述第一控制信号的第一端和耦合到所述第二晶体管的控制电极的第二端。所述电路可以另外包括:第一电阻器,所述第一电阻器具有耦合到所述偏置电压电源端的第一端和耦合到所述第一晶体管的所述第一隔离阱的第二端;以及第二电阻器,所述第二电阻器具有耦合到所述偏置电压电源端的第一端和耦合到所述第二晶体管的所述第二隔离阱的第二端。所述第三晶体管可以另外包括耦合以接收第二控制信号的控制电极,所述第二控制信号是所述第一控制信号的互补信号。所述第三晶体管可以形成于直接连接到所述偏置电压电源端的第三隔离阱中。所述RF信号可以借助于电容器耦合在所述第一输入节点处。所述电路可以另外包括:第二分支,所述第二分支耦合在第二输入节点与第二输出节点之间,所述第二分支被配置且布置成在所述第一控制信号处于所述第一逻辑值时将耦合在所述第二输入节点处的第二RF信号传送到所述第二输出节点;所述第二分支中的第四晶体管,所述第四晶体管具有耦合在所述第二输入节点处的第一电流电极和耦合到第二中间节点的第二电流电极;所述第二分支中的第五晶体管,所述第五晶体管具有在所述第二中间节点处耦合到所述第四晶体管的所述第二电流电极的第一电流电极和耦合在所述第二输出节点处的第二电流电极;以及第六晶体管,所述第六晶体管具有耦合在所述第一中间节点处的第一电流电极和耦合在所述第二中间节点处的第二电流电极,
所述第六晶体管被配置成在所述第一控制信号处于所述第一逻辑值时处于非导通状态。所述第一RF信号和所述第二RF信号一起可以表征为差分信号。所述电路可以另外包括连接在所述第一输入节点和所述第二输入节点处的阻抗匹配电路。
[0004]在另一实施例中,提供一种电路,包括:第一分支,所述第一分支耦合在第一输入节点与第一输出节点之间,所述第一分支被配置且布置成在第一控制信号处于第一逻辑值时将耦合在所述第一输入节点处的输入信号传送到所述第一输出节点;所述第一分支中的第一晶体管,所述第一晶体管具有耦合在所述第一输入节点处的第一电流电极和耦合到第一中间节点的第二电流电极,所述第一晶体管形成于耦合到偏置电压电源端的第一隔离阱中;所述第一分支中的第二晶体管,所述第二晶体管具有在所述第一中间节点处耦合到所述第一晶体管的所述第二电流电极的第一电流电极和耦合在所述第一输出节点处的第二电流电极,所述第二晶体管形成于耦合到所述偏置电压电源端的第二隔离阱中;以及第三晶体管,所述第三晶体管具有耦合在所述第一中间节点处的第一电流电极和耦合在第一电源端处的第二电流电极,所述第三晶体管形成于直接连接到所述偏置电压电源端的第三隔离阱中。所述电路可以另外包括:第一电阻器,所述第一电阻器具有耦合以接收所述第一控制信号的第一端和耦合到所述第一晶体管的控制电极的第二端;以及第二电阻器,所述第二电阻器具有耦合以接收所述第一控制信号的第一端和耦合到所述第二晶体管的控制电极的第二端。所述第三晶体管可以另外包括耦合以接收第二控制信号的控制电极,所述第二控制信号是所述第一控制信号的互补信号。所述电路可以另外包括:第一电阻器,所述第一电阻器具有耦合到所述偏置电压电源端的第一端和耦合到所述第一晶体管的所述第一隔离阱的第二端;以及第二电阻器,所述第二电阻器具有耦合到所述偏置电压电源端的第一端和耦合到所述第二晶体管的所述第二隔离阱的第二端。所述电路可以另外包括:第二分支,所述第二分支耦合在第二输入节点与第二输出节点之间,所述第二分支被配置且布置成在所述第一控制信号处于所述第一逻辑值时将耦合在所述第二输入节点处的第二输入信号传送到所述第二输出节点;所述第二分支中的第四晶体管,所述第四晶体管具有耦合在所述第二输入节点处的第一电流电极和耦合到第二中间节点的第二电流电极;以及所述第二分支中的第五晶体管,所述第五晶体管具有在所述第二中间节点处耦合到所述第四晶体管的所述第二电流电极的第一电流电极和耦合在所述第二输出节点处的第二电流电极。所述第一输入信号和所述第二输入信号一起可以表征为差分信号。所述电路可以另外包括第六晶体管,所述第六晶体管具有耦合在所述第一中间节点处的第一电流电极和耦合在所述第二中间节点处的第二电流电极,所述第六晶体管被配置成在所述第一控制信号处于第二逻辑值时处于导通状态。
[0005]在又另一实施例中,提供一种电路,包括:第一分支,所述第一分支耦合在第一输入节点与第一输出节点之间,所述第一分支被配置且布置成在第一控制信号处于第一逻辑值时将耦合在所述第一输入节点处的输入信号传送到所述第一输出节点,所述第一分支包括:第一晶体管,所述第一晶体管具有耦合在所述第一输入节点处的第一电流电极、耦合到第一中间节点的第二电流电极以及耦合以接收所述第一控制信号的控制电极;第二晶体管,所述第二晶体管具有在所述第一中间节点处耦合到所述第一晶体管的所述第二电流电极的第一电流电极、耦合在所述第一输出节点处的第二电流电极以及耦合以接收所述第一控制信号的控制电极;以及第三晶体管,所述第三晶体管具有耦合在所述第一中间节点处
的第一电流电极、耦合在第一电源端处的第二电流电极以及耦合以接收第二控制信号的控制电极,所述第二控制信号是所述第一控制信号的互补信号;第二分支,所述第二分支耦合在第二输入节点与第二输出节点之间,所述第二分支被配置且布置成在所述第一控制信号处于所述第一逻辑值时将耦合在所述第二输入节点处的第二输入信号传送到所述第二输出节点,所述第二分支包括:第四晶体管,所述第四晶体管具有耦合在所述第二输入节点处的第一电流电极、耦合到第二中间节点的第二电流电极以及耦合以接收所述第一控制信号的控制电极;第五晶体管,所述本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路,其特征在于,包括:第一分支,所述第一分支耦合在第一输入节点与第一输出节点之间,所述第一分支被配置且布置成在第一控制信号处于第一逻辑值时将耦合在所述第一输入节点处的射频(RF)信号传送到所述第一输出节点;所述第一分支中的第一晶体管,所述第一晶体管具有耦合在所述第一输入节点处的第一电流电极和耦合到第一中间节点的第二电流电极,所述第一晶体管形成于耦合到偏置电压电源端的第一隔离阱中;所述第一分支中的第二晶体管,所述第二晶体管具有在所述第一中间节点处耦合到所述第一晶体管的所述第二电流电极的第一电流电极和耦合在所述第一输出节点处的第二电流电极,所述第二晶体管形成于耦合到所述偏置电压电源端的第二隔离阱中;以及第三晶体管,所述第三晶体管具有耦合在所述第一中间节点处的第一电流电极和耦合在第一电源端处的第二电流电极。2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,另外包括:第一电阻器,所述第一电阻器具有耦合以接收所述第一控制信号的第一端和耦合到所述第一晶体管的控制电极的第二端;以及第二电阻器,所述第二电阻器具有耦合以接收所述第一控制信号的第一端和耦合到所述第二晶体管的控制电极的第二端。3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,另外包括:第一电阻器,所述第一电阻器具有耦合到所述偏置电压电源端的第一端和耦合到所述第一晶体管的所述第一隔离阱的第二端;以及第二电阻器,所述第二电阻器具有耦合到所述偏置电压电源端的第一端和耦合到所述第二晶体管的所述第二隔离阱的第二端。4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,另外包括:第二分支,所述第二分支耦合在第二输入节点与第二输出节点之间,所述第二分支被配置且布置成在所述第一控制信号处于所述第一逻辑值时将耦合在所述第二输入节点处的第二RF信号传送到所述第二输出节点;所述第二分支中的第四晶体管,所述第四晶体管具有耦合在所述第二输入节点处的第一电流电极和耦合到第二中间节点的第二电流电极;所述第二分支中的第五晶体管,所述第五晶体管具有在所述第二中间节点处耦合到所述第四晶体管的所述第二电流电极的第一电流电极和耦合在所述第二输出节点处的第二电流电极;以及第六晶体管,所述第六晶体管具有耦合在所述第一中间节点处的第一电流电极和耦合在所述第二中间节点处的第二电流电极,所述第六晶体管被配置成在所述第一控制信号处于所述第一逻辑值时处于非导通状态。5.一种电路,其特征在于,包括:第一分支,所述第一分支耦合在第一输入节点与第一输出节点之间,所述第一分支被配置且布置成在第一控制信号处于第一逻辑值时将耦合在所述第一输入节点处的输入信号传送到所述第一输出节点;所述第一分支中的第一晶体管,所述第一晶体管具有耦合在所述第一输入节点处的第
一电流电极和耦合到第一中间节点的第二电流电极,所述第一晶体管形成于耦合到偏置电压电源端的第一隔离阱中;所述第一分支中的第二晶体管,所述第二晶体管具有在所述第一中间节点处耦合到所述第一晶体管的所述第二电流电极的第一电流电极和耦合在所述第一输出节点处的第二电流电极,所述第二晶体管形成于耦合到所述偏置电压电源端的第二隔离阱中;以及第三晶体管,所述第三晶体管具有耦合在所述第一中间节点处的第一电流电极和耦合在第一电源端处的第二电流电极,所述第三晶体管形成于直接连接到所述偏置电压电源端的第三隔离阱中。6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:殷毅
申请(专利权)人:恩智浦美国有限公司
类型:发明
国别省市:

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