【技术实现步骤摘要】
一种极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立方法、装置及电子设备
[0001]本专利技术涉及微电子
，尤其涉及一种极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立方法、装置及电子设备。
技术介绍
[0002]极紫外光刻(EUVL)是以波长为11～14nm的EUV射线为曝光光源的微电子光刻技术，适用于特征尺寸为32nm及更细线宽的集成电路的大批量生产。EUV 光刻原理：通过激光激发或者放电产生等离子体，等离子体发出EUV辐射，EUV 辐射经过由周期性多层薄膜反射镜组成的聚焦系统入射到反射掩模上，反射出的EUV光波再通过反射镜组成的投影系统，将反射掩模上的集成电路的几何图形成像到硅片上的光刻胶中，从而形成集成电路所需要的光刻图形。掩模反射入射光时会在靠近其表面的位置产生衍射电场，这被称为掩模近场。衍射近场数据由XX、XY、YX、YY衍射数据组成。
[0003]计算光刻技术，如光学接近校正(OPC)和源掩模优化(SMO)，是提高光刻成像性能的重要工具。在OPC和SMO迭代过程中，EUV成像模型需要反复调用，成像模型的速度和精度对计算光刻...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立方法，其特征在于，所述方法包括：获取预设个数的掩模版图对应的衍射矩阵数据库，其中，每个所述掩模版图对应有至少一个衍射矩阵；基于所述掩模版图对应的衍射矩阵数据库对每个所述掩模版图进行切割分类处理，得到多个种类的特征图形；基于每个种类的所述特征图形，确定相应具备掩模衍射近场特性的卷积核；根据所述卷积核确定测试版图对应的近场数据，完成所述极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述掩模版图对应的衍射矩阵数据库对每个所述掩模版图进行切割分类处理，得到多个种类的特征图形，包括：基于每个所述掩模板图对应的衍射矩阵将所述掩模版图的版图矩阵向外延展第一预设个数像素点，得到相应的扩大化版图矩阵；基于每个所述掩模板图对应的衍射矩阵将所述掩模板图的版图矩阵向内缩小第二预设个数像素点，得到相应的缩小化版图矩阵；基于所述扩大化版图矩阵和所述缩小化版图矩阵确定版图边缘图形矩阵；对所述版图边缘图形矩阵按照多个外侧边缘特征进行分割，得到所述多个种类的特征图形。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述版图边缘图形矩阵按照多个外侧边缘特征进行分割，得到所述多个种类的特征图形，包括：对所述版图边缘图形矩阵按照多个外侧边缘特征进行分割，得到具有相应边缘特征的多个特征二维矩阵；依据多个所述外侧边缘特征的不同特征点对所述多个特征二维矩阵进行二次分类，得到所述多个种类的特征图形。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衍射矩阵包括XX衍射矩阵、YY衍射矩阵、XY衍射矩阵和YX衍射矩阵；所述卷积核包括衍射近场实部卷积核和衍射近场虚部卷积核；所述基于每个种类的所述特征图形，确定相应具备掩模衍射近场特性的卷积核，包括：基于每个种类的所述特征图形，通过提取每个种类的所述特征图形中像素点，确定每个种类的所述特征图形的像素点坐标集合；基于所述像素点坐标集合确定所述每个种类的所述特征图形的像素点坐标对应在所述XX衍射矩阵、所述YY衍射矩阵、所述XY衍射矩阵和所述YX衍射矩阵的近场数据；基于所述XX衍射矩阵的衍射特性、所述YY衍射矩阵的衍射特性和中间缩小版图衍射特性，对所述XX衍射矩阵的近场数据和所述YY衍射矩阵的近场数据进行拟合，确定具有所述外侧边缘特征的第一数值个第一卷积核和第二数值个第二卷积核；基于所述XY衍射矩阵的衍射特性、所述YX衍射矩阵的衍射特性和中间缩小版图衍射特性，对所述XY衍射矩阵的近场数据和所述YX衍射矩阵的近场数据进行拟合，确定具有所述外侧边缘特征的第三数值个第三卷积核和第四数值个第四卷积核；基于第一数值个所述第一卷积核、第二数值个所述第二卷积核、第三数值个所述第三卷积核和第四数值个所述第四卷积核确定衍射近场实部卷积核和衍射近场虚部卷积核。5.根据权利要求1
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4任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：景旭宇，韦亚一，董立松，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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