【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新型的。
技术介绍
迄今为止，作为可用于制造太阳能电池的非晶态硅膜或多晶硅膜的形成方法，可以利用甲硅烷气或乙硅气的热CVD(化学蒸气淀积)法或等离子体CVD法、光CVD法等，一般地说，热CVD法[真空科学技术杂志(J.Vac.Sci.Technology.,14卷1082页)(1977年)]和等离子体CVD法[固态化合物(Solid State Com.,17卷1193页)(1975年)]已分别被广泛地应用于多晶硅和非晶态硅中。然而，在使用上述各种CVD法来形成硅膜时，由于进行气相反应而在气相中产生硅的粒子，因此导致装置被污染和有异物产生，从而使生产合格率降低，而由于原料呈气态，因此在表面呈凹凸状的基板上难以获得厚度均匀的膜，另外由于膜的形成速度慢，故其生产率低，尤其是在等离子体CVD法中必须使用复杂而昂贵的高频发生装置和真空装置等，这些问题都有待于作进一步的改进。另外，在材料方面，不仅由于使用反应性高的气态氢化硅而使得操作困难，而且由于反应物呈气态而必须使用密闭的真空装置。一般说来，这些装置都较庞大，不仅装置本身价格高昂，而且其真空系统或等离子...
【技术保护点】
太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和／或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包含下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序和接着对该涂膜进行热处理和／或光处理以获得硅膜的工序。
【技术特征摘要】
JP 1999-3-30 90313/991.太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包含下述工序把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序和接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。2.如权利要求1所述的太阳能电池制造方法，其特征在于，作为上述的液体涂料组合物，使用含有由通式SinXm(式中，X表示氢原子和/或卤素原子，n表示5以上的整数，m表示n,2n-2或2n的整数)表示的环状硅化合物和溶剂的液体组合物，而作为上述的半导体薄膜，形成i型的硅薄膜。3.如权利要求1所述的太阳能电池制造方法，其特征在于，作为上述的液体涂料组合物，使用含有由通式SiaXbYc(式中，X表示氢原子和/或卤素原子，Y表示硼原子或磷原子，a表示3以上的整数，c表示1以上至a以下的整数，b表示a以上至2a+c+2以下的整数)表示的改性硅化合物和溶剂的液体组合物，而作为上述的半导体薄膜，形成p型或n型的硅薄膜。4.如权利要求1所述的太阳能电池制造方法，其特征在于，作为上述的液体涂料组合物，使用含有由通式SinXm(式中，X表示氢原子和/或卤素原子，n表示5以上的整数，m表示n，2n-2或2n的整数)表示的环状硅化合物与由上述通式SiaXbYc(式中，X表示氢原子和/或卤素原子，Y表示硼原子或磷原子，a表示3以上的整数，c表示1以上至a以下的整数，b表示a以上至2a+c+2以下的整数)表示的改性硅化合物按任意比例形成的混合物与溶剂的液体组合物来形成载体浓度受控的p型或n型的硅薄膜。5.如权利要求1至4的任一项中所述的太阳能电池制造方法，其特征在于，对上述涂膜进行热和/或光处理以使其转变成硅膜的工序由下述两个工序组成通过热处理来除去该涂膜中的溶剂的工序，以及接着在比上述除去溶剂的工序更高的温度下进行热处理和/或光处理以使上述涂膜转变成非晶态硅膜的工序。6.如权利要求5所述的太阳能电池制造方法，其特征在于，该方法还包含通过激光退火和/或灯光退火处理来使上述非晶态硅膜转变成多晶态硅膜的工序。7.如权利要求1至6...
【专利技术属性】
技术研发人员：古沢昌宏，关俊一，宫下悟，下田达也，汤田坂一夫，松木安生，竹内安正，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，捷时雅株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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