天线结构制造技术

本发明专利技术提供一种天线结构，包括接地面、第一耦合天线及参考天线。第一耦合天线包括连接于接地面的一第一激发源，其中第一激发源用以激发一第一共振模态，且第一耦合天线因应于第一共振模态而在接地面形成一第一电流零点区域。参考天线包括连接于接地面的一第二激发源，其中第二激发源用以激发一第二共振模态，且参考天线因应于第二共振模态而在接地面形成一第二电流零点区域，其中第一激发源位于第二电流零点区域中，第二激发源位于第一电流零点区域中。藉此，可让第一耦合天线及参考天线之间具有较高的隔离度，进而避免第一耦合天线及参考天线彼此产生干扰。及参考天线彼此产生干扰。及参考天线彼此产生干扰。

【技术实现步骤摘要】
天线结构


[0001]本专利技术涉及一种天线结构，尤其涉及一种具高隔离度的多天线结构。

技术介绍

[0002]在现有技术中，为了缩小天线的尺寸，因此常使用平面倒F天线(PIFA)、耦合天线等1/4波长的共振结构，并于两天线之间同样加入用于增加隔离度的1/4波长共振结构。此外，现有技术中亦有使用1/2波长的闭槽孔与1/4波长PIFA相邻的配置，以利用其电性不同的特性达到良好隔离度。
[0003]然而，在以上二例中，由于天线必须并排，进而可能导致整体天线结构占据较大的空间。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供一种天线结构，其可用于解决上述技术问题。
[0005]本专利技术提供一种天线结构，包括接地面、第一耦合天线及参考天线。第一耦合天线包括连接于接地面的一第一激发源，其中第一激发源用以激发一第一共振模态，且第一耦合天线因应于第一共振模态而在接地面形成一第一电流零点区域。参考天线包括连接于接地面的一第二激发源，其中第二激发源用以激发一第二共振模态，且参考天线因应于第二共振模态而在接地面形成一第二电流零点区域，其中第一激发源位于第二电流零点区域中，第二激发源位于第一电流零点区域中。
附图说明
[0006]包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。
[0007]图1A是依据本专利技术第一实施例示出的天线结构示意图；
[0008]图1B是依据图1A示出的形成第一电流零点区域的示意图；
[0009]图1C是依据图1A示出的形成第二电流零点区域的示意图；
[0010]图2是依据图1B情境示出的电场强度分布图；
[0011]图3是依据本专利技术第一实施例示出的天线效能图；
[0012]图4A是依据本专利技术第二实施例示出的天线结构示意图；
[0013]图4B是依据图4A示出的形成第一电流零点区域的示意图；
[0014]图4C是依据图4A示出的形成第二电流零点区域的示意图；
[0015]图5是依据图4B情境示出的电场强度分布图；
[0016]图6是依据本专利技术第二实施例示出的天线效能图；
[0017]图7A是依据本专利技术第三实施例示出的天线结构示意图；
[0018]图7B是依据图7A示出的形成第一电流零点区域的示意图；
[0019]图7C是依据图7A示出的形成第二电流零点区域的示意图；
[0020]图8是依据图7B情境示出的电场强度分布图；
[0021]图9是依据本专利技术第三实施例示出的天线效能图；
[0022]图10是依据本专利技术第四实施例示出的天线结构图。
具体实施方式
[0023]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0024]请参照图1A，其是依据本专利技术第一实施例示出的天线结构示意图。在图1A中，天线结构100包括第一耦合天线110及参考天线120。第一耦合天线110包括第一激发源112、第一馈入部114及第一辐射体116，其中第一激发源112连接于接地面GND及第一馈入部114，且可用于激发第一共振模态。另外，第一辐射体116可耦接于接地面GND，并可通过耦合至经激发的第一激发源112及第一馈入部114而产生电流。
[0025]在本实施例中，参考天线120例如是一第二耦合天线，且可包括第二激发源122、第二馈入部124及第二辐射体126，其中第二激发源122连接于接地面GND及第二馈入部124，且用于激发第二共振模态。在第一实施例中，第二辐射体126可通过耦合至经激发的第二激发源122及第二馈入部124而产生电流。
[0026]在第一实施例中，第一辐射体116与第二辐射体126之间可存在第一距离D1(其例如是第一辐射体116与第二辐射体126之间的最短距离)，第一激发源112与第二激发源122之间可存在第二距离D2，且第一距离D1可不大于第二距离D2。此外，第一辐射体116可为1/4波长共振结构，第二辐射体126可为双端开路的1/2波长共振结构，且第二辐射体126的基频共振频率可相同于第一辐射体116的基频共振频率。
[0027]在第一实施例中，第一耦合天线110可因应于第一激发源112所激发的第一共振模态而在接地面GND上形成第一电流零点区域，而其相关细节将辅以图1B作进一步说明。参考天线120可因应于第二激发源122所激发的第二共振模态而在接地面GND形成第二电流零点区域，而其相关细节将辅以图1C作进一步说明。在本专利技术的实施例中，所称的电流零点区域例如是未有电流流过的区域，或是流过的电流极小的区域。
[0028]在第一实施例中，第一激发源112可经设计以位于参考天线120对应的第二电流零点区域中，而第二激发源122可经设计以位于第一耦合天线对应的第一电流零点区域中。藉此，可增加第一耦合天线110及参考天线120之间的隔离度，进而避免第一耦合天线110及参考天线120彼此产生干扰。
[0029]请参照图1B，其是依据图1A示出的形成第一电流零点区域的示意图。在图1B中，当第一激发源112被激发时，第一馈入部114可耦合至第一辐射体116而激发第一共振模态，并在第一辐射体116上形成第一电流I1，其中第一电流I1可流入接地面GND以形成第一地电流GI1。
[0030]如图1B所示，第一地电流GI1大致可朝向图面的右方流去，但有一部分的第一地电流GI1(即，电流GI1a)可朝向图面的左方流去，但可不限于此。
[0031]此外，当第一激发源112被激发时，第二辐射体及126及接地面GND可因应于第一电流I1而产生第一耦合电流CI1。在此情况下，由于接地面GND的第一耦合电流CI1的一部分(即，电流CI1a)与第一地电流GI1的上述部分(即，电流GI1a)流动的方向相反，因此电流
CI1a可抵销电流GI1a而形成接地面GND上的第一电流零点区域ZI1。
[0032]请参照图1C，其是依据图1A示出的形成第二电流零点区域的示意图。在图1C中，当第二激发源122被激发时，第二馈入部124可耦合至第二辐射体126而激发第二共振模态，并在第二辐射体126上形成第二电流I2。此外，接地面GND可因应于第二电流I2而形成第二地电流GI2。
[0033]相应地，第一辐射体116可因应于第二电流I2而形成流动于第一辐射体116及接地面GND上的第二耦合电流CI2。在图1C情境中，流动于接地面GND的第二耦合电流CI2大致可朝向图面的左方流去，但有一部分的第二耦合电流CI2(即，电流CI2a)可朝向图面的右方流去，但可不限于此。在此情况下，由于流动于接地面GND的第二耦合电流CI2的一部分(即，电流CI2a)与第二地电流GI2的一部分(即，电流GI2a)的流动方向相反，因此电流CI2a可抵销电流GI2a而形成接地面GND上的第二电流零点区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种天线结构，其特征在于，包括：接地面；第一耦合天线，包括连接于所述接地面的第一激发源，其中所述第一激发源用以激发第一共振模态，且所述第一耦合天线因应于所述第一共振模态而在所述接地面形成第一电流零点区域；以及参考天线，包括连接于所述接地面的第二激发源，其中所述第二激发源用以激发第二共振模态，且所述参考天线因应于所述第二共振模态而在所述接地面形成第二电流零点区域，其中所述第一激发源位于所述第二电流零点区域中，所述第二激发源位于所述第一电流零点区域中。2.根据权利要求1所述的天线结构，其中所述第一耦合天线还包括：第一辐射体，其连接于所述接地面；以及第一馈入部，其通过所述第一激发源连接至所述接地面，其中所述第一馈入部耦合至所述第一辐射体而激发所述第一共振模态，并在所述第一辐射体上形成第一电流，其中所述第一电流流入所述接地面以形成第一地电流。3.根据权利要求2所述的天线结构，其中所述参考天线还包括：第二辐射体，其中所述第二辐射体及所述接地面因应于所述第一电流而产生第一耦合电流，且所述接地面的所述第一耦合电流的部分抵销所述第一地电流的部分而形成所述接地面上的所述第一电流零点区域。4.根据权利要求3所述的天线结构，其中所述第一辐射体因应于所述第一电流而至少具有第一电流强区及第一电流弱区，所述第二辐射体因应于所述第一耦合电流而至少具有第二电流强区及第二电流弱区，其中所述第一电流弱区在所述接地面上的垂直投影至少部分重叠于所述第二电流弱区在所述接地面上的垂直投影。5.根据权利要求4所述的天线结构，其中所述第一电流强区在所述接地面上的垂直投影至少部分重叠于所述第二电流强区在所述接地面上的垂直投影。6.根据权利要求4所述的天线结构，其中所述第一辐射体与所述第二辐射体之间存在第一距离，所述第一激发源与所述第二激发源之间存在第二距离，且所述第一距离不大于所述第二距离。7.根据权利要求1所述的天线结构，其中所述参考天线还包括：第二辐射体，其经由所述第二激发源激发所述第二共振模态而形成流动于所述第二辐射体上的第二电流，其中所述接地面因应于所述第二电流而形成第二地电流。8.根据权利要求7所述的天线结构，其中所述第一耦合天线还包括：第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹钧丞，刘适嘉，余晏豪，李丽君，赖瑞宏，林志衡，
申请(专利权)人：仁宝电脑工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：