一种基准源电路及芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及模拟集成电路技术领域，公开一种基准源电路及芯片。基准源电路包括电流产生电路、电压产生电路、电流镜电路、模拟电压产生电路及线性稳压电路，电流产生电路可产生正温度系数电流和负温度系数电流，电压产生电路可根据正温度系数电路和负温度系数电路，产生零温度系数电压，电流镜电路、模拟电压产生电路及线性稳压电路可基于电流产生电路和电压产生电路，分别产生基准电流、模拟基准电压及零温度系数电压。本实用新型专利技术实施例能够提供电路工作所需的多种基准源，以满足电路需求。以满足电路需求。以满足电路需求。

【技术实现步骤摘要】
一种基准源电路及芯片


[0001]本技术涉及模拟集成电路
，特别是涉及一种基准源电路及芯片。

技术介绍

[0002]基准电流源是指在模拟集成电路中用来作为其它电路的电流基准的高精度或各种温度系数的电流源。基准电流源是模拟电路所必不可少的基本部件，其广泛应用于运算放大器、A/D转换器及D/A转换器等模拟电路中，高性能模拟电路必须有高质量、高稳定性的电流和电压偏置电路来支撑，它的性能直接影响到电路的功耗、电源抑制比、开环增益等特性。
[0003]基准电压源一般应用于一些先进的电子产品，其可能是独立的、也可能集成在具有更多功能的器件中。例如，在数据转换器中，基准电压源提供了一个绝对电压，与输入电压进行比较以确定适当的数字输出。
[0004]传统的基准源一般只能提供特定的基准源，无法提供电路工作各种基准源的需求，因此，在有各种基准源需求的电路中，例如，在RTC电路中，由于RTC电路的功能十分复杂，所以需要给RTC电路提供各类基准源(如模拟电压源、数字电压源等)，显然，传统的基准源无法满足需求，存在一定的局限性。

技术实现思路

[0005]本技术实施例提供一种基准源电路及芯片，能够改善相关技术中的基准源无法满足电路需求的技术问题。
[0006]本技术实施例为改善上述技术问题提供了如下技术方案：
[0007]在第一方面，本技术实施例提供一种基准源电路，包括：
[0008]电流产生电路，用于产生正温度系数电流及负温度系数电流；
[0009]电压产生电路，与所述电流产生电路连接，用于根据所述正温度系数电流及所述负温度系数电流，产生零温度系数电压；
[0010]电流镜电路，与所述电流产生电路连接，用于根据所述正温度系数电流和/或所述负温度系数电流，产生基准电流；
[0011]模拟电压产生电路，与所述电流产生电路连接，用于镜像所述正温度系数电流，并基于所述正温度系数电流，产生模拟基准电压；
[0012]线性稳压电路，分别与所述电流产生电路及所述电压产生电路连接，用于镜像所述正温度系数电流，并根据所述正温度系数电流，钳位输出所述零温度系数电压。
[0013]可选地，所述电流产生电路包括：
[0014]第一电流镜单元，用于产生互为镜像关系的第一镜像电流与第二镜像电流；
[0015]电流产生单元，与所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第一镜像电流与第二镜像电流，产生正温度系数电流及负温度系数电流。
[0016]可选地，所述电流产生单元包括：
[0017]第一正温度系数电路，与所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第一镜像电流，产生第一正温度系数电流；
[0018]第二正温度系数电路，分别与第一正温度系数电路及所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第二镜像电流，产生第二正温度系数电流；
[0019]负温度系数电路，分别与所述电流镜电路、所述第一电流镜单元及所述第一温度系数电路连接，用于产生负温度系数电流。
[0020]可选地，所述第一电流镜单元包括第一PMOS管及第二PMOS管；
[0021]所述第一PMOS管的源极及所述第二PMOS管的源极均用于与给定电源连接，所述第一PMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的栅极及所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述第一正温度系数电路及所述负温度系数电路连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二正温度系数电路连接。
[0022]可选地，所述第一正温度系数电路包括第一NPN型三极管；
[0023]所述第一NPN型三级管的集电极分别与所述第一PMOS管的漏极及所述负温度系数电路连接，所述第一NPN型三极管的基极分别与所述第二正温度系数电路及所述负温度系数电路连接，所述第一NPN型三极管的发射极分别与第二正温度系数电路、所述负温度系数电路及所述电压产生电路连接。
[0024]可选地，所述第二正温度系数电路包括第二NPN型三极管及第一电阻；
[0025]所述第二NPN型三极管的集电极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述NPN型三极管的基极分别与所述第一NPN型三极管的基极及所述负温度系数电路连接，所述第一NPN型三极管的发射极与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第一NPN型三极管的发射极连接。
[0026]可选地，所述负温度系数电路包括第一NMOS管及第二电阻；
[0027]所述第一NMOS管的栅极与所述第一NPN型三极管的集电极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述电流镜电路连接，所述第一NMOS管的源极分别与所述第二电阻的一端及所述第一NPN型三极管的基极连接，所述第二电阻的另一端与所述第一NPN型三极管的发射极连接。
[0028]可选地，所述电压产生电路包括第三电阻；
[0029]所述第三电阻的一端与所述第一NPN型三极管的发射极连接，所述第三电阻的另一端接地。
[0030]可选地，所述基准电流包括正温度系数基准电流，所述电流镜电路包括第三PMOS管；
[0031]所述第三PMOS管的源极用于与给定电源连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的漏极用于输出所述正温度系数基准电流。
[0032]可选地，所述基准电流包括负温度系数基准电流，所述电流镜电路包括第四PMOS管及第五PMOS管；
[0033]所述第四PMOS管的源极及所述第五PMOS管的源极均用于与给定电源连接，所述第四PMOS管的栅极分别与所述第四PMOS管的漏极、所述第五PMOS管的栅极及所述负温度系数电路连接，所述第五PMOS管的漏极用于输出所述负温度系数电流。
[0034]可选地，所述基准电流还包括零温度系数基准电流，所述电流镜电路还包括第六
PMOS管及第七PMOS管；
[0035]所述第六PMOS管的源极及所述第七PMOS管的源极均用于与给定电源连接，所述第六PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极连接，所述第六PMOS管的漏极用于输出与流经所述第四PMOS管的电流成比例的电流，所述第七PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第七 PMOS管的漏极用于输出与流经所述第一PMOS管的电流成比例的电流，所述与流经所述第四PMOS管的电流成比例的电流和所述与流经所述第一PMOS管的电流成比例的电流合并后得到所述零温度系数电流。
[0036]可选地，所述模拟电压产生电路包括第八PMOS管、第二NMOS管、第三NPN型三极管、第四NPN型三极管、第四电阻及第一电容；
[0037]所述第八PMOS管的源极及所述第二NMOS管的漏极均用于与给定电源连接，所述第八PMOS管的漏极分别与所述第二NMOS管的栅极及所述第三NPN型三极管的集电极连接，所述第八PMOS管的栅极与所述第一 PMOS管的栅极连接，所述第三NPN型三极管的基极分别与所述第二NMOS 管的源极及所述第一电容的一端连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基准源电路，其特征在于，包括：电流产生电路，用于产生正温度系数电流及负温度系数电流；电压产生电路，与所述电流产生电路连接，用于根据所述正温度系数电流及所述负温度系数电流，产生零温度系数电压；电流镜电路，与所述电流产生电路连接，用于根据所述正温度系数电流和/或所述负温度系数电流，产生基准电流；线性稳压电路，分别与所述电流产生电路及所述电压产生电路连接，用于镜像所述正温度系数电流，并根据所述正温度系数电流，钳位输出所述零温度系数电压。2.根据权利要求1所述的基准源电路，其特征在于，所述电流产生电路包括：第一电流镜单元，用于产生互为镜像关系的第一镜像电流与第二镜像电流；电流产生单元，与所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第一镜像电流与第二镜像电流，产生正温度系数电流及负温度系数电流。3.根据权利要求2所述的基准源电路，其特征在于，所述电流产生单元包括：第一正温度系数电路，与所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第一镜像电流，产生第一正温度系数电流；第二正温度系数电路，分别与第一正温度系数电路及所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第二镜像电流，产生第二正温度系数电流；负温度系数电路，分别与所述电流镜电路、所述第一电流镜单元及所述第一正温度系数电路连接，用于产生负温度系数电流。4.根据权利要求3所述的基准源电路，其特征在于，所述第一电流镜单元包括第一PMOS管及第二PMOS管；所述第一PMOS管的源极及所述第二PMOS管的源极均用于与给定电源连接，所述第一PMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的栅极及所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述第一正温度系数电路及所述负温度系数电路连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二正温度系数电路连接。5.根据权利要求4所述的基准源电路，其特征在于，所述第一正温度系数电路包括第一NPN型三极管；所述第一NPN型三级管的集电极分别与所述第一PMOS管的漏极及所述负温度系数电路连接，所述第一NPN型三极管的基极分别与所述第二正温度系数电路及所述负...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷强，芦文，李健勋，
申请(专利权)人：深圳市中科蓝讯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：