【技术实现步骤摘要】
一类强供电子基氟硼二吡咯衍生物及其制备方法和应用
[0001]本专利技术属于光电子领域,涉及一类强供电子基氟硼二吡咯衍生物及其制备方法及利用其作为供体掺杂的光电探测器的应用。
技术背景
[0002]光电探测器可以将光信号转换为电信号,广泛应用于环境监测,图像感应,监控,智能手机,摄像头等等商用光电探测器仍以硅等无机半导体光电探测器为主,基于Si和InGaAs的光电探测器,由于它们极好的载流子迁移率,小激子,但无机光电探测器的制造过程相当复杂,环境不友好,导致成本较大,且无机光电探测器的机械刚性限制了其在柔性和便携式器件中的应用。
[0003]采用溶液处理的有机光电探测器由于其与无机相比的,存在可溶液处理、可大面积加工、且制成的有机光电探测器机械灵活性稿、重量轻、具备室温工作温度和低成本的优势,且能够弥补目前商用无机光电探测器的缺点。评价层状器件光电探测器的指标有很多,例如,响应速度、工作电压、噪声电流,探测范围,探测率等。
[0004]氟硼二吡咯染料,简称aza
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BODIPY,是近年来出现 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一类强供电子基氟硼二吡咯衍生物,其特征在于,所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物的分子结构通式为以下任意一种,分别采用BDP
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D
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R,BOP
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P
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R表示:其中,R和R^可以相同,也可以不同,R和R^选自以下结构中的任意一种:其中,R7可独立地选自具有正整数个碳原子的直链、支链、环状烷基链或环状烷醚中的任何一种。2.如权利要求书1所述一类强供电子基氟硼二吡咯衍生物的制备方法,其特征在于,所述BDP
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D
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R合成路线如下所示:其中,3.如权利要求书1所述一类强供电子基氟硼二吡咯衍生物的制备方法,其特征在于,所
述BDP
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P
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R合成路线如下所示:其中,4.如权利要求1所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物的应用,其特征在于,所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物作为受体材料掺杂制作光电探测器材料。5.如权利要求4所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物的应用,其特征在于,所述光电探测器可为体异质结型或平面异质结型器件。6.如权利要求4所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物的应用,...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘淑娟,余波,赵强,陈曦,黄维,
申请(专利权)人:南京邮电大学,
类型:发明
国别省市:
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