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瞬态光电压测试样品组件制造技术

技术编号:32200840 阅读:33 留言:0更新日期:2022-02-08 16:07
本发明专利技术涉及一种瞬态光电压测试样品组件,包括:第一夹板,所述第一夹板具有第一贯通开口,所述第一夹板上设置有凹槽;所述凹槽用于放置待测试样品电极;第二夹板,所述第二夹板具有第二贯通开口,所述第二贯通开口与所述第一贯通开口相对应设置;所述第二贯通开口的两侧设置有第二卡合部位;电极板,所述电极板具有第一电极柱,所述第一电极柱贯通所述第二夹板与所述测试样品接触,所述第一电极柱设置在靠近所述第二贯通开口处;磁性材料,所述磁性材料设置在所述第一夹板和所述第二夹板的四周边角处。周边角处。周边角处。

【技术实现步骤摘要】
瞬态光电压测试样品组件


[0001]本申请涉及瞬态光电压测量系统
,特别是涉及一种瞬态光电压测试样品组件。

技术介绍

[0002]目前随着能源危机和环境污染的日益加重,在材料应用领域,尤其是半导体材料、光电材料在解决能源和环境问题方面有着极其重要的应用前景,因此加强材料的基础研究意义十分重大。在对材料的研究中,材料电子属性的测量是必不可少的。电子属性包括各种光电材料和其它半导体器件中的载流子动力学,载流子密度,传输/复合寿命,扩散长度,迁移率和复合速率等。
[0003]而目前对材料电子属性的测量技术有瞬态光电压、光电流及其衍生出的累积电荷量等技术。但是光电流技术主要表征光电材料在模拟太阳光下的氧化还原反应底物的能力。累积电荷量技术主要表征不同电位下光生电荷在光电材料与电解液固液界面累积的技术。上述两项技术还不足以研究载流子复合,光生,电荷传输机制和收集等的载流子动力学的基本物理研究。而瞬态光电压技术可以表征光生电荷在半导体内产生、分离、传输和复合的过程。
[0004]但是,现有的瞬态光电压技术无论是在工作原理上、还是时间尺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种瞬态光电压测试样品组件,其特征在于,包括:第一夹板,所述第一夹板具有一个第一贯通开口;所述第一夹板上设置有凹槽,所述凹槽横跨所述第一贯通开口;所述第一贯通开口的两侧设置有第一卡合部位;所述凹槽用于放置待测试样品电极;第二夹板,所述第二夹板具有一个第二贯通开口,所述第二贯通开口与所述第一贯通开口相对应设置;所述第二贯通开口的两侧设置有第二卡合部位,所述第二卡合部位和所述第一卡合部位相互配合卡合;电极板,所述电极板设置在所述第二夹板上且与所述第二卡合部位相对的一面;所述电极板具有第一电极柱,所述第一电极柱贯通所述第二夹板与所述测试样品接触,所述第一电极柱设置在靠近所述第二贯通开口处;磁性材料,所述磁性材料设置在所述第一夹板和所述第二夹板的内部,位于所述第一夹板和所述第二夹板内的所述磁性材料相互吸合,相互吸合住的所述第一夹板和所述第二夹板夹持住所述样品电极。2.根据权利要求1所述的瞬态光电压测试样品组件,其特征在于,所述凹槽位于所述第一夹板的中间位置;所述凹槽的面积大于所述第一贯通开口的面积;其中,所述样品电极的一部分从所述第一贯通开口处露出,所述样品电极的另一部分夹持在所述凹槽内。3.根据权利要求1所述的瞬态光电压测试样品组件,其特征在于,所述第一夹板还设置有多个第一容置槽,部分所述磁性材料安装在所述第一容置槽内,所述第一容置槽的数量与位于所述第一夹板上的所述磁性材料的数量相同;所述第一容置槽设置在所述第一夹板的四周边角处,所述第一容置槽之间相互对称。4.根据权利要求3所述的瞬态光电压测试样品组件,其特征在于,所述第一容置槽为贯通槽,所述第一容置槽的贯通开口与所述凹槽位于同一平面,所述第一容置槽暴露出所述磁性材料边沿。5.根据权利要求1所述的瞬态光电压测试样品组件,其特征在于,所述凹槽内设置有样品电极容置槽 ,所述样品电极容置槽形状与所述样品电极形状相同;所述样品电极容置槽与所述凹槽的厚度两者的厚度之和与所述样品电极的厚度相同。6...

【专利技术属性】
技术研发人员:康振辉刘阳
申请(专利权)人:苏州大学
类型:发明
国别省市:

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