【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使电子源成像在远端表面上的装置和方法。本专利技术特别用在电子束光刻系统中。光刻系统的主要用途之一是在半导体领域中制造集成电路和类似器件。一般，通过在晶片上形成大量相似的集成电路(半导体芯片)，然后将晶片分割成单个芯片加工成完成的半导体晶片。可通过包括光学光刻、X射线光刻、直接写图电子束光刻等各种不同方式在晶片上形成集成电路图形。光学光刻采用受可达到的最小特征尺寸限制的掩模和光栅，并存在一套工艺中每个后续掩模或光栅必须与预先形成图形层准确地对齐的额外缺陷。另外，掩模生成、检验和检修增加了大量费用和延时，由于每一步骤必须用单独的和昂贵的机器完成。在光刻过程中，晶片被涂覆一层光敏乳胶，一束光(或其它激发粒子)通过该掩模或光栅，然后使晶片上光敏乳胶中的元件、电路、互连线等曝光。例如，在过去，已发现X射线束可用于使小于一微米宽的线曝光。其问题是用单束X射线使许多个芯片中的所有特征曝光需要大量时间。另外，当晶片的尺寸从100mm的直径增加到300mm的直径时，该问题更加严重。已设计了一些多束电子光刻系统，但这些系统受可被写图的晶片的尺寸限制，即，由于采用产...
【技术保护点】
用于使电子源在远端表面上成像的电子柱光学器件，其特征在于，该光学器件包括：一个电子源；一个为接收来自该电子源的电子并用来将电子的第一加速度提供到第一加速度范围而设置的第一电透镜组件，该第一电透镜组件进一步用来基本上补偿由第一加速度产 生的像散现象；和一个为接收来自第一电透镜组件的有第一加速度范围的电子，并用来将电子的第二加速度提供到第二加速度范围而设置的第二电透镜组件，与远端表面结合，该第二电透镜组件进一步用来将接收的电子聚焦在该远端表面上。
【技术特征摘要】
US 1995-11-13 08/5549951.用于使电子源在远端表面上成像的电子柱光学器件，其特征在于，该光学器件包括一个电子源；一个为接收来自该电子源的电子并用来将电子的第一加速度提供到第一加速度范围而设置的第一电透镜组件，该第一电透镜组件进一步用来基本上补偿由第一加速度产生的像散现象；和一个为接收来自第一电透镜组件的有第一加速度范围的电子，并用来将电子的第二加速度提供到第二加速度范围而设置的第二电透镜组件，与远端表面结合，该第二电透镜组件进一步用来将接收的电子聚焦在该远端表面上。2.根据权利要求1的述的电子柱光学器件，其特征在于，电子柱光学器件定义一个光轴，电子源设置在一端，远端表面设置在另一端，第一和第二电透镜组件沿光轴设置在电子源和远端表面之间。3.根据权利要求2的述的电子柱光学器件，其特征在于，电子源包括用于产生多个电子束的多个像素，该多个像素通常定义一个垂直于光轴的短轴，和一个比该短轴长，垂直于该光轴的长轴。4.根据权利要求3的述的电子柱光学器件，其特征在于，第一电透镜组件包括一个沿该源的长轴平行延伸一般为矩形的狭缝孔径。5.根据权利要求4的述的电子柱光学器件，其特征在于，一般为矩形的狭缝孔径被施加比从电子源发射的电子的电势相对低的电势。6.根据权利要求4的...
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