一种多路输出的基准电压产生电路制造技术

本发明专利技术公开了一种多路输出的基准电压产生电路，包括带隙电路、偏置补偿电路、调整管PM3和电阻串分压网络，偏置补偿电路的输入端输入偏置电流Ibias，偏置补偿电路用于根据输入的偏置电流Ibias产生偏置电路电压VB，使带隙电路的MOS管工作在饱和区，偏置补偿电路的输出端与带隙电路的控制端连接，带隙电路的输入端与供电电源连接，带隙电路的输出端连接第一输出端口和电阻串分压网络；本发明专利技术调整管的负载能力强，阻性负载不影响VREF1的电压，经串联电阻串网络分压可以得到任何想要的参考电压，同时可根据最大负载大小合理设定调整管的尺寸，VREF1节点可以提供低压差稳压输出，给其他电路提供电源，芯片内部可以节省一个低压差稳压电源，有效降低电路成本。有效降低电路成本。有效降低电路成本。

【技术实现步骤摘要】
一种多路输出的基准电压产生电路


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种多路输出的基准电压产生电路。

技术介绍

[0002]模拟集成电路中经常用到的基准电压通常由带隙基准电路提供，普通的带隙基准电路只能提供一个基准电压，但事实上同一颗芯片里可能需要多个基准电压。传统的做法是，采用多个带隙基准电压电路分别产生所需的基准电压，这使得电路结构复杂化，面积和功耗将显著增加。另一种经常采用的方式是先产生基准电流，该基准电流在不同阻值的电阻上生成所需的各种基准电压；这种方式镜像电流的偏差和电阻绝对值的偏差会造成生成的带隙电压产生偏差。而且这些带隙基准电路往往需要高增益、高电源抑制比的运算放大器，因而需要额外的功耗和面积，不适合微功耗应用。
[0003]例如，中国专利CN201210013734.4公开了一种用于提供低噪声带隙基准电压源的电路。提供多路低噪声带隙基准电压源，并且通过增加快速启动电路使整个电路启动速度快；但依然采用多个带隙基准电压电路分别产生所需的基准电压，电路较为复杂。

技术实现思路

>[0004]本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多路输出的基准电压产生电路，其特征在于，包括：带隙电路、偏置补偿电路、调整管PM3和电阻串分压网络，所述偏置补偿电路的输入端输入偏置电流Ibias，所述偏置补偿电路用于根据输入的偏置电流Ibias产生偏置电路电压VB，使带隙电路的MOS管工作在饱和区，所述偏置补偿电路的输出端与带隙电路的控制端连接，所述带隙电路的输入端与供电电源连接，所述带隙电路的输出端连接第一输出端口和电阻串分压网络，所述电阻串分压网络与第二输出端口连接，第二输出端口输出多个基准电压，所述调整管PM3的输入端与供电电源连接，所述调整管PM3的输出端与第一输出端口连接，所述调整管PM3使得第一输出端口进行低压差稳压输出。2.根据权利要求1所述的一种多路输出的基准电压产生电路，其特征在于，所述带隙电路包括第一双极晶体管Q1、第二双极晶体管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第一偏置管NM1、第二偏置管NM2、第一电流镜像管PM1和第二电流镜像管PM2，所述第一双极晶体管Q1和第二双极晶体管Q2的基极连接，并与第一输出端口连接，第二电阻R2的一端与第二双极晶体管Q2的发射极连接，第二电阻R2的另一端与第一双极晶体管Q1的发射极连接，第一电阻R1的一端与第一双极晶体管Q1的发射极连接，第一电阻R1的另一端与地连接，第一双极晶体管Q1的集电极与第一偏置管NM1的源极连接，第二双极晶体管Q2的集电极与第二偏置管NM2的源极接接，第一偏置管NM1的栅极与第二偏置管NM2的栅极连接，并连接到偏置补偿电路的输出端，第一电流镜像管PM1的源极与供电电源连接，第一电流镜像管PM1的栅极与第一电流镜像管PM1的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：甘业兵，李彤，金玉花，
申请(专利权)人：杭州中科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：