一种MgB2超导微桥的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种MgB2超导微桥的制备方法，属于超导微桥制备技术领域。本发明专利技术所述MgB2超导微桥的制备方法包括以下步骤：采用聚焦离子束在裸衬底上直写制备出微桥结构；所述微桥结构的尺寸与MgB2超导微桥的尺寸相同；采用混合物理化学气相沉积在所述微桥结构的表面沉积MgB2超导薄膜，形成MgB2超导微桥。本发明专利技术先制备微桥结构，后沉积MgB2超导薄膜，可以有效避免超导薄膜受到损伤，进而确保超导微桥的性能。的性能。的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种MgB2超导微桥的制备方法


[0001]本专利技术涉及超导微桥制备
，尤其涉及一种MgB2超导微桥的制备方法。

技术介绍

[0002]太赫兹波段(普适划分标准为0.1～10THz频段，对应波长3毫米～30微米)具有重要的科学意义和丰富的应用前景，在射电天文和大气物理，特别是臭氧层研究中起到重要的作用，在生物体无损检测、未来无线网络等方面也具有很好的应用潜力。
[0003]目前常见的太赫兹探测器主要包括相干探测和非相干探测。相干探测能够探测测量场的幅度和相位，而非相干探测只能探测场的幅度，相比于非相干探测，相干探测拥有更高的灵敏度，更高的频谱分辨率并且可以得到信号的相位信息。相干探测器包括超导隧道结混频器(SIS)和超导热电子混频器(HEB)两类。SIS结混频器的工作频率受到材料超导能隙的限制，而HEB的工作频率则不受超导能隙的限制。近年来，HEB的研究取得了长足的进步。
[0004]超导HEB主要包括两个部分：汇聚辐射过来的THz信号的平面天线，以及用以检测THz信号的超导微桥。超导微桥是制备HEB的关键结构，其超导转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MgB2超导微桥的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用聚焦离子束在裸衬底上直写制备出微桥结构；所述微桥结构的尺寸与MgB2超导微桥的尺寸相同；采用混合物理化学气相沉积在所述微桥结构的表面沉积MgB2超导薄膜，形成MgB2超导微桥。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合物理化学气相沉积的反应温度为640～700℃。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述混合物理化学气相沉积的反应温度为660～680℃。4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述混合物理化学气相沉积的反应时间为150～210s。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述混合物理化学气相沉积的反应时间为150～190s。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合物理化学气相沉积采用乙硼烷为硼源，所述乙硼烷的流量为4～10sccm。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：孔祥东，张新月，李艳丽，韩立，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：