一种用于改进谐波的射频开关电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于改进谐波的射频开关电路，涉及射频集成电路技术领域。本实用新型专利技术包括：串联支路模块：包括2N个第一开关晶体管、第一源漏电阻、栅极偏置电阻、体区偏置电阻，2N

【技术实现步骤摘要】
一种用于改进谐波的射频开关电路


[0001]本技术属于射频集成电路
，特别是涉及一种用于改进谐波的射频开关电路。

技术介绍

[0002]随着无线移动通信技术的不断发展，射频开关在多频带前端模组和天线调谐器中承担了越来越重要的作用。尤其在天线调谐器的多场景应用下，提高谐波性能成为射频开关的一个重要研究方向。
[0003]以最简单的单刀单掷SPST型射频开关为例，射频开关在导通状态下时VG1＝2.5V，VG2＝
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2.5V，当高功率的射频信号从RF1或RF2端进入时，射频输出信号在RF2或RF1端会产生谐波。通常情况下，当射频输出信号的二次谐波、三次谐波数值比较大时，射频开关的性能也会变差，因此降低射频开关的二次谐波、三次谐波对于提高射频开关的整体性能有着十分重要的作用。
[0004]本技术通过改变栅极偏置电阻网络和开关晶体管的偏置方式改进了射频开关的二次谐波，同时也优化了射频开关的耐压均匀性。

技术实现思路

[0005]本技术提供了一种用于改进谐波的射频开关电路，解决了以上问题。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于改进谐波的射频开关电路，其特征在于，包括：串联支路模块：包括2N个第一开关晶体管(M11)、2N个第一源漏电阻(Rds1)、2N个栅极偏置电阻(R11)、2N个体区偏置电阻(R12)、2N
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1个第一栅极串联电阻(R21)、2N
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1个体区串联电阻(R22)、一个第一栅极公共端电阻(R31)以及一个体区公共端电阻(R32)；所述N为正整数；第1级第一开关晶体管(M11)的漏极与第一射频输入输出端口(RF1)相连，第1级第一开关晶体管(M11)的源极与第二级第一开关晶体管(M11)的漏极相连，第1级第一开关晶体管(M11)的源极、漏极分别与第一源漏电阻(Rds1)的两端相连；第1级第一开关晶体管(M11)的栅极与第1级栅极偏置电阻(R11)的一端相连，第1级栅极偏置电阻(R11)的另一端与第1级第一栅极串联电阻(R21)的一端相连；第1级第一开关晶体管(M11)的体区与第1级体区偏置电阻(R12)的一端相连，第1级体区偏置电阻(R12)的另一端与第1级体区串联电阻(R22)的一端相连；第二级至第2N
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1级的的第一开关晶体管(M11)、第一源漏电阻(Rds1)、栅极偏置电阻(R11)、第一栅极串联电阻(R21)、体区偏置电阻(R12)、体区串联电阻(R22)的连接方式按照以上所述连接进行类推连接；第2N级第一开关晶体管(M11)的漏极与第2N
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1级第一开关晶体管(M11)的源极相连，第2N级第一开关晶体管(M11)的源极与第二射频输入输出端口(RF2)相连，第2N级第一开关晶体管(M11)的源极、漏极分别与第一源漏电阻(Rds1)的两端相连，第2N级第一开关晶体管(M11)的栅极与第2N级栅极偏置电阻(R11)的一端相连，第2N级栅极偏置电阻(R11)的另一端与第2N
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1级第一栅极串联电阻(R21)的一端相连；第2N级第一开关晶体管(M11)的体区与第2N级体区偏置电阻(R12)的一端相连，第2N级体区偏置电阻(R12)的另一端与第2N
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1级体区串联电阻(R22)的一端相连；并联支路模块：包括2M个第二开关晶体管(M12)、2M个偏置晶体管(M2)、2M个第二源漏电阻(Rds2)、2M个第二栅极偏置电阻(R4)、2M
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1个第二栅极串联电阻(R5)和1个第二栅极公共端电阻(R6)；所述M为...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈宇，管剑铃，谢婷婷，王玉娇，周德杭，倪成东，倪文海，徐文华，
申请(专利权)人：上海迦美信芯通讯技术有限公司，
类型：新型
国别省市：