一种用于大功率适配器的浪涌抑制电路及该大功率适配器制造技术

本发明专利技术公开了一种用于大功率适配器的浪涌抑制电路，所述大功率适配器包括整流电路，所述整流电路的交流端的两端连接交流电，所述浪涌抑制电路包括电解电容、抑制电阻、第一MOS管和第一MOS管控制单元，其中所述电解电容和所述抑制电阻串联连接在所述整流电路的直流端的两端之间，所述第一MOS管并联连接在所述抑制电阻的两端，所述第一MOS管控制单元连接并用于在所述电解电容在接入电之后能够导通所述第一MOS管。本发明专利技术还公开了一种大功率适配器，包括整流电路和上述的浪涌抑制电路。本发明专利技术公开的用于大功率适配器的浪涌抑制电路及该大功率适配器，既满足低功耗，又能有效抑制浪涌电流。制浪涌电流。制浪涌电流。

【技术实现步骤摘要】
一种用于大功率适配器的浪涌抑制电路及该大功率适配器


[0001]本专利技术涉及电路
，尤其涉及一种用于大功率适配器的浪涌抑制电路及该大功率适配器。

技术介绍

[0002]近年来随着激光投影仪、音响类产品的需求越来越广泛，对所应用的适配器功率也要求越来越大、体积要越小越好，电源适配器除了要满足安规对温升的基本要求外有的甚至为了更好的客户接触体验，对电源表面温度有进一步更苛刻的要求。要满足这些要求首先是电源必须应用高效率拓扑来设计(目前典型的是应用PFC+LLC符合能效6等级要求)，其次是电源内部优化尽可能地降低所有器件的损耗，只有尽可能地降低损耗才能达到和满足温度的要求。
[0003]然而现有的适配器在设计时，在尽可能满足上述要求时，往往存在接市电瞬间的浪涌电流过大，从而导致整流桥、BYPASS二极管、MOS管电流击穿的概率大大增加。
[0004]以上
技术介绍
内容的公开仅用于辅助理解本专利技术的构思及技术方案，其并不必然属于本专利申请的现有技术，在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日已经公开的情况下，上述
技术介绍
不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。

技术实现思路

[0005]为解决本专利技术上述技术问题，本专利技术公开了一种用于大功率适配器的浪涌抑制电路及该大功率适配器，既满足低功耗，又能有效抑制浪涌电流。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0007]本专利技术公开了一种用于大功率适配器的浪涌抑制电路，所述大功率适配器包括整流电路，所述整流电路的交流端的两端连接交流电，所述浪涌抑制电路包括电解电容、抑制电阻、第一MOS管和第一MOS管控制单元，其中所述电解电容和所述抑制电阻串联连接在所述整流电路的直流端的两端之间，所述第一 MOS管并联连接在所述抑制电阻的两端，所述第一MOS管控制单元连接并用于在所述电解电容在接入电之后能够导通所述第一MOS管。
[0008]在进一步的方案中，所述浪涌抑制电路还包括压敏电阻，所述压敏电阻的两端连接在所述整流电路的直流端的两端。
[0009]在进一步的方案中，所述浪涌抑制电路还包括第一电容，所述第一电容的两端连接在所述整流电路的直流端的两端。
[0010]在进一步的方案中，所述浪涌抑制电路还包括功率因素校正电路，所述功率因素校正电路连接在所述整流电路的直流端的两端，且所述功率因素校正电路连接在所述整流电路与所述电解电容和所述抑制电阻的串联电路之间。
[0011]在进一步的方案中，所述浪涌抑制电路还包括压敏电阻，所述压敏电阻的两端连接在所述整流电路与所述功率因素校正电路之间。
[0012]在进一步的方案中，所述浪涌抑制电路还包括第一电容，所述第一电容连接在所
述功率因素校正电路与所述电解电容和所述抑制电阻的串联电路之间。
[0013]在进一步的方案中，所述第一电容采用CBB电容或者SMD陶瓷电容。
[0014]在进一步的方案中，所述第一电容小于5μF。
[0015]在进一步的方案中，所述第一MOS管控制单元采用控制芯片时序线路模块、时延模块或者逻辑线路模块。
[0016]本专利技术还公开了一种大功率适配器，包括整流电路和上述的浪涌抑制电路。
[0017]与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：本专利技术公开的用于大功率适配器的浪涌抑制电路及该大功率适配器，在电解电容的正端或负端串联抑制电阻，并在抑制电阻的两端并接第一MOS管，既可以降低抑制电阻的损耗，满足了低功耗，如能效六标准，又能够有效地抑制浪涌电流；从而保证抑制浪涌电流自主可控、安全又不额外增加损耗，对改善效率和温升具有明显优势。
[0018]在进一步的方案中，本专利技术还具有以下优点：
[0019]在整流电路的直流端的两端并接压敏电阻，可以抑制雷击测试的振铃对 MOS管的损害。
[0020]在抑制电阻和电解电容的串联电路前并接第一电容，可以改善主功率回路的内阻(ESR)对线路的干扰。
[0021]第一MOS管控制单元采用控制芯片时序线路模块、时延模块或者逻辑线路模块，可以实现在在浪涌冲击之后再闭合并联在浪涌电阻的开关管，重启时自动复位，按时序开启和关闭动作保证浪涌电流被抑制。
附图说明
[0022]图1是本专利技术实施例一的用于大功率适配器的浪涌抑制电路的示意图；
[0023]图2是本专利技术实施例二的用于大功率适配器的浪涌抑制电路的示意图；
[0024]图3是本专利技术具体实施例的用于大功率适配器的浪涌抑制电路的示意图；
[0025]图4是芯片HR1211的VREG脚的时序图；
[0026]图5是对比例的浪涌抑制电路实测的浪涌电流示意图；
[0027]图6是本专利技术具体实施例的浪涌抑制电路的浪涌电流示意图。
具体实施方式
[0028]为了使本专利技术实施例所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0029]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。另外，连接既可以是用于固定作用也可以是用于电路连通作用。
[0030]需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必
须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0031]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多该特征。在本专利技术实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0032]针对越来越严苛的设计要求，电源适配器除了要满足基本要求外，对输出瞬间峰值功率也有要求，一般需要至少2.5倍输出电流负载能力，要满足这个要求，优化DC/DC环路参数可以有些改善但不彻底，由于PFC(功率因素校正)控制环路非常缓慢(10
‑
20Hz)，此时PFC输出的电容的电压容易拉到很低从而触发各种保护，不能很好地完全解决问题。最好的解决方法就是加大PFC输出电容容量、再优化控制环路，只有这样才能控制住瞬间几倍的输出功率、不至使得于 LLC(逻辑链路控制)输入电压太低进入容性模式或者容性保护模式。
[0033]随着电源适配器本身功率越做越大，加上要满足峰值功率，所以PFC输出电容容量必须很大，这样大容量的高压电容带来的缺陷是在电源适配器在接市电瞬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于大功率适配器的浪涌抑制电路，所述大功率适配器包括整流电路，所述整流电路的交流端的两端连接交流电，其特征在于，所述浪涌抑制电路包括电解电容、抑制电阻、第一MOS管和第一MOS管控制单元，其中所述电解电容和所述抑制电阻串联连接在所述整流电路的直流端的两端之间，所述第一MOS管并联连接在所述抑制电阻的两端，所述第一MOS管控制单元连接并用于在所述电解电容在接入电之后能够导通所述第一MOS管。2.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，还包括压敏电阻，所述压敏电阻的两端连接在所述整流电路的直流端的两端。3.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，还包括第一电容，所述第一电容的两端连接在所述整流电路的直流端的两端。4.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，还包括功率因素校正电路，所述功率因素校正电路连接在所述整流电路的直流端的两端，且所述功...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢庆生，李世锋，周明亮，肖铿，
申请(专利权)人：惠州市可立克电子有限公司惠州市可立克科技有限公司信丰可立克科技有限公司安远县美景电子有限公司安徽可立克科技有限公司，
类型：发明
国别省市：