【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及管脚型光电二极管，它对光接收信号具有高线性度的信号电流并且实现了宽带高速的特性。具体而言，本专利技术涉及一种管脚型光电二极管，它防止了空穴在光学吸收层与p型半导体层(邻近光学吸收层)之间的界面(或边界)处不需要地堆积，从而消除了信号电流的调制变形。管脚型光电二极管具有多层结构，其中在p型半导体层与n型半导体层之间夹持一层低载流子浓度的i型半导体层。特别是，例如通过在n型InP衬底11上依次外延生长n型层12、n-型GaInAsP层13、InGaAs层14、p-型GaInAsP、p-型InP层16以及p+-型GaInAs层19构造出如同8所示的波导型光电二极管。在上述p+型GaInAs层19上形成了光电二极管的p-电极17，而在n-型InP衬底11的下表面(背面)形成了n-电极。Ti/Pt/Au用作p-电极，而AuGeNi/Au用作n电极18。前述InGaAs层14为低杂质浓度的半导体层，其具有足以接收光信号的光学吸收边缘波长，并且具有相应的带宽能量，起着光学吸收层的作用。n-型GaInAsP层13和靠近光学吸收层的p-型GaInAsP层15都是...
【技术保护点】
一种管脚状光电二极管，其特征在于包含由ＧａＩｎＡｓＰ层组成的光学吸收层和由靠近光学吸收层的ｐ－型ＡｌＧａＩｎＡｓ层组成的ｐ－型半导体层。
【技术特征摘要】
JP 1995-12-21 333592/951.一种管脚状光电二极管，其特征在于包含由GaInAsP层组成的光学吸收层和由靠近光学吸收层的p-型AlGaInAs层组成的p-型半导体层。2.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于由GaInAsP层组成的光学吸收层与由靠近光学吸收层的p-型AlGaInAs层组成的p-型半导体层之间的价带失配差设定得不大于0.05eV。3.如权利要求2所述的光电二极管，其特征在于光学吸收层由吸收边缘波长从1.65-1.55微米的GaInAsP层组成，而p-型半导体层由吸收边缘波长为1.55-1.30微米的p-型AlGaInAs层组成。4.如权利要求2所述的光电二极管，其特征在于光学吸收层由吸收边缘波长为1.56-1.36微米的GaInAsP层组成，而p-型半导体层由吸收边缘波长为1.30-1.14微米的p-型AlGaInAs层组成。5.如权利要求1-4中任一项所述的光电二极管，其特征在于其为光波导结构。6.一种管脚状光电二极管，其特征在于包括n-型InP衬底；由形成于n-型InP衬底上的n-型InP层或者n-型AlInAs层组成的n涂层，其晶格与n型InP衬底匹配；由形成于n涂层上的n-型GaInAsP层或者n-型AlGaInAs层组成的n光波导层，n-型GaInAsP层或者n-型AlGaInAs层不吸收波长为1.55微米的光线并且其晶格与n型InP衬底匹配；由形成于n光波导层上的非掺杂或者低掺杂的GaInAs层或GaInAsP层组成的光学吸收层，GaInAs层或GaInAsP层吸收波长为1.55微米的光线并且其晶格与n光波导层匹配；由形成于光学吸收层上的p-型AlGaInAs层或者p-型AlGaInAs层组成的p光波导层，p-型AlGaInAs层或者p-型Al...
【专利技术属性】
技术研发人员：西片一昭，入川理德，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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