一种降低磷化铟基探测器暗电流的方法技术

本发明专利技术涉及一种降低磷化铟基探测器暗电流的方法，包括以下步骤：提供InP衬底，在InP衬底生长N型InP，光吸收层、未掺杂的InP层、光刻掩膜形成掩膜层，扩散形成P型InP；采用电子束蒸发或者磁控溅射的方式形成P型电极，在背面形成N型电极；其中，芯片切割道的位置采用掩膜层覆盖。掩膜层为氮化硅薄膜或二氧化硅薄膜。掩膜层采用PECVD工艺制成。本发明专利技术的有益之处在于，可以有效降低器件的暗电流，提升器件性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
一种降低磷化铟基探测器暗电流的方法


[0001]本专利技术涉及一种降低磷化铟基探测器暗电流的方法。

技术介绍

[0002]为了满足人们对信息传递的要求，光通信网络逐步向高速、全光网方向发展。半导体光电探测器作为光通信网络中重要的接收器件，其性能影响整个光通信网络的运转。评价光电探测器的主要指标有：响应度、暗电流、响应波长范围、其中暗电流的大小直接影响了器件的性能。光电探测器分为光电二级管(PIN)以及雪崩光电二极管(APD)。
[0003]在制作光电二极管(PIN)的过程中有一步关键工艺扩散，扩散的目的是为了形成P型半导体，扩散工艺的好坏直接影响器件的性能。
[0004]目前整片wafer扩散为了防止扩散掩膜层因为应力太大而导致的掩膜层产生与衬底层分层等现象，一般将掩膜层的芯片切割道打开，从而导致切割道被扩散，增大了器件的暗电流。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种降低磷化铟基探测器暗电流的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低磷化铟基探测器暗电流的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供InP衬底，在InP衬底生长N型InP，光吸收层、未掺杂的InP层、光刻掩膜形成掩膜层，扩散形成P型InP；采用电子束蒸发或磁控溅射的方式形成P型电极，在背面形成N型电极；其中，芯片切割道的位置采用所述掩膜层覆盖。2.根据权利要求1所述的一种降低磷化铟基探测器暗电流的方法，其特征在于，所述掩膜层为氮化硅薄膜或二氧化硅薄膜。3.根据权利要求1所述的一种降低磷化铟基探测器暗电流的方法，其特征在于，所述掩膜层采用PECVD工艺制成。4.一种降低磷化铟基探测器暗电流的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供InP衬底，在InP衬底生长N型InP，光吸收层、未掺杂的InP层、光刻掩膜形成掩膜层，扩散形成P型InP；采用电子束蒸发或磁控溅射的方式形成P型电极，在背面形成N型电极；其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：万远涛，廖世容，况诗吟，
申请(专利权)人：浙江光特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：