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本发明涉及一种降低磷化铟基探测器暗电流的方法，包括以下步骤：提供InP衬底，在InP衬底生长N型InP，光吸收层、未掺杂的InP层、光刻掩膜形成掩膜层，扩散形成P型InP；采用电子束蒸发或者磁控溅射的方式形成P型电极，在背面形成N型电极；其...
该专利属于浙江光特科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江光特科技有限公司授权不得商用。

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