【技术实现步骤摘要】
超导量子芯片及倒装焊芯片间距控制方法
[0001]本申请涉及超导量子计算芯片领域,特别是涉及一种超导量子芯片及倒装焊芯片间距控制方法。
技术介绍
[0002]随着超导量子计算芯片比特数量的逐步上升,需要进一步提升芯片的集成度。倒装焊技术正逐步应用到超导量子芯片的制备中。倒装焊技术是在一定的压力和温度下利用压接材料将上下两片芯片压接形成一片芯片的技术。压接材料可以起到机械连接以及电连接的双重作用。
[0003]在超导量子芯片技术中,压接后的芯片间距一般为几微米到十几微米。一般情况下,要求上下两片芯片制备一一对应的压接体并在压接过程中通过挤压变形互相连接(如图1和图2所示)。由于设备精度限制及压接中的物理过程等因素,芯片间距有时无法精确控制。芯片间距决定了芯片间的微波耦合强度,不确定的芯片间距将影响芯片的性能。
[0004]精确控制倒装焊芯片间距的方法有许多种,其中一种方案是在其中一片芯片上制备上表面平整的间距控制块,该间距控制块不可压缩并且其高度决定了最终的芯片间距。但是,该方案需要额外的工艺步骤制备间距控制块 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种倒装焊芯片间距控制方法,其特征在于,所述方法应用于超导量子芯片制备,所述超导量子芯片包括第一芯片和第二芯片,所述第一芯片和所述第二芯片对应位置上均设置压接体,所述第一芯片和所述第二芯片中至少一片芯片表面设置至少一个承重体,所述方法包括:根据设计需求确定所述压接体的数量、位置及面积,并确定所述支撑体的数量、位置及面积;其中所述支撑体的支撑面积大于所述压接体的压接面积;所述支撑体的材料与所述压接体材料相同;所述支撑体沿第一方向的高度与片间目标距离相关,所述第一方向为所述芯片进行压接的方向。2.根据权利要求1所述的倒装焊芯片间距控制方法,其特征在于,压接前,所述第一芯片和所述第二芯片对应位置的所述压接体高度和大于所述支撑体高度和,压接过程中由于压接体与支撑体高度的差异致使压接体发生形变融合形成有效的电和/或机械连接。3.根据权利要求1所述的倒装焊芯片间距控制方法,其特征在于,所述支撑体的数量为多个。4.根据权利要求3所述的倒装焊芯片间距控制方法,其特征在于,多个所述支撑体相对于所述芯片的中心点对称设置。5.根据权利要求1所述的倒装焊芯片间距控制方法,其特征在于,所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:李成垚,杨楚宏,苏唐,
申请(专利权)人:北京量子信息科学研究院,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。