低应力热界面制造技术

一种衬底经由包括物理上不同体积的不同导电材料的独立式异质结构热界面材料接合到导电金属凸缘。所述异质结构热界面材料(例如，双金属箔)在一侧以冶金方式接合到所述衬底的底部，并且在相对侧以冶金方式接合到所述凸缘。可选择形成所述热界面材料的构成材料和其尺寸以实现所要的热导率和/或电导率，同时允许热膨胀系数(CTE)与所述衬底和/或所述凸缘匹配。

【技术实现步骤摘要】

本文中所描述的主题的实施例涉及用于半导体封装的热界面材料。

技术介绍

1、高功率半导体装置和其它电子装置常常组装到封装中以保护装置免于损坏且提供宏观电接触。封装可由包括聚合物和陶瓷的各种材料制成。通常，封装将含有部件所接合到的凸缘或另一金属结构。此类凸缘可同时充当与半导体管芯的背面接触件以及充当热耗散结构，所述热耗散结构可耦合到外部散热器或其它冷却设备。

技术实现思路

1、根据本专利技术的第一方面，提供一种方法，包括：

2、接收半导体衬底，所述半导体衬底具有顶部表面和底部表面；

3、将独立式异质结构热界面材料的顶部表面以冶金方式接合到所述半导体衬底的所述底部表面；以及

4、通过经由管芯附接材料层将所述异质结构热界面材料的底部表面以冶金方式接合到金属凸缘，将所述半导体衬底耦合到具有设置在所述半导体装置管芯下方的顶部表面的所述金属凸缘；

5、其中所述异质结构热界面包括一定体积的第一导电材料和物理上不同于第一体积的导电材料的一定体积的第二导电材料。

6、在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在将异质结构热界面材料的所述顶部表面以冶金方式接合到所述半导体衬底的所述底部表面之前，将所述异质结构热界面材料的所述顶部表面以第一金属镀层镀覆。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括在将异质结构热界面材料的所述顶部表面以冶金方式接合到所述半导体衬底的所述底部表面之前，将所述异质结构热界面材料的所述底部表面以第二金属镀层镀覆。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底的所述底部表面包括背侧金属化层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在将异质结构热界面材料的所述顶部表面以冶金方式接合到所述半导体衬底的所述底部表面之前，将所述异质结构热界面材料的所述顶部表面以第一金属镀层镀覆。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括在将异质结构热界面材料的所述顶部表面以冶金方式接合到所述半导体衬底的所述底部表面之前，将所述异质结构热界面材料的所述底部表面以第二金属镀层镀覆。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底的所述底部表面包括背侧金属化层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述异质结构热...

【专利技术属性】
技术研发人员：沙兰·基肖尔，李璐，杰纳尔·A·莫拉，林慧忆，弗雷克·E·范斯坦腾，拉克斯明纳里言·维斯瓦纳坦，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：