单相智能功率模块及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种单相智能功率模块，包括承载基岛以及设置于承载基岛上的控制芯片和功率芯片，承载基岛上设置隔离槽，隔离槽位于控制芯片和功率芯片之间。本发明专利技术的单相智能功率模块，控制芯片和功率芯片放置在同一基岛，体积更小，能根据需要灵活搭配。本发明专利技术还公开了一种单相智能功率模块的制作方法。了一种单相智能功率模块的制作方法。了一种单相智能功率模块的制作方法。

【技术实现步骤摘要】
单相智能功率模块及其制造方法


[0001]本专利技术属于功率模块
，具体地说，本专利技术涉及一种单相智能功率模块及其制造方法。

技术介绍

[0002]现在的智能功率模块通常都是包含三相电路，体积大。实际在应用端，因主控板的空间有限，直接用包含三相电路的位置比较受限制，不能合理利用主控板空间。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提供一种单相智能功率模块，目的是减小体积。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：单相智能功率模块，包括承载基岛以及设置于承载基岛上的控制芯片和功率芯片，承载基岛上设置隔离槽，隔离槽位于控制芯片和功率芯片之间。
[0005]所述功率芯片设置两个，两个功率芯片位于所述隔离槽的同一侧。
[0006]所述隔离槽为U形槽。
[0007]所述控制芯片通过第一键合线与信号端引脚连接，第一键合线为金线。
[0008]所述功率芯片通过第二键合线与功率端引脚连接，第二键合线为铝线。
[0009本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.单相智能功率模块，其特征在于，包括承载基岛以及设置于承载基岛上的控制芯片和功率芯片，承载基岛上设置隔离槽，隔离槽位于控制芯片和功率芯片之间。2.根据权利要求1所述的单相智能功率模块，其特征在于，所述功率芯片设置两个，两个功率芯片位于所述隔离槽的同一侧。3.根据权利要求1或2所述的单相智能功率模块，其特征在于，所述隔离槽为U形槽。4.根据权利要求1或2所述的单相智能功率模块，其特征在于，所述控制芯片通过第一键合线与信号端引脚连接，第一键合线为金线。5.根据权利要求1或2所述的单相智能功率模块，其特征在于，所述功率芯片通过第二键合线与功率端引脚连接，第二键合线为铝线。6.根据权利要求1或2所述的单相智能功率模块，其特征在于，还包括塑封体，所述控制芯片和功率芯片位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗艳玲，赵清，单卫平，龚秀友，钮应喜，郭宗友，袁松，张晓洪，左万胜，史田超，刘志远，钟敏，
申请(专利权)人：芜湖启迪半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：